茅惠兵
- 作品数：49 被引量：84H指数：5
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海-AM基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 微机械光调制器的制备及其在不同激励条件下的响应研究被引量：4
- 2002年
- 本文主要讨论了具有机械式抗反射开关 (即MARS)结构的新型微机械光调制器 .MARS结构光调制器由表面微机械工艺制备 .测量结果表明 ,微机械光调制器有一系列的固有频率 .当器件被正弦信号激励时 ,其响应信号也是正弦信号 .当器件被方波信号激励时 ,响应信号和激励频率有关 .当激励方波频率远低于器件固有频率时 ,器件响应实际上是对上下两个阶跃信号的响应 :出现明显的阻尼振荡效应 .当激励频率在固有频率附近时 ,器件实际只对方波的基频效应
- 茅惠兵忻佩胜柯菁华赖宗声
- 关键词：微电子机械系统光调制器
- GaAs/AlGaAs Fibonacci准周期超晶格带间跃迁的光谱研究
- 1995年
- 运用光致荧光,光调制反射和光电流谱等方法研究了11级的GaAs/AlGaAS Fibonacci准周期超晶格的带间跃迁,并用转移矩阵方法计算了Fibonacci准周期超晶格和相应的周期性超晶格的子能级和子能带.理论计算与实验结果符合得很好.
- 茅惠兵陆卫马朝晖张家明姜山沈学础
- 关键词：砷化镓ALGAAS光谱超晶格带间跃迁
- 微机电光调制器技术研究
- 2000年
- 调制器是光纤系统的重要器件。硅基微机械光调制技术使用常规硅平面工艺方法 ,制作较为简单 ,成本较低。同时 ,又具有高数据速率 (几Mb/s)和宽频带( 1 3μm～ 1 5 μm)性能 ,满足日益增长的波分复用 (WDM )全光网络发展的需要。讨论了有关硅基微机械式光调技术的基本原理和一些相关的制作方法 。
- 柯菁华茅惠兵张杰伟赖宗声郑筱莉
- 关键词：微机械系统光调制器波分复用
- 用模板法制备硫化锌量子线的方法
- 一种用模板法制备硫化锌量子线的方法，先用阳极氧化方法在铝基片的两面依次形成阻挡层和含微孔阵列的氧化铝层，阻挡层是不含微孔阵列的氧化铝层，微孔的孔径大小为8～15nm，再将铝基片夹持在去铝基夹具中去除铝基片一面的中心部分上...
- 王继强茅惠兵王基庆朱自强
- 文献传递
- 极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制被引量：1
- 2007年
- 采用传输矩阵方法分析极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/AlxGa1-xN量子阱居里温度(TC)的调制作用.通过解薛定谔方程计算出在不同的内建电场条件下半导体量子阱局域态内的基态空穴能级和波函数分布情况,并在此基础上确定量子阱内Mnδ掺杂情况下TC随内建电场的变化趋势,分析了不同量子阱结构引起的内建电场分布变化及其对TC的影响.在耦合双量子阱中通过调节左右阱的不对称性可以得到TC近3倍的增长.
- 申晔邢怀中俞建国吕斌茅惠兵王基庆
- 关键词：GAN内建电场居里温度
- 硅基微机械光调制器芯片的制备方法
- 一种硅基微机械光调制器芯片的制备方法，包括硅片准备和磷扩散；制备牺牲层二氧化硅薄膜；制备氮化硅薄膜；蒸铝膜；负胶光刻并腐蚀铝膜；反应离子刻蚀氮化硅薄膜；去除铝膜；腐蚀牺牲层二氧化硅薄膜；正胶光刻；制备复合金属膜；完成电极...
- 茅惠兵王基庆赖宗声忻佩胜王力
- 文献传递
- 微机电微波/射频开关的力学分析及其工艺研究被引量：9
- 2003年
- 文章主要讨论了微机电微波/射频开关的原理、制备工艺和特性测试。微机电接触式微波/射频开关的关键结构是悬臂梁,当控制电压大于吸合电压时,悬臂梁发生吸合,使开关导通。考虑到微机电制备工艺的兼容性,选择PECVD生长的氮化硅作悬臂梁,聚酰亚胺作牺牲层。测试结果表明,研制的微机电开关在0.5～5GHz的范围内插入损耗为2dB,隔离度达30～50dB。
- 茅惠兵忻佩胜胡梅丽赖宗声
- 关键词：射频开关共平面波导插入损耗隔离度
- 周期性二氧化钛纳米线的制备方法
- 一种周期性二氧化钛纳米线的制备方法，确切说，涉及用模板法制备周期性二氧化钛纳米线的方法，属于纳米材料制备的技术领域。背景技术以金属无机盐和金属氧化物为原料，运用溶剂热法制备出单晶二氧化钛纳米线，该法中所需药品量及溶剂量较...
- 侯士丽茅惠兵王基庆朱自强俞建国
- 文献传递
- GaAs分子束外延生长的MonteCarlo模拟被引量：1
- 1994年
- 用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟了ＧａＡｓ（００１）面的邻晶面上的分子束外延的生长过程，模拟的基本模型是常用的ＳＯＳ模型，结果显示在Ａ类邻晶面上二维成核模式起主委作用，但在Ｂ类邻晶面低温下是二维成核模式起主要作用，但在高温下台阶成核模式成了主要的成核模式．另外在高温和低温下都存在成核原子数的饱和现象．
- 茅惠兵陆卫马朝晖刘兴权沈学础
- 关键词：砷化镓分子束外延蒙特卡罗模拟
- GaAs/InGaAs量子点探测器件微光读出研究被引量：1
- 2012年
- GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4 V时,测得响应电流8.9×10-9A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90%。基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具有稳定的电压偏置,高注入效率和低噪声特点的CTIA(电容互阻跨导放大器)作为列放大器读出结构,输出部分采用相关双采样(CDS)结构去除系统和背景噪声。实验结果表明,在3.5 nW的微光辐射下,器件偏压为-2.5 V时,50μm×50μm像素探测器与读出电路互联后有7.14×107V/W的电压响应率。
- 尤虎郭方敏朱晟伟越方禹范梁茅惠兵
- 关键词：量子点量子效率
