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顾广瑞: 作品数：98 被引量：137H指数：6; 供职机构：延边大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部留学回国人员科研启动基金更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

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镉锡硫复合薄膜的制备及其特性研究: 2024年; 利用射频磁控共溅射技术和通过改变Cd靶的溅射功率,在Si(111)衬底制备了不同镉质量分数浓度的镉锡硫复合薄膜,并研究了其结构、光学性能和电学性能.利用X射线衍射对复合薄膜的物相结构进行分析表明,镉锡硫复合薄膜的衍射峰相比于标准卡出现了峰位偏移,这与Cd^(2+)和Sn^(2+)的离子半径的差异有关.利用场发射扫描电子显微镜对薄膜的表面形貌分析表明,薄膜厚度随着Cd靶溅射功率的增加呈现出先增后减的趋势.利用能量色散X射线光谱仪对复合薄膜的元素组成成分进行分析表明,薄膜内Cd的原子百分比含量随着Cd靶溅射功率的提高而提高.利用霍尔效应测量了薄膜的电学性质表明,随着Cd靶溅射功率的增大,复合薄膜的电阻率和霍尔迁移率出现先减小后增大的趋势,而载流子浓度出现先增大后减小的趋势.利用紫外-可见-近红外分光光度计测量薄膜的光学吸收率表明,当增加Cd靶的溅射功率时,薄膜的吸收边发生了红移.当Cd靶溅射功率为5W时,薄膜在700~1100 nm处具有最大的吸收强度,其光学带隙为0.79eV.该研究结果可为镉硒硫复合薄膜在光电器件方面的应用提供良好参考.; 杨冰冰戚庆碧顾广瑞; 关键词：结构特性电学性能光学性能

射频磁控溅射制备SnS薄膜及其特性研究: 2024年; 以玻璃和硅(Si)为衬底,采用射频磁控溅射法在不同溅射压强下制备了SnS薄膜.利用X射线衍射仪对SnS薄膜进行表征分析显示,所有样品均沿(111)面择优生长,溅射压强为0.8 Pa时薄膜结晶性最好;使用场发射扫描电子显微镜对SnS薄膜进行测试,结果表示,随着压强的变化,晶粒结构也随之发生明显变化;采用紫外可见分光光度计对于SnS薄膜进行测量,表明在工作压强0.8 Pa下生长的薄膜具有最大的光学带隙值.该研究结果可为SnS半导体薄膜的应用提供参考.; 杨壮戚庆碧顾广瑞; 关键词：射频磁控溅射法溅射压强光学性能

氮化硼薄膜场致发射特性的研究: 本文研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同的基底偏压和不同的膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N<,2>的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1...; 顾广瑞何志李英爱冯伟金生殷红李卫青赵永年; 关键词：场发射偏压膜厚磁控溅射; 文献传递

氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响: 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过...; 顾广瑞金逢锡李全军盖同祥李英爱赵永年; 关键词：氮化硼薄膜场发射氢等离子体; 文献传递

碳纳米球薄膜的场发射特性被引量：2: 2012年; 利用微波等离子体化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备了碳纳米球薄膜。利用拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜研究了薄膜的结构以及表面形貌,表明碳纳米球薄膜是由约2～3μm长、100nm宽的无定形碳纳米片相互缠绕、交织成球状而构成的。在高真空系统中测量了碳纳米球薄膜的场发射特性,结果表明,碳纳米球薄膜具有良好的场发射特性,阈值电场为3.1V/μm,当电场增加到10V/μm时,薄膜的场发射电流密度可达到60.7mA/cm2。通过三区域电场模型合理地解释了碳纳米球薄膜在低电场、中间电场和高电场区域的场发射特性。; 刘智超李英爱王静顾广瑞吴宝嘉; 关键词：微波等离子体化学气相沉积场发射

纳米絮状碳膜的制备及场发射特性: 碳纳米材料的研究已经成为当前国际上研究的热点之一。由于纳米结构碳膜具有低阈值电压和高发射电流的特性，因此其场发射研究越来越受到人们重视。本文采用电子回旋共振化学气相沉积(ECR.CVD)技术制备碳膜，此方法克服了一般CV...; 崔雪菡顾广瑞; 关键词：碳纳米材料电子回旋共振化学气相沉积; 文献传递

氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响: 2004年; 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过氢等离子体处理后BN薄膜的场发射开启电场明显降低,发射电流明显升高;而氧等离子体处理前后对h-BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低.不同样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均为直线,表明电子发射是通过隧穿BN表面势垒发射到真空.; 顾广瑞金逢锡李全军盖同祥李英爱赵永年; 关键词：氮化硼薄膜场发射氢等离子体

基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响被引量：3: 2004年; 利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜.在超高真空(<10-7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响.基底温度为500℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜,阈值电场为12V/μm,电场升到34V/μm,场发射电流为280μA/cm2.所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的.; 孙文斗顾广瑞孙龙李全军李哲奎盖同祥赵永年; 关键词：场发射基底温度氮化硼薄膜射频磁控溅射隧道效应

纳米TiO_2薄膜的拉曼光谱被引量：5: 2001年; 本文测量了纳米TiO2 薄膜的Raman散射谱 ,并用B1g模计算了不同厚度的纳米TiO2薄膜的粒度。结果表明 ,随着膜厚的增加 ,粒度也在增加 ,膜厚达到一定程度后。; 殷红赵永年何志李英爱顾广瑞; 关键词：TIO2薄膜拉曼光谱 RAMAN光谱二氧化钛薄膜粒度薄膜厚度