张仿清
- 作品数：56 被引量：48H指数：4
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 化学汽相淀积(CVD)法合成金刚石薄膜的ESR研究
- 1前言和自然金刚石一样,用化学汽相淀积法合成的金刚石簿膜有许多优越的物理性质,如宽带隙,高硬度、高热导、高电子和空穴迁移率等;特别是掺杂后可成为高性能半导体材料。但合成过程中膜内产生的大量缺陷限制了它作为半导体材料的应用...
- 张文军吴全忠张仿清陈光华
- 文献传递
- 非晶硅太阳电池稳定性研究
- 1996年
- 报导对非晶硅太阳电池长期跟踪测量的结果，并对提高太阳电池稳定性进行了讨论．
- 王印月杨映虎姜永波张仿清陈光华王思礼
- 关键词：非晶硅稳定性太阳能电池
- 非晶态硅基合金膜电子自旋共振(ESR)波形的不对称性
- 1990年
- 本文首次系统地研究了非晶硅基合金膜的 ESR 共振波形,其中包括掺杂、光照、退火及测试温度等因素对 ESR 波形的影响。初步讨论了 ESR 波形不对称性的起因以及影响 ESR 波形的各种因素。实验结果表明:自旋中心所处的不同化学环境是导致 ESR 波形变化的主要原因。
- 陈光华孙国胜张仿清
- 关键词：电子自旋共振
- 立方氮化硼薄膜的织构生长被引量：3
- 1995年
- 立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高的热导率外,还具有一些优于金刚石的性质,如比金刚石高的热稳定性和化学稳定性,容易实现p型和n型掺杂(而金刚石的n型掺杂国际上至今尚未实现),与Si,GaAs更接近的热膨胀系数.因此,C-BN在力学、光学、热学、电子学等方面有着极其广泛的应用前景.其中最为诱人的前景是在电子学方面,首先作为一种易于p型,n型掺杂的宽带隙半导体材料,它可以应用于高温、高频、大功率。
- 陈光华郭永平张仿清宋志忠
- 关键词：立方氮化硼氮化硼
- 电子束蒸发a-Si_(1-x)Gd_x薄膜的光吸收
- 1992年
- 研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％
- 甘润今张仿清张津燕刘国汉陈光华
- 关键词：光吸收非晶硅薄膜光学带隙
- a-Si∶H/a-Ge∶H超晶格的界面特性研究
- 1992年
- 本文用红外(IR)和拉曼(Raman)谱研究了反应溅射 a-Si∶H/a-Ge∶H 超晶格的界面特性.定量分析发现,界面处没有因应力释放引起的 H 富集,不存在由超晶格结构引起的界面结构无序,界面处存在着～(5±2)(?)的 Si、Ge 组分混合层.我们对结果进行了初步分析.
- 王印月许怀哲张仿清
- 关键词：超晶格拉曼谱半导体
- 氢化非晶锗碳薄膜中的自旋缺陷态
- 1992年
- 本文应用原位电子自旋共振(ESR)技术研究了射频反应溅射法制备的氢化非晶锗碳(a-Ge_(1-x)C_x:H)薄膜中自旋缺陷态的种类、密度、温度依赖关系和热力学动态行为。在分解ESR谱的过程中,发现了它的不对称成分,并对此进行了定量分析和微观机理的探讨。
- 陈光华于工张仿清吴天喜
- 关键词：氢化
- 反应溅射α-ＧｅＮ＃-[ｘ]：Ｈ薄膜的喇曼和电子自旋共振谱
- 陈光华张仿清贾炜
- 关键词：溅射电子自旋共振
- a－Si：H／a－SiC＿x：H超晶格的界面特性
- 1994年
- 报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０￣（１１）ｃｍ￣（－２）。
- 陈光华郭永平姚江宏宋志忠张仿清
- 关键词：氢化非晶硅超晶格
- 溅射a-GeN_x和a-GeN_x:H薄膜的制备及光电特性的研究被引量：2
- 1989年
- 本文报道了应用射频反应溅射法制备a-GeN_x和a-GeN_x:H薄膜的工艺条件及其基本的光电特性,并报道了它的IR和Raman特性,讨论了掺氮对a-GeN_x:H膜带尾态ΔE,IR谱及Raman谱的影响。
- 陈光华张仿清崔敬忠
- 关键词：非晶半导体光电特性
