褚幼令
- 作品数：12 被引量：15H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 薄片样品霍尔迁移率的无接触测试和计算被引量：1
- 1992年
- 设计了一种微波介质波导探头用于无接触测量半导体薄片样品的霍尔迁移率。它具有体积小、被测薄片样品大小不受限制等优点。在直流磁场变化时,无接触测试了一组n型硅薄片样品的横向磁阻,讨论了磁阻的计算方法及考虑样品的晶向后,由磁阻计算霍尔迁移率的方法,实验测试及计算结果是较为满意的。
- 褚幼令王宗欣许瓯
- 关键词：微波半导体薄片
- SiO_x、Si/Si_(1-x)Ge_x的横向磁阻和迁移率的无接触测量
- 1999年
- 用分子束外延技术在ｐ型Ｓｉ衬底上生长成了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层超晶格和掺铒（Ｅｒ）ＳｉＯｘ外延层，用无接触法测量了它们的横向磁阻，并且用拟合方法由横向磁阻计算了它们的迁移率。
- 褚幼令盛篪王昕王昕龚大卫
- 关键词：磁阻硅
- ZnSe多量子阱横向磁阻的无接触测量被引量：1
- 1999年
- 用微波无接触法测量了ＺｎＳｅ 外延层和两种ＺｎＳｅ 多量子阱样品的横向磁阻，在低磁场时，这三种样品都表现为负磁阻，并且也可以用Ｋｈｏｓｌａ 和Ｆｉｓｃｈｅｒ 的半经验表示式进行拟合，实验还发现了在两层ＺｎＳｅ 超晶格之间的Ｚｎ＋ Ｇａ
- 王宗欣褚幼令胡古今郑国珍
- 关键词：多量子阱硒化锌
- GaAs、Al_xGa_（1－x）As外延层少子扩散长度及霍耳迁移率的无接触测被引量：1
- 1996年
- 用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的微波光电导谱和横向磁阻，给出了从微波光电导谱计算少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法，并且由此算得外延层的少于扩散长度和霍耳迁移率．本方法对被测样品的几何形状和尺寸无特殊要求，测试区域小于５×５ｍｍ２，具有无损伤、不污染的优点，并配有微机控制，测试迅速方便．
- 王宗欣褚幼令
- 关键词：GAAS外延层少子扩散长度
- 微波测试半导体少子寿命的非接触式装置
- 1992年
- 王宗欣褚幼令
- 关键词：微波半导体载流子
- 普通物理实验教学中的MBL实验
- 褚幼令赵天相陈光梦陆元杰
- MBL（Microcomputer Based Lab.）实验是为适应21世纪人才培养的需要而在普通物理实验室中开设的一种新型实验。它是用物理传感器采集实验数据，通过自制的ULI通用接口与计算机相连，由计算机进行各种数据...
- 关键词：
- 关键词：普通物理实验
- 用微波光电导谱研究半导体薄片的少子扩散长度和表面复合速度被引量：2
- 1990年
- 当半导体薄片同时受到微波和光照射时,通过样品的微波传输系数与光的波长有关,当光的波长连续地变化时,微波传输系数也连续地变化。本文分析了在半导体薄片中的少子扩散长度、少子寿命及表面复合速度与上述微波传输系数的变化△T之间的关系,并通过测量半导体薄片的微波光电导谱计算这些参数。研究表明,可以从微波光电导谱中的△T的峰值位置直接算出少子扩散长度。这是一种无接触、无损伤的快速测试方法,测试区域是直径为3mm的一个圆斑,样品可以在测试台上自由移动。本方法的测试结果与其它方法所得的结果是较为一致的。
- 褚幼令王宗欣刘瑞林左文德
- 有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的解及应用被引量：1
- 1987年
- 本文给出了有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的一种新解法。数值计算结果表明,薄片的少子光电导衰退曲线可以用这种解的一次模和二次模之和来表示。可以使用这些结果讨论一些薄片的少子寿命和表面复合速度。
- 王宗欣褚幼令
- 关键词：少子寿命复合(半导体)薄片
- 用微波光电导谱仪测量p—n结少子扩散长度
- 1993年
- 用微波光电导谱仪测量了一些pn结样品的微波光电导谱(MPCS),对于每一块样品光分别从p面和n面入射,因而可以测得不同的谱;讨论了从pn结的MPCS中计算p区、n区少子扩散长度的方法,并用计算机拟合得到这些样品的p区、n区少子扩散长度和表面复合速度等参数;由于是无接触测试,因此本方法可作为某些pn结器件制造工艺过程中寻找最佳工艺条件的一种监测手段。
- 褚幼令王宗欣吴天福
- 关键词：P-N结
- 冷却规律的计算机实时测量被引量：6
- 2000年
- 通过ＡＤ５９０温度传感器测量对流冷却规律，经ＵＬＩ接口与计算机连接，用特定的软件ＴＥＭＰ进行曲线拟合，验证了冷却规律，并在不同的冷却条件下观察冷却规律的变化．
- 褚幼令赵天相陈元杰
- 关键词：传感器温度传感器
