甘润今
- 作品数：27 被引量：43H指数：3
- 供职机构：北京机械工业学校更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 短周期超晶格AlP/GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁
- 1997年
- 介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率。
- 张福甲王德明孟雄晖刘凤敏甘润今
- 关键词：光跃迁半导体超晶格
- Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料
- 1995年
- Ｌｐ─ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＡｌＡｓ量子阱结构材料崔敬忠，甘润今，陈光华，张仿清（兰州大学物理学系，兰州７３００００）杨树人，刘宝林，陈伯军，刘式墉（国家集成光电子学联合实验室，吉林大学实验区，长春１３００２３）与ＩｎＰ匹配的Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ...
- 崔敬忠甘润今陈光华张仿清杨树人刘宝林陈伯军刘式墉
- 关键词：量子电子学
- 电子束蒸发a-Si_(1-x)Cr_x薄膜的ESR研究
- 1993年
- 本文报导对电子束蒸发的 a-Si_(1-x)Cr_x 薄膜的 ESR 研完结果.实验结果表明,随掺 Cr 组分 X 的变化,薄膜的各个 ESR 特性参数都发生变化:(2.0034±0.0001)≤g≤(2.0052±0.0001).线型因子1为(2.14±0.01)≤1≤(3.57±0.01),峰峰宽△Bpp 为(6.20±0.05)G≤△Bpp≤(8.70±0.05)G.基于这些实验结果,我们采用 S.E.Barnes 的 ESR 动力理论对结果进行了分析讨论,揭示出 Cr 原子对 a-Si 薄膜悬挂键的补偿,Cr 原子的3d 局域自旋磁矩与传导电子的交换互作用是使 ESR 参数变化的原因.
- 甘润今陈光华张津燕张仿清
- 关键词：电子自旋共振电子束蒸发法
- Si纳米晶SiO_2复合薄膜的光吸收特性研究被引量：3
- 2002年
- 为研究Si纳米晶粒的平均尺度与复合薄膜光吸收特性的关系 ,在研究了电学特性的基础上 ,研究了该类复合薄膜的光吸收特性。实验表明 ,复合薄膜的光吸收特性与薄膜的热处理温度有很强的对应关系。 6 50℃热处理的样品显示出最大的电导和较强的PL吸收峰 (峰位为 2 .1 0ev) ,此时光吸收系数达到最大值。
- 刘凤敏奇王利甘润今
- 关键词：光吸收激活能纳米晶二氧化硅复合膜
- 锗 -二氧化硅复合薄膜的光电特性(英文)
- 2000年
- 采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ge SiO2 复合薄膜 ,然后在真空气氛中进行热处理。利拉曼散射、X射线衍射、UV/VIS/NIR透射和反射谱、变温电导测试等手段对薄膜的光、电特性进行了研究。实验结果表明 ,用热处理的方法可以在薄膜中形成Ge纳米颗粒 ,Ge纳米颗粒的平均尺度约 5 .0nm时 ,薄膜的光学带宽约 1.42ev ,电导激活能的最小值约 0 .43ev。
- 甘润今
- 埋入SiO_2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质被引量：1
- 1998年
- 研究了埋入ＳｉＯ２薄膜中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微晶的电学性质与温度的关系。结合对光致发光（ＰＬ）的测量、电导激活能、电导与发光强度和峰位关系的测量发现，当测量温度高于６０℃时，埋入ＳｉＯ２膜中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微结构具有半导体导电规律，尽管Ｃ／ＳｉＯ２复合膜在室温至６０℃之间表现出金属导电性质。对电导和ＰＬ机制进行了讨论。
- 王印月杨映虎孙燕杰龚恒祥郭永平刘凤敏甘润今
- 关键词：微晶退火电导光致发光
- 电子束蒸发a-Si_(1-x)Gd_x薄膜的光吸收
- 1992年
- 研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％
- 甘润今张仿清张津燕刘国汉陈光华
- 关键词：光吸收非晶硅薄膜光学带隙
- 掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的ESR和光电特性的研究
- 1991年
- 本文对用电子束蒸发法制备的a-Si:Co薄膜的ESR和光学特性进行了研究.对样品的ESR信号、光学带隙和室温电导率随杂质浓度的变化关系进行了测量.结果表明,Co原子在a-Si:Co薄膜中形成受主中心,并伴随着对悬挂键的补偿;当杂质浓度小于3％时,光学带隙、自旋态密度和峰峰宽度基本不变,当杂质浓度大于3％时,随着Co含量的增加,光学带隙、自旋态密度减小,室温电导率和峰峰宽增大.本文对上述结果进行了分析和讨论.
- 陈光华张津燕甘润今张仿清
- 关键词：非晶硅薄膜ESR光电
- 电子束蒸发a-Si_(1-x)Nd_x薄膜的ESR研究被引量：1
- 1992年
- 研究了电子束蒸发a-Si_(1-x)Nd_x的薄膜的ESR参数g因子、线型因子l,峰—峰线宽△Bpp、自旋密度Ns随组分x变化的特性.基于这类薄膜的光吸收和电导特性,应用带Nd背键的悬挂键模型分析讨论了这些变化特性的物理原因.
- 甘润今张津燕陈光华
- 关键词：电子自旋共振稀土族
- 电子束蒸发a－Si_（1－x）Cr_x薄膜的电导特性研究
- 1994年
- 本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ_（１－ｘ）Ｃｒ_ｘ的变温电导特性。实验结果表明，ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０－７增大到７．２×１０－１Ω－１·ｃｍ－１；在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电，Ｃｒ３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ引人的结构无序是决定薄膜电导特性的主要因素。
- 甘润今陈光华
- 关键词：非晶硅薄膜电子束蒸发
