程文芹
- 作品数：8 被引量：8H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Al_yGa_(1-y)As/Al_xGa_(1-x)As量子阱激光器材料的光致荧光谱
- 1996年
- 测量了Al_yGa_(1-y)As/Al_x Ga_(1-x)As量子阱激光材料的光致荧光谱.发现在室温连续激光器材料的光致荧光谱中有两个峰,而不能激射的材料中则只有一个很宽的峰.将高能峰归属于准费密能级电子的跃迁.
- 程文芹蔡丽红谢小刚王文新胡强周钧铭
- 关键词：激光器材料
- 分子束外延中杂质扩散系数的确定
- 1997年
- 我们发展了一种分子束外延（ＭＢＥ）过程中杂质扩散系数新的确定方法：根据ＭＢＥ后的杂质浓度的分布，运用粒子数守恒定律和有限差分直接确定杂质的扩散系数。该方法简化了传统方法的工序，数值计算结果与已有的结果一致。
- 刘英程文芹
- 关键词：分子束外延砷化镓半导体
- GaAs/AlGaAs量子线的制备和光致荧光谱
- 1995年
- 利用分子束外延材料的化学选择腐蚀和再生长制备出了GaAs/AIGaAs量子线并且测量了77K的光致荧光谱.也得到透射电子显微镜的照片.
- 程文芹蔡丽红陈弘周均铭谢小刚梅笑冰黄绮赵铁男朱恪
- 关键词：GAAS/ALGAAS量子线
- 掺杂浓度对p-GaAs的带隙变窄的影响被引量：1
- 1992年
- 用光致荧光的方法对分子束外延生长的(110)方向的掺Be的GaAs带隙变窄随掺杂浓度的变化进行研究。结果表明:对于P-GaAs,带隙变窄主要是价带上移造成的,杂质能级(带)相对导带的位置不变。因此,电离能随着掺杂浓度的增加而减小。
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- 关键词：掺杂带隙砷化镓
- 掺铍GaAs量子阱的光致荧光
- 1993年
- 测量了掺铍的,阱宽约为10nm的GaAs量子阱在4.2K的光致荧光。掺杂浓度分别为1×10^(17)和5×10^(18)cm^(-3)。测量结果表明:对于无规掺杂,局域在阱中心的铍的状态密度与导带电子从n=1量子能级到阱中心中性铍的跃迁概率的乘积大于对应于介面铍的乘积。另外,实验结果也表明:当掺杂浓度升高时,由于带隙收缩的影响,阱中心铍的电离能减小。
- 程文芹梅笑冰周均铭刘玉龙朱恪
- 关键词：砷化镓光致发光荧光铍
- 半导体列阵激光器被引量：1
- 1994年
- 首先对单个同质结激光器的工作原理及阈值电流密度的半径典理论结果进行了讨论。接着讨论了现在广泛采用的载流子和光分别限制的双异质结和量子阱激光器的优越性。基于其重要性也对阈值电流密度随温度的变化作了阐述。作为列阵激光器的基础，给出了列阵中可能存在的模式——超级模．最后介绍了几种面发射和锁相列阵激光器的制作方法。
- 程文芹
- 关键词：半导体激光器列阵激光器阈值电流
- 分子束外延调制掺杂结构的低温光致荧光被引量：1
- 1987年
- 木文报道了分子束外延调制掺杂GaAs/N-AIGaAs二维电子气材料的低温光致荧光结果。实验表明,光致荧光谱分析可以作为二维电子气材料的质量诊断技术,由光致荧光谱得到的质量评价与材料的电学性能恰相对应,这就为改进分子束外延工艺提供了依据。
- 黄绮周均铭贾惟义程文芹王彦云
- 关键词：光致荧光GAAS分子束外延
- (110)取向的调制掺杂GaAs-AIGaAs单异质结的光致荧光谱被引量：5
- 1993年
- 测量了含碳量高低不同的(110)取向的调制掺杂GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As单异质结在4.2K下的光致荧光谱。在含碳量高的样品中,出现了强的沟道二维电子到受主的复合荧光峰;而在含碳量很低的样品的光致荧光中则只出现体GaAs的荧光峰。
- 程文芹刘双周均铭刘玉龙朱恪
- 关键词：砷化镓异质结光致发光
