董承远
- 作品数：34 被引量：38H指数：4
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 包含非均匀线光源的侧光式LCD背光模组
- 一种液晶显示技术领域的包含非均匀线光源的侧光式LCD背光模组，包括：导光板、线光源、反射罩，其中：线光源设置于导光板外侧并与导光板紧密接触，反射罩设置于导光板及线光源外侧并与导光板及线光源紧密贴合。本发明分利用了侧光式背...
- 崔晴宇姜凌峰董承远苏翼凯
- 文献传递
- 新型高分辨率三维显示器件与系统的基础研究年度报告
- 2016年
- 波前重建(全息)是新型高分辨率动态三维显示技术的一种实现方式。空间带宽积是制约三维波前重建图像的视角范围、图像清晰度和尺寸等感知参数的重要物理因素。三维显示器件空间带宽积的扩展主要依赖像素尺度的微型化和显示屏幕的大型化。针对波前重建空间带宽积的扩展,在电-光调制器件方面,研究全相位调制LCo S器件像素微型化的新方法,通过分析液晶分子预倾角、像素单元介质薄膜、有序纳米结构对像素单元空间场强的影响,优化像素单元电场分布,为克服像素微型化带来的尺度效应提供理论依据。在像素单元CMOS电路方面,分析像素单元存储电容和负载电容的尺度效应及关联性。揭示硅基液晶LCo S等效电容尺度极限效应的物理机理。研究高迁移率非晶氧化物TFT材料,探索制备微米尺度像素阵列的新方法;通过超厚电极层等新工艺和铜合金等新材料的研究,为大尺寸显示器件的制备提供技术支撑。提出大尺寸、高效TFT阵列双边驱动新方法,解决电-光调制器件驱动提升的难题,突破微型化像素低压驱动的关键技术。在光-光调制器件方面,建立全息像元的空间带宽积理论模型,通过针对光折变材料的动力学机制开展研究,突破全息像元的角度、波长、偏振与相位复用关键技术,在光折变材料中实现多维复用记录和波前重建三维显示。基于以上的研究目标及内容,该年度的完成情况如下:(1)完成了ECB、VA两种液晶排列方式下的相位和振幅调制特性的研究;建立了双缝干涉法相位测试平台,掌握相位调制特性测试方法;(2)采用comsol和TechW iz软件建立了微型化液晶像素单元理论模型,实现液晶动态响应过程的模拟仿真;针对微型化像素,研究了有序纳米结构对空间电场分布的影响和优化;(3)获得掺W元素对IZO结构和特性影响的基本规律,获得铜合金电极薄膜制备�
- 夏军李晨李青董承远康果果
- 金属氧化物薄膜晶体管制备方法
- 一种半导体技术领域的金属氧化物薄膜晶体管制备方法，通过依次制备栅极层、栅绝缘层、金属氧化物层、漏电极层和器件保护层，并通过湿法刻蚀得到漏电极，通过干法蚀刻得到位于器件保护层上的接触孔，最后采用退火或等离子体处理接触孔中外...
- 董承远施俊斐
- 微发光二极管显示器的数字驱动方法及装置
- 一种微发光二极管显示器的数字驱动方法及装置，在每一帧的各个子帧的发光(Glow)时段，采用随着时间的增加而逐渐增大的功率信号电压V<Sub>power</Sub>施加至微发光二极管上以补偿其在发光时段的电流衰减，从而优化...
- 董承远
- 文献传递
- 氧分压对磁控溅射制备IGZO薄膜光电特性的影响被引量：2
- 2014年
- 通过磁控溅射技术在玻璃基板上制备氧化铟镓锌（IGZO）薄膜，为了研究不同氧分压对IGZO薄膜结构及光电特性的影响，在不同的氧分压0，0．015，0．06和0．24Pa下制备了不同样品。样品的沉积速率、成分结构、面电阻及光电性质分别用椭偏仪、X射线光电子能谱（XPS）和四点探针等方法进行了测量。实验结果表明，随着氧分压的增大，IGZO薄膜的沉积速率呈下降趋势，不同氧分压的IGZO薄膜的元素比例（In：Ga：Zn）差异不大，在可见光的范围内其氧分压为0Pa以上时，IGZO薄膜平均透过率均超过80％，阻值随氧分压的增加而增大。制作了不同氧分压以IGZO为沟道层的薄膜晶体管，其迁移率为5．93～9．42cm^2·V^-1·s^-1，阈值电压为3．8～9．2V。
- 吴海波董承远林世宏吴娟
- 关键词：磁控溅射氧分压光电特性
- 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管钼/铜源漏电极的研究被引量：2
- 2018年
- 针对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZOTFT)的钼/铜源漏电极开展研究。实验证明,单层Mo源漏电极与栅绝缘层之间的粘附性好、表面粗糙度较小、电阻率较大,而单层Cu源漏电极与栅绝缘层之间的结合性差且Cu原子扩散问题严重、表面粗糙度较大、电阻率较小。为了实现优势互补,我们设计了双层Mo(20nm)/Cu(80nm)源漏电极,并采用优化工艺制备了包含该电极结构的a-IGZOTFT。器件具有良好的电学特性,场效应迁移率为8.33cm^2·V^(-1)·s^(-1),阈值电压为6.0V,亚阈值摆幅为2.0V/dec,开关比为1.3×10~7,证明了双层Mo/Cu源漏电极的可行性和实用性。
- 张磊刘国超董承远
- 关键词：薄膜晶体管
- 薄膜晶体管及其制作方法
- 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供衬底基板，在衬底基板上形成栅电极；在衬底基板上沉积覆盖栅电极的栅电极绝缘层；在栅电极绝缘层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层上连续沉积第二金属层和第一金属...
- 章雯董承远
- 文献传递
- 横向巨磁阻抗效应中磁导率张量的理论研究被引量：7
- 2002年
- 建立了比较完善的二维铁磁体在横向巨磁阻抗 (GMI)效应中的磁化模型 ,采用将静态磁化过程和动态磁化过程分开计算的方法 ,同时考虑畴壁移动和磁畴转动两种磁化机制的影响 ,推导出比较完善的用于二维铁磁体横向巨磁阻抗效应理论研究的磁导率张量的表达式。
- 董承远陈世朴徐祖耀
- 底栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
- 一种半导体制造技术领域的底栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，通过依次制备栅电极、金属氧化物材料；然后在金属氧化物材料表面涂敷光刻胶并对光刻胶层采用化学机械抛光进行平坦化处理；再通过退火处理或等离子体处理未被光刻胶掩蔽的金...
- 董承远施俊斐
- 微型发光二极管像素电路及驱动方法
- 本发明公开了一种微型发光二极管像素电路、驱动方法及显示装置。像素电路包括初始化模块、阈值电压补偿模块以及负载驱动模块；初始化模块与阈值电压补偿模块以及负载驱动模块连接，用于在初始化信号的控制下，通过参考电压对阈值电压补偿...
- 申澳董承远
