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詹润泽

作品数：3 被引量：11H指数：2
供职机构：上海交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇晶体管
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 2篇透明电极
  • 1篇电学性能
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇像素电路
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇TFT
  • 1篇AMOLED
  • 1篇GZO
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射法
  • 1篇A-I

机构

  • 3篇上海交通大学

作者

  • 3篇詹润泽
  • 3篇董承远
  • 2篇谢汉萍

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇2012中国...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
采用不同透明电极的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管
采用透明材料ITO和AZO为源漏电极，在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现，制备的薄膜晶体管表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95cm...
詹润泽谢汉萍董承远
关键词：薄膜晶体管电学性能透明电极射频磁控溅射法
文献传递
采用不同透明电极的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管被引量：7
2013年
采用透明材料ITO和AZO为源漏电极,在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现,制备的薄膜晶体管均表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95cm2/V.s,开关比为4.53×105,在正向偏压应力测试下,阈值电压的漂移量为4.49V。
詹润泽谢汉萍董承远
关键词：薄膜晶体管透明电极
基于a-IGZO TFT的AMOLED像素电路稳定性的仿真研究被引量：4
2013年
非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)有望在有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路中得到实际应用,但其电压偏置效应仍会引起电路特性的不稳定。本文利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取并建立了SPICE仿真模型,通过拟合得到了它的阈值电压随时间变化的方程。在此基础上,采用SPICE软件对基于a-IGZO TFT的2T1C和3T1C两种AMOLED像素电路的稳定性进行了比较研究,证明3T1C电路对阈值电压偏移确实存在一定的补偿效果。最后讨论了进一步改善AMOLED像素电路稳定特性的方法和实际效果。
贾田颖詹润泽董承远
关键词：AMOLED薄膜晶体管像素电路
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