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程鹏

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：金属学及工艺电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇锑化铟
  • 7篇晶片
  • 4篇倒角
  • 4篇探测器
  • 4篇探测器材料
  • 4篇红外
  • 4篇红外探测
  • 4篇红外探测器
  • 4篇红外探测器材...
  • 3篇双色红外
  • 3篇波长
  • 3篇波长范围
  • 2篇研磨工艺
  • 2篇氧化层
  • 2篇样片
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇砂轮
  • 2篇生长温度
  • 2篇势垒

机构

  • 14篇中国电子科技...

作者

  • 14篇程鹏
  • 6篇刘铭
  • 6篇赵超
  • 4篇陈元瑞
  • 4篇邢伟荣
  • 3篇王经纬
  • 3篇巩锋
  • 2篇程波
  • 2篇王森林
  • 2篇王志芳
  • 2篇王燕华
  • 2篇李海燕
  • 1篇尚林涛
  • 1篇周朋

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2011
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种锑化铟晶片化学抛光方法
本发明提出了一种锑化铟晶片化学抛光方法。其中，机械化学抛光完成后，将粘结有锑化铟晶片的抛光盘倒置于盛有0.005％～10％的溴甲醇化学抛光液的抛光槽内，使得所述锑化铟晶片的表面朝向所述抛光槽的底部并且所述锑化铟晶片浸没于...
赵超程鹏
文献传递
离子注入层载流子浓度测试方法
本发明公开了一种离子注入层载流子浓度测试方法。该方法包括步骤1，将样片固定到样片架上，对样片进行霍尔测试，获取样片的霍尔数据；步骤2，将样片从样片架上取下，进行离子注入、退火、以及清洗操作，测量样片的厚度，并重新将样片固...
李海燕亢喆程鹏
文献传递
一种锑化铟晶片的磨削方法
本发明公开了一种锑化铟晶片的磨削方法，所述方法包括以下步骤：对待加工的锑化铟晶片进行图像预采集识别，获得所述锑化铟晶片的中心位置数据；根据所述锑化铟晶片的中心位置数据，设置磨削参数；使所述锑化铟晶片纵向运动，且纵向运动过...
王志芳王燕华程波陈元瑞程鹏王森林
一种对InSb进行割圆倒角的装置
本发明公开了一种对InSb进行割圆倒角的装置，本发明主要用于非规则形状的InSb晶圆的制备工艺中，解决InSb单晶晶锭利用率低的问题。通过采用新型的割圆倒角工艺，可以使InSb单晶晶锭在切割成晶片以后再进行割圆，并在同一...
赵超陈元瑞程鹏
文献传递
双色红外探测器材料
本实用新型公开了一种双色红外探测器材料，该双色红外探测器材料依次包括：InSb衬底、In<Sub>1-x1</Sub>Al<Sub>x1</Sub>Sb下电极层、In<Sub>1-x1</Sub>Al<Sub>x1</S...
刘铭巩锋程鹏王经纬邢伟荣
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一种锑化铟晶片化学抛光方法
本发明提出了一种锑化铟晶片化学抛光方法。其中，机械化学抛光完成后，将粘结有锑化铟晶片的抛光盘倒置于盛有0.005％～10％的溴甲醇化学抛光液的抛光槽内，使得所述锑化铟晶片的表面朝向所述抛光槽的底部并且所述锑化铟晶片浸没于...
赵超程鹏
一种对InSb进行割圆倒角的装置
本发明公开了一种对InSb进行割圆倒角的装置，本发明主要用于非规则形状的InSb晶圆的制备工艺中，解决InSb单晶晶锭利用率低的问题。通过采用新型的割圆倒角工艺，可以使InSb单晶晶锭在切割成晶片以后再进行割圆，并在同一...
赵超陈元瑞程鹏
一种红外探测器材料及其制备方法
本发明提供一种红外探测器材料及其制备方法，用以解决现有技术中降低锑化铟材料暗电流较为困难的问题。该方法包括：根据响应波长的范围，设定铟铝锑层中铝组分的参数、厚度、异质结的排布的参数；制作锑化铟衬底；根据设定的参数生长锑化...
刘铭程鹏周朋尚林涛邢伟荣
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双色红外探测器材料及其制备方法
本发明公开了一种双色红外探测器材料及其制备方法，包括：对锑化铟晶体进行预处理，所述锑化铟为InSb，得到外延级的InSb衬底；根据响应波长范围设定铟铝锑中的Al组分的参数，所述铟铝锑为InAlSb，并在外延级的InSb衬...
刘铭巩锋程鹏王经纬邢伟荣
文献传递
离子注入层载流子浓度测试方法
本发明公开了一种离子注入层载流子浓度测试方法。该方法包括步骤1，将样片固定到样片架上，对样片进行霍尔测试，获取样片的霍尔数据；步骤2，将样片从样片架上取下，进行离子注入、退火、以及清洗操作，测量样片的厚度，并重新将样片固...
李海燕亢喆程鹏
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