鄢和平
- 作品数：6 被引量：11H指数：3
- 供职机构：武汉大学更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 硅光电器件两种辐照效应的比较被引量：5
- 1998年
- 比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶ射线辐照后光电参数的变化，讨论了Υ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应。在硅器件的光谱响应范围内。将分光光度法得到的光电流谱用于上述实验，有助于了解不同辐照引起的损伤在器件中的空间分布。
- 陈炳若李世清鄢和平高繁荣
- 关键词：光电器件光电流谱辐照效应硅半导体
- MOS器件1/f噪声的双态系统理论──隧道模型与热激发模型的比较
- 1993年
- 本文提出了MOS器件1/f噪声的双态系统理论,在此基础上分别推导出MOS器件隧道模型和热激发模型的1/f噪声理论表达式,由此得到迄今比较精确完整的1/f噪声的温度因子和偏置因子。理论分析指出,两个模型的温度因子以及两个模型的偏置因子,在强反型时其变化规律均分别相似,仅在弱反型时变化规律才有明显的差别。理论与实验比较后表明,热激发模型能够解释现有的许多实验结果,尤其包括隧道模型所不能解释的弱反型1/f噪声实验现象,因而热激发模型有可能是更精确的一种模型。
- 方志豪朱秋萍黄银彪鄢和平
- 关键词：MOS器件热激发隧道模型
- 背电场硅太阳能电池离子辐照效应被引量：3
- 1997年
- 空间太阳能电池受电子、质子 ,以及重离子辐照后 ,要受到损伤。文章对背电场硅太阳能电池低能质子、高能质子、碳、氧离子辐照效应进行了研究。对辐照前后太阳能电池光电参数进行测量 ,并用Mante-Carlo方法对辐照粒子在硅中的能量损失过程进行了模拟计算。结果表明 ,各种离子辐照对太阳能电池的损伤是不同的。低能质子对开路电压的损伤比对短路电压的损伤大得多 ,而高能质子对开路电压的损伤较低能质子的反而要小 ,对短路电流的影响则明显大于低能质子的 ,我们同时也对碳、氧离子与质子造成的损伤进行了比较。
- 陈晔李世清鄢和平王仁卉
- 关键词：光电器件太阳能电池硅辐照效应
- 硅光电二极管快中子和氧离子的辐照效应被引量：5
- 1998年
- 研究了硅光电二极管经快中子（注入剂量为1011cm2、能量2．45MeV）和O+++（注入剂量为1010cm－2、能量12MeV）辐照后光电参数的变化规律，并通过光谱光电流的变化，对辐照损伤的空间分布进行了分析。结果表明：两种辐照均引起器件的光电流下降、暗电流增加。在本实验条件下，快中子造成的损伤轻微且均匀地分布在整个器件体内，而O+++辐照损伤区集中在器件表面附近，其损伤较快中子的严重。
- 高繁荣陈炳若李世清鄢和平
- 关键词：硅光电二极管辐照效应
- 磷化铟材料的中子嬗变掺杂
- 1998年
- 文章介绍了磷化铟中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点、原理和退火过程，并简要介绍了国外的研究情况和取得的研究结果。
- 易正亮鄢和平李世清
- 关键词：磷化铟中子嬗变掺杂退火掺杂
- GaAs的中子嬗变掺杂
- 1997年
- 文章介绍了ＧａＡｓ的中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点，砷化镓的ＮＴＤ原理，以及ＮＴＤ－ＧａＡｓ的退火过程。
- 易正亮鄢和平李世清
- 关键词：砷化镓中子嬗变掺杂退火
