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解露

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体管
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 2篇势垒
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇槽栅
  • 2篇场板
  • 2篇成核
  • 1篇电流崩塌
  • 1篇原位
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇SI3N4
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇MOCVD技...

机构

  • 4篇西安电子科技...

作者

  • 4篇解露
  • 3篇王冲
  • 3篇马晓华
  • 3篇郝跃
  • 2篇张进成
  • 2篇付小凡
  • 2篇奚鹏程
  • 2篇薛晓咏
  • 2篇李亮
  • 2篇陈珂
  • 1篇张进城
  • 1篇王昊

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极...
张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂奚鹏程解露李亮薛晓咏
文献传递
原位Si3N4 AlGaN/GaN HEMT特性研究
本文介绍了一种新型的以MOCVD原位生长的InmSi3N4为帽层的AlGaN/GaN HEMT。通过与普通的没有Si3N4帽层器件的对比,分析了原位SiN4帽层对器件性能的影响。Si3N4帽层作为栅绝缘层,增加了栅与2D...
解露郝跃王昊马晓华张进城王冲
关键词：半导体器件MOCVD技术
文献传递
复合势垒高电子迁移率晶体管的研制与分析
GaN基功率放大器的线性度是其应用于无线基站通讯系统的一个重要指标。获得较宽电压范围的高跨导区域是提高器件的线性度的基本要求。本文采用能带剪裁工程成功地制备了具有4V以上高跨导区电压摆幅的AlGaN缓冲层复合势垒高电子迁...
解露
关键词：电流崩塌电子迁移率晶体管
阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极...
张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂奚鹏程解露李亮薛晓咏
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