钱文生
- 作品数：18 被引量：9H指数：3
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- YSZ/Si上溅射BSCCO超导薄膜的二次溅射效应
- 1997年
- 本文对溅射高温超导薄膜的过程中所产生的二次溅射效应（ＲｅｓｐｕｔｅｒＥｆｅｃｔ）作了较系统的理论分析，观察了ＹＳＺ／Ｓｉ衬底上磁控溅射ＢＳＣＣＯ高温超导薄膜时二次溅射效应所产生的影响。
- 钱文生
- 关键词：BSCCOYSZ超导薄膜溅射
- 高温超导引线的传输特性
- 2000年
- 从电磁学理论入手 ,给出了引线的基本理论。对高温超导引线的传输特性进行了分析 ,并对金属引线和超导引线的性能进行了比较。得到以下结论 :( 1 )在超导能隙频率下 ,金属引线的衰减系数比高温超导引线大几个数量级 ;( 2 )金属引线的相速与信号频率无关 ,易出现信号发散 ,而超导引线在低于能隙率的情况下 ,相速与频率无关 ,信号不发散 ;( 3)
- 于宗光钱文生
- 关键词：传输特性电磁学
- 超导／半导兼容材料的制作及性能分析
- 1996年
- 介绍了几种结构合理的超导／半导兼容材料的制作技术及其测试结果，重点讨论了超导体（ＹＢＣＯ）与半导体（Ｓｉ，ＧａＡｓ）间缓冲层的选取，并对这几种复合材料的性能作了较详细的分析。
- 钱文生刘融魏同立
- 关键词：超导体半导体缓冲层
- Si衬底上MBE GaAs MESFET与IC制备
- 1992年
- 叙述在MBE(分子束外延)GaAs/Si材料上制作GaAs MESFET与Ic的研究。考虑到GaAsIC与Si IC单片集成的需要,采用了Ti/TiW/Au肖特基金属化和Ni/AuGe/Ni/Au欧姆接触金属化,层间介质采用等离子增强淀积氮化硅和聚酰亚胺复合材料。在该工艺基础上,制备了性能良好的GaAs/Si MESFET与IC。
- 庄庆德李明祥钱文生童勤义林新民
- 关键词：分子束金属半导体场效应管衬底
- Si上Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_(7-x)超导膜分形现象的AFM观察被引量：3
- 1997年
- 利用射频磁控溅射方法,在Si衬底上用YSZ(Y稳定的ZrO_2)作为缓冲层成功地淀积了Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_(7-x)(BSCCO)超导膜,其零电阻温度T_c=82K.在利用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)作材料的表面形貌和微结构观察分析时,首次在BSCCO超导膜中观察到了分形晶化,并测得其分形维数d=1.795,本文报道了这一观察结果.
- 刘融钱文生魏同立
- 关键词：分形BSCCO超导体AFM
- YSZ/Si上溅射BSCCO高温超导薄膜的工艺参数优化
- 1997年
- 本文研究了利用YSZ助作缓冲层Si(100)衬底上溅射BSCCO高温超导薄膜的生长工艺,分析了生长条件(主要是生长温度)对BSCCO高温超导相的影响,并提出了YSZ/Si上制备(2212)相BSCCO膜的工艺参数.
- 钱文生刘融魏同立
- 关键词：溅射BSCCO高温超导薄膜
- 高温超导(BSCCO)/半导(Si)兼容材料的制备及其应用基础研究
- 该文将对超导体/半导体兼容技术的基础性工作进行研究,研究了半导体衬底(Si)上溅射高温超导薄膜(Bi-Sr-Ca-Cu-O简称BSCCO)的制备工艺和生长机理、BSCCO/Si中分形的生成机制、高温超导引线的信号传输特性...
- 钱文生
- 关键词：高温超导薄膜分形传输特性场效应晶体管
- YSZ／Si上溅射BSCCO超导膜中的缺陷分析
- 1996年
- 该文报导了在有ＹＳＺ缓冲层覆盖的Ｓｉ衬底上偏靶磁控溅射ＢＳＣＣＯ超导薄膜的工艺条件，给出了利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、高分辨率透射电子显微镜（ＨＲＴＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）对ＢＳＣＣＯ膜中几种缺陷的观察结果，并讨论了为预防和减少缺陷而调整的超导膜的生长条件，提出了ＹＳＺ／Ｓｉ上ＢＳＣＣＯ的分形生长现象．
- 钱文生刘融魏同立
- 关键词：YSZBSCCO超导薄膜溅射
- YSZ／Si上Bi—Sr－Ca－Cu－O超导膜中分形的形成机理
- 1996年
- 该文采用原子力显微镜观察了ＹＳＺ／Ｓｉ上磁控溅射ＢＳＣＣＯ高温超导薄膜退火中的分形区域，计算了不同退火温度下的分形维数。在未经退火，退火温度低于１５０℃或高于８００℃时都不产生分形，２００℃和４５０℃退火时分别产生分维为１．７１和１．７９的分形。在研究分形现象，并分析透射电子衍射圈（ＴＥＤ）后，提出在超导膜的晶化中同时存在扩散控制晶化和成核生长晶化两种机制，并且超导膜分形的产生与超导转变有着密切的联系。
- 钱文生刘融魏同立
- 关键词：分形超导薄膜
- SiGe基区异质结晶体管电流和频率特性的解析模型被引量：3
- 1998年
- 给出了一个适用于分析SiGe基区异质结晶体管电流和频率特性的解析模型,并利用该模型分析了基区掺杂和组分均级变的SiGe异质结晶体管的电流增益、截止频率、最高振荡频率。模型中考虑了由于基区重掺杂和Ge的掺入引起的禁带窄变效应、载流子速度饱和效应。解析模型的计算结果与实验的对比证实了本模型可适用于器件的优化设计和电路的模拟。
- 刘融钱文生魏同立
- 关键词：异质结晶体管电流增益频率特性解析模型
