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谢小刚

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇跃迁
  • 1篇子线
  • 1篇理论和实验研...
  • 1篇量子
  • 1篇量子线
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇激光器材料
  • 1篇光跃迁
  • 1篇SIGE/S...
  • 1篇XGA
  • 1篇AL
  • 1篇GAAS/A...
  • 1篇Y
  • 1篇X
  • 1篇AS

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇谢小刚
  • 2篇黄绮
  • 2篇蔡丽红
  • 2篇程文芹
  • 2篇周钧铭
  • 1篇周均铭
  • 1篇赵铁男
  • 1篇陈弘
  • 1篇梅笑冰
  • 1篇朱恪
  • 1篇胡强

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇1996
  • 1篇1995
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究被引量：1
1996年
本文研究了SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的近带边光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃迁偶极矩,给出了跃迁偶极矩的上限。提出了未掺杂SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的一种跃迁机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为。用MBE方法生长了掺杂SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到近带边光跃迁。
董文甫王启明杨沁清谢小刚周钧铭黄绮
关键词：SIGE/SI光跃迁
Al_yGa_(1-y)As/Al_xGa_(1-x)As量子阱激光器材料的光致荧光谱
1996年
测量了Al_yGa_(1-y)As/Al_x Ga_(1-x)As量子阱激光材料的光致荧光谱.发现在室温连续激光器材料的光致荧光谱中有两个峰,而不能激射的材料中则只有一个很宽的峰.将高能峰归属于准费密能级电子的跃迁.
程文芹蔡丽红谢小刚王文新胡强周钧铭
关键词：激光器材料
GaAs/AlGaAs量子线的制备和光致荧光谱
1995年
利用分子束外延材料的化学选择腐蚀和再生长制备出了GaAs/AIGaAs量子线并且测量了77K的光致荧光谱.也得到透射电子显微镜的照片.
程文芹蔡丽红陈弘周均铭谢小刚梅笑冰黄绮赵铁男朱恪
关键词：GAAS/ALGAAS量子线
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