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朱自强

作品数：215 被引量：150H指数：7
供职机构：华东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 151篇专利
  • 53篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 5篇科技成果

领域

  • 47篇电子电信
  • 17篇一般工业技术
  • 6篇自动化与计算...
  • 6篇理学
  • 3篇化学工程
  • 3篇电气工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇生物学
  • 1篇医药卫生

主题

  • 77篇纳米
  • 57篇SUB
  • 47篇半导体
  • 35篇半导体材料
  • 30篇电路
  • 29篇光电
  • 26篇硅片
  • 20篇体硅
  • 20篇半导体硅
  • 19篇集成电路
  • 18篇多孔硅
  • 18篇光电子
  • 16篇电路工艺
  • 16篇微电子
  • 16篇集成电路工艺
  • 14篇单晶
  • 14篇生长温度
  • 12篇量子
  • 12篇纳米线
  • 10篇传感

机构

  • 214篇华东师范大学
  • 17篇中国科学院
  • 3篇浙江师范大学
  • 2篇常德师范学院
  • 2篇山东大学
  • 2篇上海市食品药...
  • 1篇上海建桥学院
  • 1篇武汉理工大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 215篇朱自强
  • 115篇郁可
  • 36篇赖宗声
  • 26篇郭方敏
  • 21篇忻佩胜
  • 18篇石艳玲
  • 17篇黄雁君
  • 15篇朱建中
  • 14篇茅惠兵
  • 13篇张宁
  • 13篇王青艳
  • 12篇张正犁
  • 12篇褚君浩
  • 11篇吴晋
  • 10篇倪娟
  • 10篇陆卫
  • 10篇王基庆
  • 10篇汪阳
  • 10篇王依婷
  • 9篇陈少强

传媒

  • 14篇Journa...
  • 8篇华东师范大学...
  • 4篇微电子学
  • 3篇半导体技术
  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇量子电子学报
  • 2篇电子学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇第八届敏感元...
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇化学学报
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇化学进展
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇化学传感器
  • 1篇激光与红外
  • 1篇微波学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 6篇2016
  • 8篇2015
  • 4篇2014
  • 9篇2013
  • 18篇2012
  • 20篇2011
  • 20篇2010
  • 20篇2009
  • 19篇2008
  • 14篇2007
  • 12篇2006
  • 8篇2005
  • 19篇2004
  • 23篇2003
  • 6篇2002
共 215 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅基级联式MEMS移相器
一种硅基级联式MEMS移相器，属于微电子机械和微波通讯器件技术领域。背景技术的级联式MEMS移相器，插入损耗低，移相范围大，下拉电压较高。本实用新型的硅基级联式MEMS移相器，不仅插入损耗小、移相范围大，而且下拉电压低。...
石艳玲李炜卿健赖宗声朱自强忻佩胜
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一种宏观半导体材料性能的测试装置
本发明主要涉及一种宏观半导体材料性能的测试装置，可以用于观测宏观半导体材料在真空状态下的发光现象，以及测试它们在不同气体中的气敏特性，属于材料与器件技术领域。主要包括：真空室、进气导管、出气导管、内接导线、样品放置台、进...
张宁郁可李琼朱自强黄勇崔庆月
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在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>分层棒状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>分层棒状纳米结构的半导体材料及其制备方法，所述材料包括硅片衬底和衬底表面生长的In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>晶体；...
黄雁君郁可朱自强
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一种低压发光宏观ZnO半导体单晶材料的制备方法
本发明涉及一种低压发光宏观ZnO半导体单晶材料的制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。先将宏观ZnO半导体单晶材料固定在衬底上，放入等离子体处理器的真空室，通入H<Sub>2</Sub>气体，调整真空室通气阀门，...
郁可张宁朱自强李琼王翠翠
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一种多孔硅的阴极还原表面处理技术
一种多孔硅的阴极还原表面处理技术，属半导体材料，确切说，功能信息材料的制造技术领域，包括多孔硅阴极还原表面处理工序：在腐蚀槽(2)内实施，把湿的、一个表面附有多孔硅(61)的P型单晶硅片(6)悬置于腐蚀槽(2)内，向腐蚀...
虞献文朱自强
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碳架纳米带搭载MoS<Sub>2</Sub>纳米小球纳米复合材料及其制备方法
本发明公开了一种放射状碳架纳米带搭载洋葱层状MoS<Sub>2</Sub>纳米小球纳米复合材料。所述纳米复合材料的洋葱层状MoS<Sub>2</Sub>纳米小球作为被搭载物，放射状碳架纳米带作为搭载基础骨架材料，形成稳定...
郭邦军郁可朱自强
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一种CuO棒状纳米结构及其制备方法
本发明公开了一种CuO棒状纳米结构及其制备方法。所提供的CuO棒状纳米结构在国际上是首次报道，是由多簇CuO纳米棒从衬底直接生长而成的，具有很密集的浓度，其长度为1－3μm，顶端直径为30－50nm。本发明为一种CuO纳...
徐建文郁可尚德建吴晋许玉蛾朱自强
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可变增益放大器的弱信号读出电路设计方法
本发明公开了一种可变增益放大器的弱信号读出电路设计方法，特点是该方法将传感器读出电路的弱信号经控制电路、三级可变增益电路、共模反馈电路的放大后输出可变增益放大的差分信号，电路设计包括：依据传感器的读出电路建立控制电路；建...
徐斌郭方敏朱自强褚君浩
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一种Au－ZnO二维光子晶体结构及其制备方法
本发明公开了一种Au－ZnO二维光子晶体结构及其制备方法，其晶体结构是由生长在硅片上的正六面体量子点以六角阵列排列而成，制备方法是利用在硅片上单层自组装微球的遮挡作用制备具有六角图案花样的金催化剂，然后在硅片上用热蒸发方...
吴玮朱自强郁可张正犁白丹张志
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一种ZnO纳米结构的制备方法
本发明公开了一种利用硫脲溶液刻蚀法制备ZnO纳米结构的方法，首先利用传统的热生长法合成ZnO纳米梳状结构和纳米棒，然后用硫脲溶液对其进行刻蚀，制备出ZnO纳米针管状结构和纳米带状结构。其刻蚀原理是硫脲溶于去离子水发生可逆...
白伟张秋香郁可朱自强
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