游淑珍
- 作品数：8 被引量：18H指数：2
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：“上海－应用材料研究与发展”基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 硅基RF无源低通滤波器设计与实现被引量：4
- 2006年
- 无源滤波器具有功耗小、面积小,噪声小的特点,优于传统的有源滤波器,而研制高品质因子的电感和电容是研制片上无源滤波器的一个难点。文中讨论了影响电感Q值提高的因素,并将结构参数优化应用于无源滤波器的设计中。根据网络综合法设计出了一个三阶,-3dB截止频率为900MHz的低通无源滤波器,其器件参数C1,L1,C2分别为5.434pF13.252nH和5.434pF,采用ADS软件对该滤波器进行了版图参数优化设计,依据优化设计结果制备了试验样品,经测试获得了较好的工作特性。
- 李小进石艳玲游淑珍赖宗声
- 关键词：无源低通滤波器射频结构参数ADS
- 低阻硅衬底上形成的低损耗共平面波导传输线被引量：1
- 2004年
- 在厚膜多孔硅 (PS) /氧化多孔硅 (OPS)衬底上 ,结合聚酰亚胺涂层改善表面 ,研制低损耗、高性能射频 (RF) /微波 (MW)共平面波导CPW(CoplanarWaveguide) .通过在N和P型硅上形成不同厚度PS膜 ,并对其上的CPW进行分析比较 ,厚膜PS与石英的共面波导插入损耗非常接近 ,远小于在 2 0 0 0Ω·cm高阻硅上形成的多晶硅 -氧化硅组合衬底 :在 0 33GHz范围 ,插入损耗小于 5dB/ 1.2cm ;33 4 0GHz范围 ,小于 7.5dB/ 1.2cm .
- 葛羽屏郭方敏王伟明徐欣游淑珍邵丽于绍欣朱自强陆卫
- 关键词：共平面波导插入损耗传输线CPW高阻硅GH
- 低损耗微波MEMS共平面波导在低阻硅上的实现被引量：2
- 2003年
- 在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导 ,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较 .采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线 ,并通过关键的混合腐蚀技术制备了 50Ω和 1 2 0Ω两种特性阻抗的传输线 .由于腐蚀去除了信号线下方导致损耗的低阻硅衬底 ,使得传输线插入损耗、散射特性等得以改善 .实验中 ,使用矢量网络分析仪分别在微机械加工前后对传输线进行了 1GHz到 40GHz频段的参数测试 ,利用多线分析技术对测试结果进行了分析 .结果表明在微结构悬浮后共平面波导的损耗特性有了大幅度的降低 ,30GHz处插入损耗约为 7dB/cm ,较腐蚀前降低了 1 0dB/cm .
- 石艳玲忻佩胜邵丽游淑珍朱自强赖宗声
- 关键词：共平面波导插入损耗
- 一种低噪声高线性度射频前端电路设计被引量：9
- 2006年
- 介绍了超高频接收系统射频前端电路的芯片设计。从噪声匹配、线性度、阻抗匹配以及增益等方面详细讨论了集成低噪声放大器和下变频混频器的设计。电路采用硅基0.8μm B iCM O S工艺实现,经过测试,射频前端的增益约为18 dB,双边带噪声系数2.5 dB,IIP 3为+5 dBm,5 V工作电压下的消耗电流仅为3.4 mA。
- 许永生游淑珍俞惠李小进石春琦赖宗声
- 关键词：射频集成电路射频前端低噪声放大器混频器
- 无线通讯用硅基微小天线的设计与制作
- 2007年
- 采用微电子工艺在高电阻率硅片上设计和制备了一种新颖紧凑共平面波导馈电天线,并对其进行了仿真和测试,模拟和测试结果比较吻合,经过实验测试得到天线为水平和垂直双向辐射,天线的增益约为2.5dB,谐振频率约为3GHz,此天线有利于天线集成和与CMOS工艺等的兼容,并且对于无人驾驶飞机、卫星等飞行器的雷达和通讯等天线系统的设计具有参考价值。
- 郭兴龙蔡描刘蕾游淑珍赖宗声
- 关键词：集成电路工艺
- 一种带封装及ESD保护电路的低噪声放大器设计被引量：1
- 2006年
- 研究了封装以及ESD保护电路对低噪声放大器的性能影响。通过详尽推导电感负反馈共发射极低噪声放大器的输入阻抗、跨导、电压增益以及噪声系数的表达式,讨论并设计了一个应用于超高频接收芯片的低噪声放大器。芯片采用低成本的0.8μm BiCMOS工艺实现,封装形式为SOIC28。经过测量,所得到的参数与讨论及仿真值很好吻合,验证了设计以及优化方法的正确性。
- 许永生陶永刚洪亮游淑珍李小进石春琦赖宗声
- 关键词：封装效应ESD保护射频集成电路低噪声放大器
- 硅基微机械微波传输线特性阻抗的数值分析
- 2001年
- 在相似剖分有限元方法的基础上 ,结合硅基微波共平面传输线的特点 ,采用混合相似剖分技术 ,对这种长度为毫米级的悬浮传输线的特性阻抗进行了数值分析 ,主要讨论了刻蚀工艺的变化对其特性阻抗的影响。
- 石艳玲游淑珍董兴其赖宗声
- 关键词：特性阻抗硅基微波传输线
- 基于多孔硅的共平面波导制备及传输特性研究被引量：1
- 2003年
- 多孔硅被认为是RF应用领域中较有潜力的衬底材料。文章利用多孔硅作衬底,制备了微型微波共平面波导,采用多线方法计算出该波导在多孔硅上的插入损耗和有效介电常数;提出了通过多孔硅的相对介电常数来确定多孔度的方法。实验测试结果表明,在20μm多孔硅上的波导,其插入损耗在1～30GHz范围内为1～40dB/cm;而在70μm多孔硅上制备的波导,其插入损耗在整个测试频段内不超过7dB/cm。通过有效介电常数的计算,推算出实验制备的70μm多孔硅材料的多孔度约为65%。
- 游淑珍石艳玲忻佩胜朱自强赖宗声
- 关键词：多孔硅共平面波导传输特性阳极氧化插入损耗有效介电常数
