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李英爱

作品数:40 被引量:61H指数:5
供职机构:吉林大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 10篇会议论文
  • 9篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 21篇理学
  • 9篇电子电信
  • 8篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 16篇场发射
  • 15篇场发射特性
  • 14篇氮化硼薄膜
  • 11篇溅射
  • 9篇纳米
  • 9篇磁控
  • 9篇磁控溅射
  • 7篇氮化
  • 7篇导电性
  • 7篇电阻率
  • 6篇膜厚
  • 6篇发射电流
  • 5篇氮化硼
  • 5篇金刚石
  • 5篇刚石
  • 5篇薄膜厚度
  • 4篇等离子体处理
  • 4篇氧等离子体处...
  • 4篇溅射靶材
  • 4篇靶材

机构

  • 39篇吉林大学
  • 6篇延边大学
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇吉林师范大学
  • 1篇青岛化工学院
  • 1篇沈阳工程学院
  • 1篇四川工业学院
  • 1篇吉林省科学技...

作者

  • 40篇李英爱
  • 25篇赵永年
  • 24篇顾广瑞
  • 20篇何志
  • 12篇李卫青
  • 11篇殷红
  • 9篇冯伟
  • 8篇李红东
  • 7篇刘丽华
  • 7篇赵春红
  • 5篇杨大鹏
  • 5篇杨旭昕
  • 4篇吉晓瑞
  • 4篇吕宪义
  • 4篇张铁臣
  • 4篇陶艳春
  • 3篇邹广田
  • 2篇刘立华
  • 2篇姜志刚
  • 2篇高世勇

传媒

  • 4篇液晶与显示
  • 3篇高压物理学报
  • 3篇功能材料
  • 3篇吉林大学学报...
  • 2篇光散射学报
  • 2篇第四届中国功...
  • 2篇第五届中国功...
  • 2篇第四届中国功...
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇延边大学学报...
  • 1篇第八届中国场...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 6篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 8篇2004
  • 4篇2003
  • 2篇2002
  • 7篇2001
  • 1篇1999
40 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜被引量:1
2006年
本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜。岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来。同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶。
杨大鹏赵永年李英爱苏作鹏杜勇慧吉晓瑞杨旭昕宫希亮张铁臣
关键词:高结晶度生长速率
磁控溅射制备纳米TiO_2薄膜导电性的研究被引量:2
2003年
研究了在纳米厚度范围内,TiO_2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O_2的混合气体,制备了TiO_2薄膜,薄膜膜厚15~225nm.在室温下测量了不同厚度TiO_2薄膜的电阻率,发现TiO_2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO_2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.
顾广瑞李英爱陶艳春何志赵永年
关键词:TIO2薄膜导电性电阻率
石墨衬底上生长氮化硼膜的方法
本发明的石墨衬底上生长氮化硼膜的方法属于功能膜材料的技术领域。有石墨衬底的清洁处理和磁控溅射沉积的工艺过程;所述的石墨衬底的清洁处理有机械抛光、去离子水冲洗后分别浸入丙酮和乙醇溶液中超声清洗;所述的磁控溅射沉积过程是以六...
李红东杨旭昕李英爱邹广田
文献传递
纳米A1N薄膜的导电性
本文研究了纳米A1N薄膜的导电性与不同的基底材料和不同的厚度的关系.在常规的溅射反应器中,我们使用A1靶,通入Ar+N<,2>的混合气体,在常温下和总压力为1.0Pa的条件下进行溅射,在不同的衬底上制备出了不同厚度的纳米...
顾广瑞何志李英爱赵永年
关键词:导电性电阻率电子转移介电材料压电材料
文献传递
氮化硼薄膜场致发射特性的研究
本文研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同的基底偏压和不同的膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N<,2>的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1...
顾广瑞何志李英爱冯伟金生殷红李卫青赵永年
关键词:场发射偏压膜厚磁控溅射
文献传递
氮化铝薄膜的厚度对场发射特性的影响被引量:3
2006年
采用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(20~150nm)纤锌矿结构的纳米A1N薄膜。在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场发射特性,发现阈值电场随着厚度的增加有增大的趋势。厚度为44nm的A1N薄膜样品具有最低的阈值电场(10V/μm),当外加电场为35V/μm时,最高发射电流密度为284μA/cm^2。A1N薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了A1N薄膜表面势垒发射到真空。
李英爱刘立华何志杨大鹏马红梅赵永年
关键词:氮化铝薄膜场发射特性厚度
纳米AlN薄膜的导电性
本文研究了纳米A1N薄膜的导电性与不同的基底材料和不同的厚度的关系.在常规的溅射反应器中,我们使用A1靶,通入Ar+N的混合气体,在常温下和总压力为1.0Pa的条件下进行溅射,在不同的衬底上制备出了不同厚度的纳米A1N薄...
顾广瑞何志李英爱赵永年
关键词:导电性电阻率电子转移
文献传递
立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法
本发明涉及一种立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法,属于半导体元件的制备方法。该方法包括有合成半导体特性的立方氮化硼单晶片和制备掺杂的立方氮化硼薄膜,该立方氮化硼薄膜与立方氮化硼单晶片的半导体特性相反,所述的合成半...
杨大鹏李红东吉晓瑞杨旭昕李英爱张铁臣
文献传递
纳米TiO_2薄膜的结构与光电特性被引量:9
2003年
用射频磁控溅射方法制备出厚度大约15-225nm的TiO2薄膜。Raman光谱测量显示,TiO2薄膜主要是金红石结构(含少量板钛矿相)。紫外可见光吸收光谱表明,在纳米厚度(100nm)范围内,TiO2薄膜的带隙宽度随着薄膜厚度的变化而变化。室温下测量TiO2薄膜的电阻率发现,随着厚度的增加TiO2薄膜的电阻率先后在导体、半导体和绝缘体范围变化。
顾广瑞李英爱陶艳春何志殷红李卫青赵永年
关键词:射频磁控溅射二氧化钛薄膜光电特性光谱分析导电性电阻率
一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法
本发明的一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法,属于超硬材料及其制备的技术领域。以硅片为衬底,以h‑BN或单质硼靶为溅射靶材,采用两步沉积法制备c‑BN厚膜。在Ar/N<Sub>2</Sub>混合气体气氛下先溅射第一层氮化...
殷红赵艳高伟李英爱李红东
文献传递
共4页<1234>
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