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李奎龙

作品数：111 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 104篇专利
  • 6篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 92篇电池
  • 45篇衬底
  • 38篇隧道结
  • 34篇激光
  • 32篇太阳能电池
  • 32篇晶格
  • 31篇太阳能
  • 24篇光伏电池
  • 23篇光伏
  • 22篇太阳电池
  • 21篇级联
  • 18篇键合
  • 16篇电阻
  • 14篇电池效率
  • 14篇晶格常数
  • 12篇电极
  • 12篇电流失配
  • 12篇失配
  • 12篇激光器
  • 11篇电池材料

机构

  • 111篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 111篇李奎龙
  • 108篇董建荣
  • 106篇赵勇明
  • 103篇孙玉润
  • 101篇杨辉
  • 101篇于淑珍
  • 94篇赵春雨
  • 76篇曾徐路
  • 7篇陆书龙
  • 5篇何洋
  • 3篇季莲
  • 2篇肖燕
  • 2篇赵宇
  • 1篇李鹏
  • 1篇何巍
  • 1篇王伟明

传媒

  • 5篇第十三届全国...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 8篇2017
  • 20篇2016
  • 17篇2015
  • 10篇2014
  • 37篇2013
  • 16篇2012
  • 3篇2011
共 111 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法
本发明提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池，包括Ge衬底层，以及在所述Ge衬底层上依次设置的第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和(In)...
赵勇明董建荣李奎龙孙玉润于淑珍杨辉
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一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法
本发明公开了一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器，包括顺次连接的过渡层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层，其有源区采用由GaNAsBi/GaAs材料体系制作的应变量子...
曾徐路董建荣李奎龙孙玉润于淑珍赵勇明赵春雨杨辉
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输出电压为5V的GaAs激光光伏电池及其制作方法
本申请公开了一种输出电压为5V的GaAs激光光伏电池，所述的激光光伏电池包括隔离槽，该隔离槽将所述的光伏电池分隔成5个电池单元，包括1个第一电池单元，以及环绕设于所述第一电池单元四周的4个第二电池单元，电池单元之间串联连...
赵春雨董建荣于淑珍赵勇明李奎龙孙玉润曾徐路杨辉
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四结级联太阳电池的制作方法
本发明公开了一种四结级联太阳电池的制作方法，采用InP作为支撑衬底，首先在InP衬底上制备与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池；然后在InGaAsP/InGaAs双结电池上制备一InP键合层，并在所述I...
赵勇明董建荣李奎龙孙玉润曾徐路于淑珍赵春雨杨辉
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重掺杂Te对GaAs薄膜晶格和发光特性的影响
本文采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在GaAs 衬底上生长了电子浓度达6×1019cm-3 的重掺Te GaAs 外延薄膜,该样品的高分辨X 射线衍射(HR-XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果...
孙玉润李奎龙王伟明赵勇明于淑珍赵春雨董建荣杨辉
关键词：LP-MOCVD蓝移
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倒装结构的激光光伏电池及其制作方法
本申请公开了一种倒装结构的激光光伏电池，所述的光伏电池包括第二绝缘衬底以及位于所述第二绝缘衬底上的外延层，所述的外延层包括依次形成于所述第二绝缘衬底上的负电极、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层。本申请还公...
赵春雨董建荣于淑珍赵勇明李奎龙孙玉润曾徐路杨辉
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三结级联太阳能电池及其制备方法
本发明提供一种三结级联太阳能电池，包括Si子电池，以及在所述Si子电池上依次生长的渐变过渡层、第一隧道结、GaAsP子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAsP接触层。本发明还提供一种如上述的三结级联太阳能电池的制备...
于淑珍董建荣李奎龙孙玉润赵勇明赵春雨杨辉
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三结叠层GaAs激光光伏电池及其制备方法
本发明提供一种三结叠层GaAs激光光伏电池，包括GaAs的衬底，以及在所述衬底上依次设置的N型GaAs导电层、第一隧穿结、底电池、第二隧穿结、中电池、第三隧穿结、顶电池、窗口层以及GaAs接触层。本发明还提供一种如上述的...
赵春雨董建荣赵勇明孙玉润李奎龙于淑珍杨辉
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含Bi热光伏电池的结构及其制备方法
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是提供一种热光伏电池的结构，其包括生长在InP衬底上并与所述InP衬底晶格匹配的In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As<Sub>1-y</Sub>Bi<Sub>...
赵勇明董建荣李奎龙孙玉润曾徐路于淑珍赵春雨杨辉
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三结太阳电池及其制备方法
本发明涉及一种三结太阳电池，其中两个子电池采用GaNAsBi材料制作，与GaAs衬底晶格匹配，本发明还涉及该三结太阳电池的制备方法，本发明的三结太阳电池及其制备方法简化了制备工艺，提高了电池效率，降低了生产成本。
曾徐路董建荣李奎龙孙玉润于淑珍赵勇明赵春雨杨辉
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