顾广瑞
- 作品数：92 被引量：136H指数：6
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- 氮化硼薄膜场致发射特性的研究
- 本文研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同的基底偏压和不同的膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N<,2>的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1...
- 顾广瑞何志李英爱冯伟金生殷红李卫青赵永年
- 关键词：场发射偏压膜厚磁控溅射
- 文献传递
- 氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
- 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过...
- 顾广瑞金逢锡李全军盖同祥李英爱赵永年
- 关键词：氮化硼薄膜场发射氢等离子体
- 文献传递
- 碳纳米球薄膜的场发射特性被引量：2
- 2012年
- 利用微波等离子体化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备了碳纳米球薄膜。利用拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜研究了薄膜的结构以及表面形貌,表明碳纳米球薄膜是由约2～3μm长、100nm宽的无定形碳纳米片相互缠绕、交织成球状而构成的。在高真空系统中测量了碳纳米球薄膜的场发射特性,结果表明,碳纳米球薄膜具有良好的场发射特性,阈值电场为3.1V/μm,当电场增加到10V/μm时,薄膜的场发射电流密度可达到60.7mA/cm2。通过三区域电场模型合理地解释了碳纳米球薄膜在低电场、中间电场和高电场区域的场发射特性。
- 刘智超李英爱王静顾广瑞吴宝嘉
- 关键词：微波等离子体化学气相沉积场发射
- 纳米絮状碳膜的制备及场发射特性
- 碳纳米材料的研究已经成为当前国际上研究的热点之一。由于纳米结构碳膜具有低阈值电压和高发射电流的特性，因此其场发射研究越来越受到人们重视。本文采用电子回旋共振化学气相沉积(ECR.CVD)技术制备碳膜，此方法克服了一般CV...
- 崔雪菡顾广瑞
- 关键词：碳纳米材料电子回旋共振化学气相沉积
- 文献传递
- 氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
- 2004年
- 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过氢等离子体处理后BN薄膜的场发射开启电场明显降低,发射电流明显升高;而氧等离子体处理前后对h-BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低.不同样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均为直线,表明电子发射是通过隧穿BN表面势垒发射到真空.
- 顾广瑞金逢锡李全军盖同祥李英爱赵永年
- 关键词：氮化硼薄膜场发射氢等离子体
- 基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响被引量：3
- 2004年
- 利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜.在超高真空(<10-7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响.基底温度为500℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜,阈值电场为12V/μm,电场升到34V/μm,场发射电流为280μA/cm2.所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的.
- 孙文斗顾广瑞孙龙李全军李哲奎盖同祥赵永年
- 关键词：场发射基底温度氮化硼薄膜射频磁控溅射隧道效应
- 纳米TiO_2薄膜的拉曼光谱被引量：5
- 2001年
- 本文测量了纳米TiO2 薄膜的Raman散射谱 ,并用B1g模计算了不同厚度的纳米TiO2薄膜的粒度。结果表明 ,随着膜厚的增加 ,粒度也在增加 ,膜厚达到一定程度后 。
- 殷红赵永年何志李英爱顾广瑞
- 关键词：TIO2薄膜拉曼光谱RAMAN光谱二氧化钛薄膜粒度薄膜厚度
- 高压下CaS的电学性质研究
- 盖同祥顾广瑞彭刚高春晓吴宝嘉
- 沉积参数对二氧化钛薄膜结构相变的影响被引量：4
- 2014年
- 用磁控溅射的方法在硅衬底上制备了二氧化钛薄膜,并通过改变薄膜沉积过程中氧气含量、溅射时间、工作压强、衬底温度等溅射参数,制备了系列薄膜样品,得到了二氧化钛薄膜两种相结构的最佳生成条件.研究表明:较高的工作压强有利于金红石结构的生成;衬底加热、增加沉积时间有利于生成锐钛矿结构;氧气含量的变化对薄膜的相结构没有明显影响.
- 刘艳姜坤吴宝嘉顾广瑞
- 关键词：二氧化钛薄膜金红石锐钛矿结构相变
- 工作气压对氮化硼薄膜场发射特性的影响
- 2003年
- 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,并在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.研究发现,沉积时工作气压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响,工作气压为2Pa时沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好,其阈值电场为6V/μm,场发射电流为320μA/cm2.F-N曲线表明,在外加电场的作用下,电子是通过隧道效应穿透BN薄膜表面势垒发射到真空的.
- 顾广瑞吴宝嘉金哲郭振平赵永年
- 关键词：工作气压氮化硼薄膜场发射冷阴极
