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李明祥

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学微电子中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇砷化镓
  • 3篇GAAS/S...
  • 3篇衬底
  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇SI衬底
  • 2篇硅
  • 1篇导体
  • 1篇应力
  • 1篇金属半导体
  • 1篇工艺技术
  • 1篇硅衬底
  • 1篇分子束
  • 1篇半导体
  • 1篇锗
  • 1篇AU
  • 1篇MBE
  • 1篇MESFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管

机构

  • 5篇东南大学

作者

  • 5篇李明祥
  • 2篇钱文生
  • 2篇童勤义
  • 1篇邵力为
  • 1篇丁东
  • 1篇庄庆德

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇真空电子技术

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1992
  • 1篇1990
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
GaAs／Si衬底电路制备中Ge元素分布的研究
1994年
Ｓｉ衬底上外延ＧａＡｓ材料是微电子学研究的重要课题之一，本文介绍了以大直径的ＧａＡｓ／Ｓｉ材料取代ＧａＡｓ衬底的工艺技术，对Ｇｅ元素在ＧａＡｓ／Ｓｉ集成电路中的分布影响进行了俄联电子能谱分析研究，并确定了该技术在大规模集成电路中的应用价值。
邵力为李明祥丁东
关键词：砷化镓锗硅集成电路
Si衬底上MBE GaAs MESFET与IC制备
1992年
叙述在MBE(分子束外延)GaAs/Si材料上制作GaAs MESFET与Ic的研究。考虑到GaAsIC与Si IC单片集成的需要,采用了Ti/TiW/Au肖特基金属化和Ni/AuGe/Ni/Au欧姆接触金属化,层间介质采用等离子增强淀积氮化硅和聚酰亚胺复合材料。在该工艺基础上,制备了性能良好的GaAs/Si MESFET与IC。
庄庆德李明祥钱文生童勤义林新民
关键词：分子束金属半导体场效应管衬底
GaAs／Si弹性形变及其应力的理论模型
1995年
ＧａＡｓ／Ｓｉ弹性形变及其应力的理论模型钱文生，李明祥，夏海良，魏同立（东南大学微电子中心南京，２１００１８）在ＧａＡｓ／Ｓｉ技术中，始终存在３个主要问题，即晶格失配、热膨胀系数失配和反相畴的存在，这是阻碍ＧａＡｓ／Ｓｉ外延质量提高的重要因素，因为它...
钱文生李明祥夏海良魏同立
关键词：砷化镓硅应力
采用Ti/TiW/Au栅制作Si衬底上CaAs MESFET与集成电路
1992年
本文从制备硅集成电路(SiIc)与砷化镓集成电路(GaAs IC)单片兼容电路的要求出发,提出了Ti/TiW/Au肖特基金属化结构,制备出了性能良好的Ti/TiW/Au栅Si衬底上分子束外延(MBE)的GaAsMESFET与GaAs IC。
李明祥童勤义庄庆德
关键词：硅衬底集成电路砷化镓
提高GaAs/Si材料质量与GaAs/Si兼容IC工艺技术的研究
李明祥
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共1页<1>
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