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杨正泉

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：电子工业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇吸杂
  • 1篇集成电路
  • 1篇硅片
  • 1篇本征
  • 1篇本征吸杂
  • 1篇CMOS

机构

  • 1篇电子工业部

作者

  • 1篇李正孝
  • 1篇于立新
  • 1篇杨正泉

传媒

  • 1篇微处理机

年份

  • 1篇1991
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
CMOS外延本征吸杂技术研究
1991年
本文介绍了一种采用Ar、N为保护气体的三步退火工艺及外延后吸杂工艺。实验中使用CZ单晶片。实验证明:经本征吸杂的硅片,外延层少子寿命可提高1个数量级以上,将吸杂片用于CMOS器件制作中,成品率提高15％以上,各项性能指标达到设计要求。
杨正泉于立新李正孝
关键词：CMOS集成电路本征吸杂硅片
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共1页<1>
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