蔡田海
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家科技攻关计划更多>>
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- NTD氢区熔单晶硅退火行为研究
- 本文对NTD单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用HALL电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律;利用红外吸收技术测量了不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨。实验证...
- 王启元林兰英王建华邓惠芳蔡田海郁元桓
- 关键词：单晶硅辐照缺陷退火
- 文献传递
- CMOS硅外延片质量改进及与器件关系
- 林兰英郁元桓蔡田海昝育德王启元
- 一、成果内容简介；关键技术、技术经济指标：与体硅工艺相比，CMOS硅外延具有良好的抗闭锁性能及更完整的硅表面，因而它对亚微米集成电路的开发具有重要意义。该项研究为φ102毫米(4in)低阻(0.01-0.02Ωcm)硅衬...
- 关键词：
- 关键词：互补型金属氧化物半导体硅外延片半导体工艺半导体器件
- 单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用被引量：2
- 2002年
- 对 NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火 ,采用 Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律 .利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及 NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化 ,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨 .实验证实 NTD氢区熔单晶硅在 15 0～ 6 5 0℃范围内等时退火具有显著特点 :在 5 0 0℃下退火 ,出现电阻率极小值 ,即出现浓度很高的过量浅施主 ;P型向 N型转变温度为 4 0 0℃ ,迁移率恢复温度为 5 0 0℃ ,载流子恢复温度为 6 0 0℃ ,均明显低于 NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度 。
- 王启元林兰英王建华邓惠芳谭利文王俊蔡田海郁元桓
- 关键词：中子辐照退火辐照缺陷单晶硅氢
- 单晶硅中与氢有关的红外吸收光谱分析
- 氢显著影响单晶硅的电学性能和机械强度,晶态硅中氢行为的深入研究正日益受到人们的关注。本文采用氢气氛区熔工艺制备了两种含氢单晶硅:（1）多晶硅作原料在纯氢气区下拉制区熔单晶硅（标记为FZ（H）Si）;（2）直拉单晶硅经一次...
- 王启元林兰英王建华邓惠芳蔡田海郁元桓
- 关键词：单晶硅红外吸收
- 文献传递
- CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料被引量：2
- 2001年
- 报道了 Φ15 0 m m CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果 ,对 Φ2 0 0 mm P/P-硅外延材料进行了初步探索研究 .Φ15 0 m m P/P+硅外延片实现了批量生产 ,并成功应用于集成电路生产线 ,芯片成品率大于 80 % .
- 王启元林兰英何自强龚义元蔡田海郁元桓何龙珠高秀峰王建华邓惠芳
- 关键词：硅CMOS集成电路
- 借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温(10K)红外测量被引量：1
- 1997年
- 本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在1136cm－1附近得到了明显的Si－O键红外吸收峰，从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量．实验结果表明：该测量方法具有很高的测量准确度和更宽泛的电阻率应用范围．对于重掺n型硅，其测量应用范围可扩展至电阻率1×10-2Ω·cm（自由载流子浓度高达4×1018cm－3）．
- 王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德蔡田海郁元桓林兰英
- 关键词：半导体硅红外吸收重掺硅
- 用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)被引量：3
- 2000年
- 随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展 ,下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求 .与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比 ,硅外延片一般能满足这些要求 .该文报道了应用于先进集成电路的 1 50 mm P/ P+ CMOS硅外延片研究进展 .在 PE2 0 61硅外延炉上进行了 P/P+ 硅外延生长 .外延片特征参数 ,如外延层厚度、电阻率均匀性 ,过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征 .研究表明 :1 50 mm P/P+ CMOS硅外延片能够满足先进集成电路对材料更高要求 ,
- 王启元蔡田海郁元桓林兰英
- 关键词：硅CMOS电路集成电路外延片
- Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀被引量：2
- 1999年
- 本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果．在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅衬底片，明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度，这些高密度氧沉淀物在随后ＩＣ器件热工艺中继续长大，成为稳定的高效本征吸杂中心．从经典的成核沉淀理论，讨论了Ｒａｍｐｉｎｇ热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理．
- 王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德蔡田海郁元桓林兰英
- 关键词：LSI热退火掺锑
