忻佩胜
- 作品数：41 被引量：77H指数：5
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 微机械微波/射频开关的制备和功能测量研究被引量：9
- 2002年
- 讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试。微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层。功能测试表明,该工艺制备的微机械开关的执行电压只有25V,优于同类微机械开关的指标,同时它具有良好的响应特性。
- 茅惠兵忻佩胜胡梅丽赖宗声
- 关键词：微机械悬臂梁共平面波导无线通信设备
- 低阻硅基厚膜聚酰亚胺上共面波导的损耗特性被引量：6
- 2003年
- 制备了一种低阻硅基厚膜聚酰亚胺上的高性能共面波导传输线 ,并从理论上分析了传输线损耗的成因及其计算方法。聚酰亚胺膜厚 1 1 .5 μm的低阻硅 (0 .5 Ω·cm)上的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为3 .5 d B/cm。然而 ,相同衬底上 ,无聚酰亚胺膜的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为 5 0 d B/cm,损耗特性明显比前者差。测试结果表明聚酰亚胺层的介入能有效地改善传输线的损耗特性 ,且损耗随着聚酰亚胺膜厚的增加而降低。
- 李炜石艳玲忻佩胜朱自强赖宗声
- 关键词：共面波导插入损耗聚酰亚胺损耗特性大规模集成电路
- 电容式MEMS开关中弹性膜应力对驱动电压的影响被引量：4
- 2003年
- 详细分析了多种参数对 MEMS电容式开关驱动电压的影响 ,包括材料选取和工艺参数变化 ,并对驱动电压理论值进行计算。利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关 ,测试结果表明采用 Al0 .96 Si0 .0 4弹性膜和厚胶牺牲层工艺能获得适中的剩余应力释放 ,微桥应力约为 10 6 N/m2 ,这为获得较低的开关驱动电压提供了可能。对长 1m m的 MEMS开关 ,当弹性膜厚为 0 .5μm,桥高为 3μm、桥宽为 30 μm、桥长为 2 50 μm时获得了 2 5V的驱动电压 ,S参数测试表明该电容式开关 1～ 4 0 GHz频段内的插入损耗低于 1d B。
- 李炜石艳玲忻佩胜朱自强赖宗声
- 关键词：驱动电压微电子机械系统
- MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法
- 一种MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法，包括14个工艺操作步骤：制备第一硅片和第二硅片；生长二氧化硅薄膜；淀积第一多晶硅层和第二多晶硅层；蚀去第二多晶硅层；去第一正胶；淀积第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜；淀积第三多...
- 赖宗声王连卫忻佩胜彭德艳李国栋汪绳武
- 文献传递
- 用于微波/毫米波段的微机械电容式开关的结构研究
- 本文论述了应用于微波和毫米波段的MEMS微机械电容开关的结构、原理及工艺流程和制作方法。执行开关动作的元件是一层薄的金属薄膜桥,根据外加偏压它有两种状态:动作或静止。当薄膜在这两种状态之间转换的时候,微波信号也在开和关之...
- 丁玲秦元菊忻佩胜茅惠兵赖宗声
- 关键词：牺牲层共平面波导
- 文献传递
- MEMS电可调光衰减器芯片的制备方法
- 一种MEMS电可调光衰减器芯片的制备方法，属微电子器件制备技术领域，包括14个工艺操作步骤：制备衬底和下电极1；生长二氧化硅薄膜2；制备凹腔22；溅射铝膜；制备牺牲层5；淀积氮化硅薄膜6；溅射铝膜7；光刻腐蚀孔4；去正胶...
- 忻佩胜朱自强赖宗声杨震李国栋彭德艳李德红张晓东汪绳武
- 文献传递
- 新型MEMS集成技术-高频开关及其功能电路集成研究
- 郭方敏赖宗声朱自强朱守正范忠朱荣锦龙永福忻佩胜杨震魏华征郑莹初建朋陈薇萍王伟明虞献文
- 该课题为华东师范大学的几个研究成果有分析和设计了由一组电容式开关和一组电感串、并联形成的相位连续可调，毫米波多位开关阵微机械移相器；研制的MEMS毫米波（开关阵列）移相器，用中国科学院上海微系统和信息技术研究所的Casc...
- 关键词：
- 关键词：MEMSRF开关移相器
- 压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜被引量：2
- 2003年
- 介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式 RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜 ,实验表明金的延展性比较好 ,弹性比铝硅合金稍差 ,启动电压较高 .相比较含硅 4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的 2 1桥压控式开关阵列——毫米波移相器的下拉电压为 2 0 V时 ,相移量可达到 3 70°/3 .5 mm以上 ( 3 5 GHz) ,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量 ,其传输损耗为 5 5～ 90°/ d B。
- 郭方敏朱自强赖宗声朱守正朱荣锦忻佩胜范忠贾铭程知群杨根庆
- 关键词：MEMS开关移相器铝硅合金
- 硅基级联式MEMS移相器
- 一种硅基级联式MEMS移相器，属于微电子机械和微波通讯器件技术领域。背景技术的级联式MEMS移相器，插入损耗低，移相范围大，下拉电压较高。本实用新型的硅基级联式MEMS移相器，不仅插入损耗小、移相范围大，而且下拉电压低。...
- 石艳玲李炜卿健赖宗声朱自强忻佩胜
- 文献传递
- 电容式MEMS开关下拉电压分析与结构优化
- 本文详细分析了多种参数对MEMS电容式开关下拉电压的影响,包括材料选取和工艺参数变化,并对下拉电压理论值进行计算.利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关,测试结果表明采用Al<,0.96>Si<,0.04>弹性...
- 李炜卿健石艳玲忻佩胜赖宗声
- 文献传递
