蔡宏琨
- 作品数：84 被引量：62H指数：5
- 供职机构：南开大学更多>>
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- 相关领域：电气工程电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
- 一种全无机钙钛矿量子点光转换器件的制备方法
- 本发明提供了一种全无机钙钛矿量子点光转换器件的制备方法及全无机钙钛矿量子点光转换器件，涉及量子点光伏和发光显示技术领域，解决了现有技术中荧光粉、长余辉发光材料等光致发光材料需要外部高能量激发光源、发光效率偏低，以及发光二...
- 倪牮王汝峰关佳易杨志炜王俊杰刘玮李娟蔡宏琨张建军
- P型微晶硅薄膜材料性能的研究被引量：3
- 2006年
- 本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化。采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为2.0%时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为1.5%时,硼的掺杂效率最大,同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象。
- 蔡宏琨张德贤冯凯齐龙茵王雅欣孙云
- 关键词：太阳电池微晶硅非晶硅
- 一种基于无机半导体电子传输材料的钙钛矿太阳电池及其制备方法
- 本发明涉及将光转化为电能的光伏器件，特指无机半导体电子传输材料的钙钛矿太阳电池，所述方法包括：在透明导电玻璃上沉积非晶硅薄膜材料，然后旋涂PCBM界面修饰层，之后旋涂钙钛矿吸光材料，之后旋涂Spiro‑OMeTAD材料作...
- 蔡宏琨邢志雪张建军倪牮杜阳阳褚银焕
- 文献传递
- 不同功率制备窗口层对p型单晶硅衬底异质结电池的影响
- 质结电池中,窗口层的制备是非常关键的一步.功率对PECVD法制备窗口层材料有重要影响.本文使用不同功率制备窗口层材料,将其应用到p型衬底硅异质结电池中,观察不同功率窗口层对最终电池各项参数的影响,并最终确定适合的窗口层沉...
- 苏超张德贤蔡宏琨于倩吴限量胡楠
- 关键词：功率控制
- 柔性衬底硅基太阳电池ZAO透明导电膜的研究被引量：2
- 2012年
- 采用孪生对靶直流磁控溅射的方法,在室温下制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜材料,将其应用于柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的窗口电极。通过调整Ar气流量(1.67×10-7 m3/s～8.33×10-7 m3/s),优化了ZAO薄膜的结构、成份及光电性能。得到如下结论:理想的Ar气流量为3.33×10-7 m3/s,此时ZAO薄膜具有较高的晶化率和C轴择优取向,薄膜的霍尔电阻率达为4.26×10-4Ω.cm,载流子浓度达到1.8×1021cm-3,可见光波长范围内的光学透过率达到85%以上。将优化后的ZAO薄膜用于柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的窗口电极,转化效率达到了4.26%。
- 王雅欣裴志军王爽李彤张军徐建萍蔡宏琨张德贤
- 关键词：柔性衬底磁控溅射ZAO薄膜
- 柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法
- 本发明涉及柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法，它是金属镍层或金属钛层，阻挡层的厚度为30－50nm。柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层可以防止背电极金属铝在制备电池的过程中扩散进入电池主体，在背电极与电池硅基薄膜之间制备一层...
- 张德贤蔡宏琨冯凯齐龙茵张晓赵飞李胜林
- 文献传递
- I/P界面处理对＜NIP＞非晶硅基薄膜太阳电池性能的影响
- 本文研究了在聚酰亚胺柔性衬底上采用等离子体增强化学气相沉积法制备〈NIP〉非晶硅基薄膜太阳电池。在稳定各层材料沉积工艺的条件下,仅调整I/P界面的处理方式,研究其对太阳电池性能的影响。实验表明,合理的界面处理方式,可以使...
- 宁豪张德贤冯凯窦伟山蔡宏琨王雅欣
- 关键词：聚酰亚胺太阳电池
- 一种宽光谱吸收介孔量子点并联叠层太阳电池的制备方法
- 本发明公开了一种宽光谱吸收介孔量子点并联叠层太阳电池的制备方法，所述方法包括：在导电玻璃上以大颗粒介孔二氧化钛作为电子传输层，并将其作为作为通过热注入合成多种量子点吸光层的支架；在吸光层材料上沉积空穴传输层；在空穴传输层...
- 倪牮关佳易王锦林胡明浩李俊刘玮张建军蔡宏琨李娟
- PECVD法制备微晶硅薄膜的研究
- 2004年
- 对等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备的微晶硅(μc-Si)薄膜的电导率、光学带隙和晶化率随温度和功率的变化规律进行了研究.从拉曼谱中可以明显看出,随着功率的增大,N型材料的非晶肩逐渐减小,材料的晶化率增大.随着温度的升高,P型材料的暗电导率和激活能都是先升高后降低.
- 蔡宏琨郝延明张德贤林列
- 关键词：太阳电池微晶硅电导率光学带隙
- 衬底温度对共蒸发制备GaSb多晶薄膜性质的影响被引量：2
- 2011年
- 采用共蒸发的方法在玻璃衬底上制备出GaSb多晶薄膜材料。研究了薄膜生长速率与衬底温度、Ga源温度和Sb源温度的关系。通过XRD、UV-Vis、Hall效应和AFM等测试方法,研究了衬底温度对于GaSb薄膜的结构特性、光电性质以及表面形貌的影响。GaSb多晶薄膜具有(111)择优取向,薄膜的吸收系数达到105cm-1,晶粒尺寸随衬底温度升高逐渐增大;衬底温度为540℃时,薄膜的迁移率达到127 cm2/V.s,空穴浓度为3×1017 cm-3。
- 隋妍萍阮建明李涛蔡宏琨何炜瑜张德贤
- 关键词：衬底温度
