王茹
- 作品数：16 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- SOI器件总剂量辐射效应研究进展
- 绝缘体上的硅(Silicon on Insulator,SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构,成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在,使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中...
- 俞文杰张正选田浩王茹毕大伟陈明张帅刘张李
- 文献传递
- 注硅对SIMOX材料性能影响的研究
- 2007年
- 首先采用注硅的方法改进sIMOx（注氧隔离）SOI（绝缘体上硅）材料，对硅注入在SIMOX材料的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述。并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析。最后，对利用注硅改进的SIMOX材料制备的MOSFET的辐射特性进行了报道。
- 贺威张正选田浩杨惠俞文杰王茹陈明王曦
- 关键词：离子注入SIMOX绝缘体上硅总剂量辐射效应
- 部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态。随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率。模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因。
- 俞文杰张正选张恩霞钱聪贺威田浩陈明王茹
- 关键词：SOI总剂量辐射
- SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与^(60) Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对
- 2007年
- 利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管,并在ON偏置条件下分别对其进行了10keV X射线及^(60)Coγ射线总剂量辐照实验。实验结果表明,在两种辐射条件下NMOS晶体管的背栅阈值电压漂移量都会随着辐照剂量的升高而趋于饱和。实验分析并研究了这种现象的机理,并发现在较低的辐照剂量下^(60)Coγ射线造成的背栅阈值电压漂移量较大,但在高剂量条件下X射线造成的漂移量将超过^(60)Coγ射线。
- 田浩张正选张恩霞贺威俞文杰王茹
- 关键词：注氧隔离总剂量辐射效应MOS晶体管
- 浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展
- 本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论,主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出:总剂量辐射效应对浮栅存储器的影响主要是在隧道氧化层、栅之间的绝缘层中产生电荷,引起浮栅上电荷的变化。
- 刘张李张正选毕大炜张帅田浩俞文杰陈明王茹
- 关键词：控制电路总剂量辐射效应
- 文献传递
- 部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系(英文)
- 2007年
- 实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立,它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程.模拟结果与实验结果相符,解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.
- 俞文杰王茹张正选钱聪贺威田浩陈明
- 关键词：总剂量辐射
- 硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固被引量：2
- 2011年
- 本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力。
- 王茹张正选俞文杰毕大炜陈明刘张李宁冰旭
- 关键词：绝缘体上硅注氧隔离总剂量辐照纳米晶
- 利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能(英文)
- 研究采用硅离子注入及高温退火的方法对 SOI 材料进行抗辐射加固．通过对比发现,制作在加固 SOI 衬底上的 NMOS 器件和 CMOS 反相器在总剂量辐射下性能恶化程度大大降低．陷阱电荷和界面电荷的分析解释了加固机理．...
- 俞文杰张正选贺威田浩陈明王茹毕大炜
- 关键词：总剂量辐射离子注入
- 文献传递
- 一种应用于部分耗尽型SOI SRAM的高速低功耗TTL与CMOS接口电路
- 介绍了一种新型分离自偏置TTL与CMOS接口电路。该电路具有高速、低功耗的优点，且其逻辑阈值电压对于工艺和电源电压的变化均不敏感，因而非常适宜应用于受电源噪声影响较大的SOI静态随机存取存储器电路中。
- 田浩张正选张恩霞贺威俞文杰王茹陈明
- 关键词：接口电路阈值电压
- 总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布
- 2007年
- 通过对载流子扩散机理的研究，由数学公式的推导，得到陷阱电荷分布随电场变化的函数关系。将由medici模拟得到的3种偏置下SOI的NMOS管埋氧层中的电场分布的数据代入方程式，得到总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷的分布。得到的数据较好地解释了实验结果。
- 王茹张正选俞文杰贺威田浩陈明
- 关键词：总剂量辐射SOI电场分布
