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李梅: 作品数：54 被引量：30H指数：3; 供职机构：长春理工大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金高功率半导体激光国家重点实验室基金吉林省科技厅基础研究项目更多>>; 相关领域：电子电信理学文学自动化与计算机技术更多>>

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一种高亮度超辐射发光二极管: 超辐射发光二极管属于半导体光电子器件技术领域。现该领域已知超辐射二极管不足之处是输出功率低、光谱窄等缺点，严重限制了这类器件在相关领域中的应用。本发明之一种高亮度超辐射发光二极管，是通过在传统半导体激光器外延片P面上，经...; 乔忠良薄报学高欣么艳平李梅王玉霞芦鹏张斯玉邓敏刘国军李占国

一种制备化学计量比非晶GaAs薄膜材料的方法: 大面积的非晶态GaAs薄膜已经由简单和廉价磁控溅射技术制备出来了，并且非晶态GaAs薄膜具有半导体特性，但是非晶GaAs薄膜中存在组分偏析所引入大量的结构缺陷，阻碍非晶GaAs材料应用于光电子器件。我们发明的目的在于提供...; 么艳平乔忠良薄报学高欣陈甫魏永平李梅王玉霞芦鹏李辉曲轶刘国军李占国; 文献传递

采用InGaSb柱形量子点实现高效率1.5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法: III-V族锑化物以其特有的晶格参数、能带结构特性，在近、中红外半导体器件方面显示出越来越重要得研究价值和应用价值。GaAs基1.5μm的Sb基量子点激光器的研制将提供替代InP基材料器件的可能，克服InP基材料其间难以...; 李占国刘国军尤明慧李林李梅乔忠良邓昀王勇王晓华赵英杰李联合; 文献传递

采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法: AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器属于第一类量子阱结构，材料和器件的研究存在相当的难度，锑化物材料存在很大的不互溶隙，在不互溶隙内的材料为亚稳态，优质材料生长难度十分大，是III-V族化合物中最复杂的材料之...; 李占国刘国军尤明慧李林李梅乔忠良邹永刚邓昀王勇王晓华赵英杰; 文献传递

《武林外传》言语幽默研究: 情景喜剧作为一种喜闻乐见传递幽默的语言艺术表现形式，自引进以来就在中国观众心中激起了阵阵涟漪。特别是2006年的大型古装情景喜剧《武林外传》的热播更是将观众对情景喜剧的喜爱和追捧推至最巅峰。剧中独特鲜明、幽默诙谐、层出不...; 李梅; 关键词：《武林外传》会话含义理论语用功能语言表现; 文献传递

采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器材料的设计和外延方法: 大功率808nm半导体激光器被广泛应用于抽运Nd:YAG固体激光器、激光加工和激光医疗等领域。这是因为半导体激光器具有高效、结构紧凑、调制方便等优点。但是同时，人们一直关注半导体激光器的效率和温度特性等问题。本发明是关于...; 刘国军李占国李林李梅尤明慧芦鹏陈佳音李辉王勇乔忠良邓昀高欣; 文献传递

InAs量子点材料的制备方法及其在太阳能电池中的应用: 本发明提供一种InAs量子点材料的制备方法，和一种由该量子点材料制成的多能带太阳能电池中间能级结构。该结构具有不同尺寸的多层量子点材料，其大致均匀地分布于三维空间。本发明采用MOCVD外延技术生长各外延层，通过改变各外延...; 李林李占国李梅王勇王晓华曲轶薄报学刘国军; 文献传递

缓冲层对InSb/GaAs薄膜质量的影响被引量：3: 2007年; InSb是制作3～5 μm红外探测器的重要材料.在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响.通过系列实验,研究了在生长过程中缓冲层对薄膜质量的影响.利用高能电子衍射仪（RHHEED）得到了合适的生长速率和Ⅴ/Ⅲ比,研究了异质外延InSb薄膜生长中低温InSb缓冲层对材料生长质量以及不同外延厚度对材料电学性质的影响.采用原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线双晶衍射（DCXRD）等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量.通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为172＂,77 K下迁移率为64 300 cm^2·V^-1·s^-1的InSb外延层.; 李占国刘国军李梅尤明慧熊敏李林张宝顺王晓华王勇; 关键词：分子束外延缓冲层表面形貌透射电子显微镜

910nm高功率半导体激光器主动式光源的研究: 王晓华李梅张宝顺王玉霞王玲李辉张剑家; 主要内容：1、高功率InGaAs/AlGaAs/GaAs分别限制单量子阱激光器结构设计。2、高质量InGaAs/AlGaAs/GaAs分别限制单量子阱激光器材料的MBE外延生长。3、利用分析测试手段如，SEM，PL，X-...; 关键词：; 关键词：半导体激光器光源

一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器: 一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知条形半导体激光器不足之处是输出光束发散角大、发光亮度低等缺点，限制了此类器件在相关领域中的应用。本发明之一种带有模式滤波器的高亮度条形半导...; 乔忠良薄报学张斯玉高欣曲轶芦鹏李占国李辉刘国军李梅王玉霞; 文献传递