沈成
- 作品数：7 被引量：5H指数：2
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- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究被引量：2
- 2009年
- 在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征。并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算。结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器。
- 何波马忠权赵磊张楠生李凤沈玲沈成周呈悦于征汕吕鹏殷宴庭
- 关键词：氧化铟锡光谱响应
- 新型SINP硅蓝紫光电池的研究被引量：2
- 2010年
- 本研究中,采用以下主要步骤:先在p-型Si的绒面上,进行磷扩散形成同质p-n结,再低温热氧化生长超薄SiO2层,然后利用射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜,成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构蓝紫光电池.通过X-光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见光透射谱(UV-VIS),以及霍尔效应(Halleffect)测量方法,表征了高质量ITO薄膜的微结构、光学与电学特性.并重点对SINP结构光电池的光谱响应和I-V特性,进行了详细地计算和分析.结果表明,具有蓝紫光以及其它可见光波段的光谱响应和光电转换的增强效果,是该器件的主要特征.其较高的短路电流密度,适合于发展成为新型结构的硅基太阳能电池.
- 何波马忠权徐静赵磊张楠生李凤沈玲沈成周呈悦于征汕殷宴庭
- 关键词：ITO薄膜I-V特性光谱响应
- HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究
- 2009年
- 报道了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果。系统地介绍了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,B r2-CH3OH与HgCdT e化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制。阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdT e光伏器件电学特性的影响。
- 何波马忠权史衍丽徐静赵磊李凤沈成沈玲
- 关键词：HGCDTEX射线光电子能谱表面钝化
- 长度可调的TiO_2纳米管制备及其DSSC性能的研究被引量：1
- 2011年
- 采用阳极氧化法在Ti片上制备高度取向的TiO2纳米管阵列。室温下,电压60V,在含有0.5%(质量分数)NH4F,1%(体积分数)HF,2%(体积分数)H2O的乙二醇电解液中,通过改变阳极氧化时间(8～20h),反应制得管长约为6.7～19.5μm,管径约为90～110nm,管壁约为20nm的TiO2纳米管阵列。利用SEM、TEM、EDS对TiO2纳米管的形貌和化学组分进行表征。采用XRD、SAED证实TiO2纳米管阵列的结构。分析不同长度纳米管阵列紫外-可见光反射率曲线,发现较长的纳米管对可见光有更强的吸收能力。将不同长度的纳米管阵列封装成染料敏化电池(DSSC),研究纳米管长度对电池性能参数的影响。
- 沈成杨洁沈玲马忠权
- 关键词：阳极氧化TIO2纳米管阵列
- 离子束刻蚀HgCdTe成结机制分析被引量：1
- 2009年
- 根据由离子束刻蚀HgCdTepn结C-V曲线,判定其为线性缓变结;由1C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽度作为边界条件)积分计算出其电场分布、电势分布等重要结特性。并且进一步从微观理论分析讨论了离子束刻蚀HgCdTe成结机制过程。
- 何波马忠权史衍丽徐静赵磊李凤沈成沈玲
- 关键词：HGCDTE离子束刻蚀泊松方程
- 基于TiO2纳米管阵列的染料敏化太阳能电池研究
- 沈成
- 关键词：纳米管阵列阳极氧化退火I-V特性染料敏化太阳能电池
- ZnO纳米棒的制备及在染料敏化电池中的应用
- 纳米结构ZnO应用于染料敏化电池中具有其自身的优势。一方面以纳米结构ZnO自身的比表面积可以吸附大量的染料分子。吸附的染料分子越多，越有利于光吸收。同时，纳米结构ZnO，特别是具有高度取向性的有序排列的znO纳米棒，可以...
- 沈成马忠权唐星
- 关键词：纳米棒光生载流子氧化锌
- 文献传递
