刘双
- 作品数：14 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种采用正弦驱动的软动作快门
- 本实用新型涉及一种采用正弦驱动的软动作快门，通过传动件及滚珠轴向轴承与安装在导轨上的滑块传递动力，滑块内装有外磁环组；内磁环组固定在装有润滑轴向轴承的内磁环支架上，内磁环支架与装有润滑轴向轴承的轴承座相配，固定杆穿过润滑...
- 刘双杨中兴黄绮周均铭袁樊森
- 文献传递
- 一种三室结构的真空液态源
- 本实用新型涉及一种“三室结构”的真空液态源，其特征在于：它包括注入口、外室、手动阀、标准室、内室、加热筒、加热块、密封圈、异形过渡件。本装置能将空气与真空有效隔离，标准室同时起到了量具和加速冷却的作用。内室能提供一个有效...
- 刘双杨中兴黄绮周均铭
- 文献传递
- 轻元素新纳米结构的构筑、调控及其物理特性研究
- 王恩哥白雪冬于杰马旭村刘双张广宇王文龙许智郭建东吴克辉支春义钟定永刘开辉吕文刚张文星
- 项目所属科学技术领域：凝聚态物理学。探索轻元素硼(B)、碳(C)、氮(N)及其化合物的新纳米结构，并研究由于尺寸限域效应引起的各种新奇物性，不仅对物理学中一些基本现象的发现有着重要意义，而且将会对未来微/光电子工业的发展...
- 关键词：
- 关键词：凝聚态物理学轻元素
- 光调制的半导体纳米线场发射性质的研究
- 高鹏王文龙刘双白雪冬王恩哥
- GaAs(001)衬底上生长立方GaN的Raman光谱及X射线研究
- 李志强陈弘刘洪飞刘双李建华黄绮周均铭
- 关键词：GAAS(001)衬底立方GANRAMAN光谱X射线
- 掺杂浓度对p-GaAs的带隙变窄的影响被引量：1
- 1992年
- 用光致荧光的方法对分子束外延生长的(110)方向的掺Be的GaAs带隙变窄随掺杂浓度的变化进行研究。结果表明:对于P-GaAs,带隙变窄主要是价带上移造成的,杂质能级(带)相对导带的位置不变。因此,电离能随着掺杂浓度的增加而减小。
- 程文芹梅笑冰刘双刘玉龙李永康周均铭
- 关键词：掺杂带隙砷化镓
- 取向碳纳米管膜的大面积制备及其场发射性能的研究被引量：2
- 2003年
- 利用热丝增强化学气相沉积法 ,在镀Ni的Si基片上成功地生长大面积取向碳纳米管膜 ,并研究了其场发射性质。研究表明 ,碳纳米管膜的场发射Fowler Nordheim曲线上存在一转折点Es(“饱和”场强 ) ,低场区域 (E Es)区域。实验证实 ,低场区域的场放大系数 β与极间距d成正比 ,Es 与极间距d成反比 ,它们可用双区域场模型唯像地解释。讨论了高场区域场发射电流“饱和”(变化趋缓 )
- 葛颂冯孙齐俞大鹏张广宇刘双
- 关键词：场发射
- 硅上砷化镓分子束外延工艺及器件应用
- 1991年
- 本文介绍了硅上砷化镓异质外延生长工艺及其在器件应用上的结果。由于我们非常重视从三维到二维成核状态转变的初始层的生长,从而明显降低了因砷化镓和硅之间晶格失配和不同热膨胀系数引起的高位错密度,抑制了砷化镓和硅界面处反相畴的出现。我们与清华大学合作实现了砷化镓外延层上的LED与硅衬底上MOSFET的单片光电集成。
- 刘双梅笑冰蔡丽红黄绮周均铭
- 关键词：分子束外延硅砷化镓
- 利用MBE在GaAs衬底上生长高质量立方GaN
- 陈弘李志强刘洪飞刘双万里黄绮周均铭
- 关键词：MBEGAASGAN生长
- 文献传递
- 应用分子束外延(MBE)生长含应变层InGaAs/N-AlGaAs选择掺杂异质结二维电子气
- 江潮刘双蔡丽红
- 关键词：分子束外延异质结
