您的位置: 专家智库 > >

杨昊炜

作品数:9 被引量:18H指数:3
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:上海市科学技术委员会资助项目教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 3篇理学

主题

  • 7篇超疏水
  • 6篇疏水
  • 5篇硅氧烷
  • 4篇输变电
  • 4篇膜材料
  • 4篇高压输变电
  • 4篇功能薄膜材料
  • 4篇变电
  • 3篇疏水表面
  • 3篇超疏水薄膜
  • 3篇超疏水表面
  • 2篇氧化硅
  • 2篇溶胶
  • 2篇热稳定
  • 2篇热稳定性
  • 2篇耐高温
  • 2篇接触角
  • 2篇静态接触角
  • 2篇聚硅氧烷
  • 2篇防雪

机构

  • 9篇复旦大学

作者

  • 9篇杨昊炜
  • 6篇肖斐
  • 1篇俞宏坤
  • 1篇金庆原
  • 1篇段晓楠
  • 1篇张璋
  • 1篇陆震
  • 1篇付慧英
  • 1篇丁宝福

传媒

  • 1篇复旦学报(自...
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2008
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种耐高温的超疏水表面及其制备方法
本发明属于功能薄膜材料技术领域,具体为一种耐高温的超疏水表面及其制备方法。该超疏水表面具有纳米结构的粒子赋予超疏水性所需要的微纳粗糙表面结构,聚苯基倍半硅氧烷包覆无机纳米粒子表面成膜并提供低表面能。作为填料的无机纳米粒子...
杨昊炜肖斐
一种氧化硅超疏水薄膜的溶胶凝胶制备方法
本发明属于功能薄膜材料技术领域,具体公开了一种氧化硅超疏水薄膜的制备方法。该方法以烷基烷氧基硅烷R<Sub>n</Sub>Si(OR′)<Sub>4-n</Sub>与甲基三烷氧基硅烷CH<Sub>3</Sub>Si(OR...
肖斐杨昊炜
文献传递
苯并噻唑取代咔唑衍生物的电致发光性能被引量:5
2008年
设计并合成了两个苯并噻唑取代咔唑衍生物:3-苯并噻唑基-N-苯基咔唑(BPCz)和3-苯并噻唑基-N-萘基咔唑(BNCz).BPCz和BNCz固体薄膜光致发光光谱峰值分别位于418,426 nm.循环伏安法中测得二者的LUMO轨道能级分别为3.64,3.59 eV.以BPCz和BNCz为发光层制作了结构为ITO/NPB/BPCz or BNCz/TP-BI/Alq3/LiF/Al的器件,BPCz和BNCz器件的发光峰值分别为429,435 nm,14 V直流电压驱动时,BPCz和BNCz器件的发光亮度分别为918,1495 cd.m-2.当电流密度为20 mA.cm-2时,BPCz和BNCz器件的量子效率分别为0.73%,1.35%,电流效率分别为0.95,1.56 cd.A-1,流明效率分别为0.32,0.55 lm.W-1.
陆震丁宝福付慧英杨昊炜肖斐
关键词:有机电致发光蓝色发光咔唑苯并噻唑
一种耐高温的超疏水表面及其制备方法
本发明属于功能薄膜材料技术领域,具体为一种耐高温的超疏水表面及其制备方法。该超疏水表面具有纳米结构的粒子赋予超疏水性所需要的微纳粗糙表面结构,聚苯基倍半硅氧烷包覆无机纳米粒子表面成膜并提供低表面能。作为填料的无机纳米粒子...
杨昊炜肖斐
文献传递
一种氧化硅超疏水薄膜的溶胶凝胶制备方法
本发明属于功能薄膜材料技术领域,具体公开了一种氧化硅超疏水薄膜的制备方法。该方法以烷基烷氧基硅烷R<Sub>n</Sub>Si(OR′)<Sub>4-n</Sub>与甲基三烷氧基硅烷CH<Sub>3</Sub>Si(OR...
肖斐杨昊炜
聚硅氧烷超疏水表面制备及其性能研究
超疏水表面由于对水展现出非常高的接触角和很低的接触角滞后(滚动角),在自清洁、防冰、防腐蚀、减阻、油水分离等领域具有广阔的应用前景而备受关注。目前已经制备了很多性能优异的超疏水表面,不过其实际应用仍有不少亟待解决的问题:...
杨昊炜
关键词:超疏水聚硅氧烷溶胶-凝胶法喷涂法热稳定性
文献传递
溶胶凝胶法制备有机硅氧烷超疏水薄膜及其热稳定性研究
以甲基三乙氧基硅烷(MTEOS)和丙基三乙氧基硅烷(PTEOS)混合物为前体,经酸碱两步水解聚合制备了带疏水基团的硅溶胶。溶胶中部分硅甲基被硅丙基取代后,增加了硅溶胶骨架与溶剂间的不相容性。此外,在反应过程中通过添加溶剂...
杨昊炜肖斐
关键词:超疏水溶胶凝胶
文献传递
硅基超薄多孔氧化铝膜的制备被引量:9
2008年
将二次阳极氧化法应用于硅基铝膜的制备,在草酸溶液中得到了厚度可控的硅基超薄多孔氧化铝膜(PAM),厚度小于100nm.实验中记录了氧化电流随时间的实时变化曲线,发现硅衬底的氧化电流在大幅下降前有一小幅波动.对应于Al/Si界面的氧化过程中,孔洞底部之间的残留铝岛被优先氧化,可将此作为终止铝氧化的标志.扫描电镜(SEM)观察表明,二次氧化提高了孔洞分布的均匀性,使得孔在一定的区域内呈现有序六角分布.这种模板可进一步用于硅基纳米器件和纳米结构的制备.
杨昊炜张璋段晓楠俞宏坤金庆原
关键词:多孔氧化铝膜硅基超薄
聚硅氧烷超疏水表面制备及性能研究
超疏水表面由于对水展现出非常高的接触角和很低的接触角滞后(滚动角),在自清洁、防冰、防腐蚀、减阻、油水分离等领域具有广阔的应用前景而备受关注。目前已经制备了很多性能优异的超疏水表面,不过其实际应用仍有不少亟待解决的问题:...
杨昊炜
关键词:聚硅氧烷超疏水表面
文献传递
共1页<1>
聚类工具0