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朱春节

作品数:11 被引量:8H指数:2
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金:国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇水利工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇电源
  • 5篇可靠性
  • 4篇电源模块
  • 4篇开关电源
  • 3篇电迁移
  • 3篇VDMOS
  • 2篇金属化
  • 2篇金属化系统
  • 2篇开关电源模块
  • 2篇可靠性研究
  • 2篇互连
  • 2篇互连线
  • 2篇VLSI/U...
  • 2篇DC/DC电...
  • 2篇DC/DC电...
  • 2篇DC电源
  • 2篇DC/DC
  • 1篇电离辐射效应
  • 1篇应力
  • 1篇失效率

机构

  • 11篇北京工业大学

作者

  • 11篇朱春节
  • 10篇李志国
  • 10篇郭春生
  • 7篇吕长志
  • 4篇李秀宇
  • 4篇马卫东
  • 3篇吴月花
  • 2篇张小玲
  • 1篇段毅
  • 1篇单尼娜
  • 1篇谢雪松
  • 1篇刘朋飞

传媒

  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇环境技术
  • 1篇中国自动化学...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2008
  • 7篇2007
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多层金属化系统中的蓄水池效应被引量:1
2007年
对于W通孔多层金属化系统来说,金属离子蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大。设计了12种不同的蓄水池结构,并进行电迁移实验;考察了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线的电迁移寿命的影响,得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素。
李秀宇吴月花李志国郭春生刘朋飞朱春节
关键词:互连线电迁移
基于序进应力加速实验评价失效率的新方法被引量:1
2007年
基于序进应力加速寿命实验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.该方法将序进应力加速实验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,快速确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.以样品3DG130为例,在160~310℃范围内进行了序进应力加速寿命实验,然后根据模型计算得到了器件的寿命、分布和失效率.结果与文献吻合很好,验证了方法的可行性.
郭春生李秀宇朱春节马卫东吕长志李志国
关键词:失效率
开关电源发展与趋势
本文介绍了开关电源(SWPS)发展现状,详细分析了开关电源的发展趋势,提出了我国开关电源发展所面临的可靠性寿命评价的关键问题。
朱春节郭春生李志国吕长志
关键词:开关电源高频化
文献传递
开关电源模块可靠性研究
本文分析了某军用开关电源模块的工作原理以及关键点波形,找出了开关电源模块中易于失效的关键元件,提出了目前开关电源发展所面临的可靠性寿命评价的关键问题。
朱春节马卫东郭春生李志国吕长志
关键词:开关电源可靠性寿命评价
文献传递
开关电源模块可靠性的研究被引量:4
2008年
本文分析了某军用开关电源模块的工作原理以及关键点波形,找出了开关电源模块中易于失效的关键元件,提出了目前开关电源发展所面临的可靠性寿命评价的关键问题。
朱春节郭春生李志国吕长志
关键词:开关电源可靠性
VLSI/ULSI中金属化系统的蓄水池效应
对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及...
李志国李秀宇朱春节郭春生吴月花
关键词:VLSIULSI金属化系统金属离子电迁移
文献传递
电源模块中关键器件可靠性的研究
对当前应用较广泛的DC/DC电源模块中关键器件-VDMOS场效应晶体管和肖特基势垒二极管(SBD)的可靠性进行了研究.使用以器件参数退化为基础的恒定电应力、序进温度应力加速寿命试验方法-恒定电应力温度斜坡法(CETRM)...
吕长志马卫东朱春节段毅谢雪松张小玲郭春生李志国
关键词:DC/DC电源模块可靠性加速寿命试验VDMOSSBD
文献传递
退火温度及存储对辐照后VDMOS参数恢复特性影响
2010年
对VDMOS各样品进行总剂量3KGy(Si)的γ射线辐照试验,对比了试验前后的阈值电压、亚阈值电流、跨导及导通电阻的变化情况,并从理论上分析了参数退化的原因。然后研究了辐照后VDMOS各样品在室温下长时间存储及退火后参数的变化情况,并做出了解释。试验结果表明:γ射线辐照使得各样品参数有不同程度的退化,其中,A类样品的阈值电压平均退化4.5V,B类样品平均退化1.74V;亚阈值电流增长大于2个数量级;跨导平均增长0.7S;导通电阻平均退化0.052Ω。在室温下长时间存储后样品参数有小幅度的恢复。高温退火使得样品各参数基本恢复至辐照前水平。
单尼娜吕长志李志国张小玲郭春生朱春节
关键词:VDMOS辐照阈值电压退火
VLSI/ULSI中金属化系统的蓄水池效应
对于 VLSI/ULSI 中 W 通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大.本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置...
李志国李秀宇朱春节郭春生吴月花
关键词:互连线电迁移
文献传递
DC/DC电源模块中关键器件VDMOS可靠性的研究
VDMOS作为中低功率DC/DC电源模块内功率开关器件的主要选择,广泛应用于航空航天和舰载武器装备中,其工作环境复杂,受核辐射和空间辐射的影响严重;另外,由于工作中VDMOS高功耗和自升温,其可靠性受到严重影响,是电源模...
朱春节
关键词:DC/DC电源模块VDMOS可靠性功率开关器件电离辐射效应
文献传递
共2页<12>
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