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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇政治法律

主题

  • 3篇电致发光
  • 3篇电致发光器件
  • 3篇有机电致发光
  • 3篇有机电致发光...
  • 3篇发光
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  • 1篇载流子浓度
  • 1篇载流子迁移率
  • 1篇真空器件
  • 1篇直流反应磁控...
  • 1篇透明导电

机构

  • 6篇郑州大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 6篇邢宏伟
  • 5篇姚宁
  • 3篇韩昌报
  • 2篇王英俭
  • 2篇崔娜娜
  • 2篇张兵临
  • 2篇葛亚爽
  • 2篇鲁占灵
  • 2篇穆慧慧
  • 1篇赵会仙
  • 1篇常立红
  • 1篇薛进奎
  • 1篇王海燕

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇真空

年份

  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2003
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
我国国有投资公司立法定位和发展趋势研究
中国的国有投资公司是经济体制改革和投融资体制改革的产物,是中国推进经济和社会发展中的一种制度创新,典型地体现出了国有企业的特殊性:具有特殊的优越性,承担特殊的职能,实现特定的社会目标.该文通过对国有投资公司的'理想状态'...
邢宏伟
文献传递
不同铝掺杂量ZnO薄膜性能的研究
2010年
以铝掺杂质量分数为1%、2%、3%的Zn/Al合金为靶材,采用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同铝含量ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对AZO薄膜电学性能的影响;同时,研究铝掺杂量不同、电阻率相同的AZO薄膜的载流子浓度与迁移率的关系。结果表明:随着Al掺杂量的增加,薄膜最佳性能(透过率90%,电阻率6×10-4Ω·cm左右)时的衬底温度值会降低;电阻率相同的样品,1%铝掺杂的薄膜迁移率和透光率均高于2%铝掺杂薄膜的。
穆慧慧王海燕赵会仙姚宁邢宏伟薛进奎
关键词:ZNO薄膜载流子浓度载流子迁移率直流反应磁控溅射
一种顶发射有机电致发光器件
本发明提供了一种顶发射有机电致发光(TOLED)器件,包括阴极、阳极,其中:所述阴极采用场发射薄膜。本发明顶发射有机电致发光器件的阴极采用场发射薄膜,利用场发射薄膜的内场电子发射特性强制性地注入电子,以提高电子注入效率,...
姚宁鲁占灵韩昌报邢宏伟
文献传递
一种有机电致发光器件
本发明提供了一种有机电致发光器件,包括阳极、阴极,其中:其阳极采用p型半导体透明导电薄膜。本发明有机电致发光器件的阳极采用p型半导体透明导电薄膜,这种材料可提高有机电致发光器件的空穴注入效率,从而提高有机电致发光器件的发...
姚宁鲁占灵邢宏伟韩昌报
文献传递
Al_2O_3缓冲层对以ZnO∶Al为阳极的有机电致发光器件性能的影响被引量:4
2011年
采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提高了AZO阳极有机电致发光器件的性能,分析了Al2O3缓冲层的作用机理。结果表明施加1.5 nm缓冲层后器件的电流效率是单纯AZO阳极器件的3.4倍,同时也高于传统ITO器件。
姚宁邢宏伟穆慧慧崔娜娜葛亚爽王英俭张兵临
关键词:掺铝氧化锌缓冲层AL2O3有机电致发光器件
能量过滤磁控溅射技术制备ITO薄膜及其特性研究被引量:7
2011年
采用磁控溅射(DMS)和能量过滤磁控溅射(EFDMS)技术在玻璃衬底上制备ITO透明导电薄膜。利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻仪、椭偏光谱仪等对薄膜的性能进行表征和分析,初步探讨了EFDMS技术的成膜机理。研究发现与DMS技术相比,EFDMS技术可有效降低薄膜的表面粗糙度,并且薄膜光电性能有一定改善。
姚宁常立红韩昌报邢宏伟葛亚爽崔娜娜王英俭张兵临
关键词:ITO薄膜光电性能表面粗糙度磁控溅射
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