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胡永恒

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:深圳大学更多>>

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇热膨胀
  • 4篇热膨胀系数
  • 2篇散热
  • 2篇散热装置
  • 2篇金属基板
  • 2篇缓冲层
  • 2篇基板
  • 2篇键合
  • 2篇过渡层
  • 2篇发光体
  • 2篇附着力
  • 2篇LED光源
  • 2篇LED芯片
  • 2篇成品率

机构

  • 4篇深圳大学

作者

  • 4篇柴广跃
  • 4篇胡永恒
  • 4篇刘文
  • 4篇冯丹华
  • 4篇徐健
  • 2篇张菲菲
  • 2篇廖世东
  • 2篇李耀东

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
具有散热装置的LED光源
本发明公开了一种LED光源,包括散热装置、LED芯片以及电极层,散热装置包括基板、第一过渡层和类金刚石层,第一过渡层附着于基板和类金刚石层之间,其中,第一过渡层与基板和类金刚石层之间产生的附着力均大于基板与类金刚石层相互...
柴广跃徐健刘文李倩珊冯丹华廖世东许文钦胡永恒章锐华熊龙杰
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具有散热装置的LED光源
本发明公开了一种LED光源,包括散热装置、LED芯片以及电极层,散热装置包括基板、第一过渡层和类金刚石层,第一过渡层附着于基板和类金刚石层之间,其中,第一过渡层与基板和类金刚石层之间产生的附着力均大于基板与类金刚石层相互...
柴广跃徐健刘文李倩珊冯丹华廖世东许文钦胡永恒章锐华熊龙杰
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LED芯片及LED芯片的制造方法
本发明公开了一种LED芯片及LED芯片的制造方法,LED芯片包括外延发光体、导热基板和导热缓冲层,导热缓冲层设置于导热基板的一侧,外延发光体键合至导热缓冲层,导热缓冲层的平均热膨胀系数介于导热基板和外延发光体之间。通过上...
柴广跃冯丹华刘文李倩珊徐健阚皞胡永恒张菲菲李耀东
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LED芯片及LED芯片的制造方法
本发明公开了一种LED芯片及LED芯片的制造方法,LED芯片包括外延发光体、导热基板和导热缓冲层,导热缓冲层设置于导热基板的一侧,外延发光体键合至导热缓冲层,导热缓冲层的平均热膨胀系数介于导热基板和外延发光体之间。通过上...
柴广跃冯丹华刘文李倩珊徐健阚皞胡永恒张菲菲李耀东
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共1页<1>
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