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杨辉
作品数:
335
被引量:32
H指数:4
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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合作作者
董建荣
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
赵勇明
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
李奎龙
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
于淑珍
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
孙玉润
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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杨辉
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赵勇明
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李奎龙
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于淑珍
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2008
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一种微纳图形的制备方法及其制备系统
本发明提供了一种微纳图形的制备方法及其制备系统,该方法包括:在衬底板上形成中间层;在中间层上形成光刻胶层;利用激光在光刻胶层上刻写形成微纳图案;利用被刻写的光刻胶层作为抗蚀层,通过反应离子刻蚀将微纳图案传递到中间层上;利...
张鉴
杨辉
丁孙安
黄增立
卢荻
李坊森
王虎
黄荣
王瑗
陆晓鸣
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基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺
本发明涉及一种基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺。该光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、隧穿结和GaAs电池,所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P/N结和N型窗口层。其制...
赵春雨
董建荣
陆书龙
李奎龙
赵勇明
季莲
杨辉
文献传递
一种三结级联太阳能电池及其制备方法
本发明涉及太阳能技术领域,尤其是三结级联太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长GaAs<Sub>1-x-y</Sub>N<Sub>x</Sub>Bi<Sub>y</Sub...
李奎龙
董建荣
孙玉润
曾徐路
赵勇明
于淑珍
赵春雨
杨辉
文献传递
一种三结级联太阳能电池结构及其制备方法
本发明涉及太阳能技术领域,尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长GaAs<Sub>1‑x‑y</Sub>N<Sub>x</Sub>Bi<Sub>y</Su...
李奎龙
董建荣
孙玉润
曾徐路
赵勇明
于淑珍
赵春雨
杨辉
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载流子有效扩散长度的测试方法及测试系统
本发明公开了一种载流子有效扩散长度的测试方法及测试系统。所述测试方法包括:提供第一外延结构和第二外延结构;使激光分别照射产生光生载流子,扩散至多量子阱层中产生复合发光,形成光致发光光谱;基于光致发光光谱获得第一光致发光强...
刘建平
李方直
田爱琴
杨辉
半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构
本发明公开了一种半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构。其中,光学限制结构包括波导层和设于波导层表面上的包覆层,包覆层的折射率小于波导层的折射率,包覆层用于反射从波导层射入包覆层的光线,包覆层为铝铟镓氮四元合金。激光谐...
刘建平
江灵荣
田爱琴
杨辉
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三结级联太阳能电池及其制备方法
本发明涉及太阳能技术领域,尤其是几种三结级联太阳能电池,其包括在GaAs衬底上依次生长的底电池层、第一隧道结、中间电池层、第二隧道结、顶电池层及GaAs接触层;所述GaAs衬底底部设有下欧姆电极及所述GaAs接触层顶部还...
于淑珍
董建荣
李奎龙
孙玉润
曾徐路
赵勇明
赵春雨
杨辉
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GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法
本发明提供一种采用晶格异变技术的GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池,包括Ge子电池,以及在Ge子电池上依次设置的InGaAs或GaInP的缓冲层、第一隧道结、第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二隧...
孙玉润
董建荣
李奎龙
于淑珍
赵勇明
赵春雨
杨辉
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倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法
本发明提供一种倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池包括支撑衬底,以及在所述支撑衬底表面依次设置的Ge或InGaAs的键合层、第二Ge子电池、第一隧穿结、第一Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结...
李奎龙
董建荣
赵勇明
孙玉润
于淑珍
杨辉
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一种太赫兹光源器件及其制作方法
本发明公开了一种太赫兹光源器件及其制作方法。所述器件包括主要由第一、第二半导体组成的异质结以及与所述异质结连接的电极,所述第二半导体形成于第一半导体表面,并具有宽于第一半导体的带隙,并且所述异质结内分布有二维电子气;所述...
孙钱
周宇
冯美鑫
高宏伟
秦华
孙建东
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