李正孝
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：电子工业部更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 抗辐射体硅CMOS工艺技术研究
- 1996年
- 论述和分析了在抗辐射体硅CMOSI艺制造过程中，栅介质种类、栅氧化层厚度的选择以及氧化层的厚度与半导体器件抗辐射能力的关系。
- 陆剑侠李正孝张沈军许仲德陶星袁凯
- 关键词：CMOS电路硅
- CMOS外延本征吸杂技术研究
- 1991年
- 本文介绍了一种采用Ar、N为保护气体的三步退火工艺及外延后吸杂工艺。实验中使用CZ单晶片。实验证明:经本征吸杂的硅片,外延层少子寿命可提高1个数量级以上,将吸杂片用于CMOS器件制作中,成品率提高15％以上,各项性能指标达到设计要求。
- 杨正泉于立新李正孝
- 关键词：CMOS集成电路本征吸杂硅片
- 多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型
- 1995年
- 对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层，通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，但由于界面态的作用，当ｘ增加到一定值时增益的提高变缓。
- 李建军魏希文王美田李正孝王效平
- 关键词：晶体管多晶硅发射极
- FLASH MEMORY技术被引量：3
- 1995年
- 本文介绍了闪速存储器的结构特点和工艺技术，并与EPROM和EEP－ROM电路进行了比较。
- 卢廷勋李正孝
- 关键词：闪速存储器结构特点存储器
- 无焊料倒装技术
- 1994年
- 本文介绍了一种新颖先进的聚脂倒装技术的发展、特点及其应用。
- 王天科齐荔李正孝
- 关键词：半导体器件
- 对发展我国录相机集成电路的探讨
- 1992年
- 本文就我国录相机产业现状、市场需求及国内外情况对比做了详尽的介绍,较为系统地分析了录相机六大组件中占首要地位的录相机集成电路的发展现状和存在问题。在预测我国录相机产业发展前景的同时,提出加快我国录相机产业发展采取的相应措施。特别指出,为迅速发展我国的录相机用集成电路,使国产录相机参予国际竞争并进入国际市场,必须采用国际标准的设计规范和工艺规范,必须推出有中国自己版权的集成电路。
- 李正孝李威陆剑侠祝晓刚
- 关键词：录相机集成电路
