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廖燕平

作品数：3 被引量：10H指数：2
供职机构：北方液晶工程研究开发中心更多>>
发文基金：“九五”国家科技攻关计划吉林省杰出青年科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇硅薄膜
  • 1篇电极
  • 1篇多晶硅薄膜晶...
  • 1篇栅绝缘层
  • 1篇阵列
  • 1篇态密度
  • 1篇退火
  • 1篇界面态
  • 1篇界面态密度
  • 1篇金属
  • 1篇金属薄膜
  • 1篇金属电极
  • 1篇晶化
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘层
  • 1篇激光
  • 1篇激光器

机构

  • 3篇北方液晶工程...
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 3篇廖燕平
  • 2篇王大海
  • 2篇李牧菊
  • 2篇吴渊
  • 2篇张玉
  • 2篇杨柏梁
  • 1篇付国柱
  • 1篇杨柏梁
  • 1篇邱法斌
  • 1篇邵喜斌
  • 1篇张玉
  • 1篇齐晓微
  • 1篇黄锡珉
  • 1篇廖燕平
  • 1篇荆海
  • 1篇刘传珍
  • 1篇骆文生

传媒

  • 2篇液晶与显示

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究被引量：6
2000年
利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。采用 XRD、Raman、SEM和 XPS等手段研究了 Ni-MIC多晶硅薄膜的特性 ,分析了薄膜结构和组成 ,讨论了晶化过程的机理。
刘传珍杨柏梁杨柏梁张玉张玉李牧菊吴渊廖燕平廖燕平黄锡珉
关键词：晶化多晶硅薄膜退火
激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法
一种属于半导体材料技术领域的激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法，首先将生长厚度为150nm的非晶硅(a－Si)薄膜放入真空室内进行脱氢处理，经过脱氢处理后的样品放入样品室，在有氧气的条件下，利用准分子激光器发出能...
骆文生付国柱荆海邵喜斌廖燕平齐晓微
文献传递
TFT阵列金属电极的制备与性能被引量：4
2000年
利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响 ,得到了制作 TFT器件中优质金属电极的工艺参数。
王大海杨柏梁吴渊刘传珍李牧菊李轶华张玉廖燕平
关键词：磁控溅射金属薄膜金属电极
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