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赵少奇

作品数：9 被引量：18H指数：3
供职机构：南京大学电子科学与工程学院超导电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇隧道结
  • 2篇溅射
  • 2篇NB
  • 2篇TEM
  • 2篇超导
  • 2篇超导隧道结
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 2篇NBN
  • 1篇单晶结构
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇电子显微镜
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇物理学
  • 1篇显微镜
  • 1篇缓冲层
  • 1篇基片
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基片

机构

  • 6篇南京大学

作者

  • 6篇赵少奇
  • 5篇康琳
  • 5篇吴培亨
  • 4篇刘希
  • 3篇吉争鸣
  • 3篇昌路
  • 2篇孙静
  • 1篇陈亚军
  • 1篇仓路
  • 1篇蔡卫星
  • 1篇施建荣

传媒

  • 2篇低温与超导
  • 2篇第九届全国超...
  • 1篇第八届全国超...

年份

  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2004
共 9 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
MgO(111)上NbN和AlN薄膜的生长研究
在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长工艺条件,XRD研究分析表明,我们获得了单晶结构良好的NbN薄膜;为了...
陈亚军康琳蔡卫星施建荣赵少奇吉争鸣吴培亨
关键词：单晶结构氮化铝薄膜
文献传递
超薄NbN薄膜和Si衬底上缓冲层的制备和研究
NbN是一种最常用的低温超导材料，与其他低温超导材料相比，具有超导转变温度高、能隙电压高、制备工艺成熟等优势和特点。制备NbN的目的是用于制备NbN/AIN/NbN SIS超导隧道结和基于NbN薄膜的热电子器件，两者都可...
赵少奇
关键词：薄膜物理学超薄薄膜
利用TEM对Si基片与MgO基片上生长的薄膜特性的研究
2007年
对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜AlN/NbN以及三层薄膜NbN/AlN/NbN应用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)技术进行了分析研究,对这几种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了较为清晰的图像。由透射电子显微镜的电子衍射图案计算了薄膜和单晶衬底的晶格常数,并与我们以前采用X射线衍射技术分析的结果进行了比较,结果有很好的吻合。
昌路康琳刘希赵少奇吴培亨
关键词：透射电子显微镜
NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺
研究了在MgO基片上制备NbN/AlN/NbN结的工艺,NbN和AlN的制备分别采用直流磁控溅射和交流磁控溅射.为了得到良好特性的隧道结,我们首先要在高真空反应室里沉积三层膜结构,经过光刻和反应离子刻蚀,得到底电极和桥区...
刘希康琳孙静赵少奇仓路吉争鸣吴培亨
关键词：超导隧道结隧道结磁控溅射
文献传递
NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺
2007年
研究了在MgO基片上制备NbN/AlN/NbN结的工艺,NbN和AlN的制备分别采用直流磁控溅射和交流磁控溅射。为了得到良好特性的隧道结,首先要在高真空反应室里沉积三层膜结构,经过光刻和反应离子刻蚀,得到底电极和桥区的三层结构图形。再经过第二步光刻和刻蚀,仅保留底电极最下层的NbN,得到结区的三层结构图形,并覆盖AlN绝缘层。经过Lift-off工艺,洗去结区上的光刻胶,最后沉积上电极。使用四端子方法对制备的隧道结进行了一系列测量,特别是在高频(THz)下的响应。
刘希康琳孙静赵少奇昌路吉争鸣吴培亨
关键词：超导隧道结NBNALN磁控溅射
利用TEM对Si基片与MgO基片上生长的薄膜特性的研究
对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜AlN/NbN以及三层薄膜NbN/AlN/NbN应用透射电子显微镜技术进行了分析研究,对这几种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了...
昌路康琳刘希赵少奇吴培亨
关键词：电子显微镜薄膜生长硅基片
文献传递
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