王大海
- 作品数：3 被引量：12H指数：2
- 供职机构：北方液晶工程研究开发中心更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划吉林省杰出青年科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究被引量：6
- 2000年
- 利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。采用 XRD、Raman、SEM和 XPS等手段研究了 Ni-MIC多晶硅薄膜的特性 ,分析了薄膜结构和组成 ,讨论了晶化过程的机理。
- 刘传珍杨柏梁杨柏梁张玉张玉李牧菊吴渊廖燕平廖燕平黄锡珉
- 关键词：晶化多晶硅薄膜退火
- TFT阵列金属电极的制备与性能被引量：4
- 2000年
- 利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响 ,得到了制作 TFT器件中优质金属电极的工艺参数。
- 王大海杨柏梁吴渊刘传珍李牧菊李轶华张玉廖燕平
- 关键词：磁控溅射金属薄膜金属电极
- 多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀被引量：2
- 2002年
- 对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究 ,给出了Ta、p Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率 ,通过工艺参数的优化 ,使薄膜间的选择比在 2～ 2 0可选择 ;并通过气体掺杂 ,实现了SiNx 对 p Si的选择比从 - 1到
- 王大海李轶华孙艳吴渊陈国军付国柱荆海万春明
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管刻蚀速率选择比有源矩阵液晶显示器
