孙静
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺
- 研究了在MgO基片上制备NbN/AlN/NbN结的工艺,NbN和AlN的制备分别采用直流磁控溅射和交流磁控溅射.为了得到良好特性的隧道结,我们首先要在高真空反应室里沉积三层膜结构,经过光刻和反应离子刻蚀,得到底电极和桥区...
- 刘希康琳孙静赵少奇仓路吉争鸣吴培亨
- 关键词：超导隧道结隧道结磁控溅射
- 文献传递
- 基于EMCCD的驱动电路设计被引量：6
- 2011年
- 提出了一种高速EMCCD图像传感器CCD97时序驱动电路的设计方法。采用FPGA进行时序逻辑设计,利用EL7457集成器件对标准时钟进行电平转换。分立电路对快速高压(电子增益)时钟进行电平转换,从而建立EMCCD工作环境。仿真与实验结果表明,该方法能提供多路驱动时序,驱动频率高,硬件电路简单,编程方便,具有较好的性价比及应用推广价值,已用于CCD图像采集系统的研制。
- 孙静张保平曹睿学
- 关键词：EMCCDFPGA电荷耦合器件
- NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺
- 2007年
- 研究了在MgO基片上制备NbN/AlN/NbN结的工艺,NbN和AlN的制备分别采用直流磁控溅射和交流磁控溅射。为了得到良好特性的隧道结,首先要在高真空反应室里沉积三层膜结构,经过光刻和反应离子刻蚀,得到底电极和桥区的三层结构图形。再经过第二步光刻和刻蚀,仅保留底电极最下层的NbN,得到结区的三层结构图形,并覆盖AlN绝缘层。经过Lift-off工艺,洗去结区上的光刻胶,最后沉积上电极。使用四端子方法对制备的隧道结进行了一系列测量,特别是在高频(THz)下的响应。
- 刘希康琳孙静赵少奇昌路吉争鸣吴培亨
- 关键词：超导隧道结NBNALN磁控溅射
