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颜志英

作品数：17 被引量：16H指数：2
供职机构：浙江工业大学信息工程学院更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金浙江省教育厅科研计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术天文地球理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 1篇天文地球
  • 1篇理学

主题

  • 5篇亚微米
  • 5篇深亚微米
  • 5篇微米
  • 4篇载流子
  • 4篇热载流子
  • 3篇亚微米器件
  • 3篇热载流子效应
  • 3篇SOI
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇人脸
  • 2篇人脸检测
  • 2篇深亚微米器件
  • 2篇全耗尽
  • 2篇网络
  • 2篇沟道
  • 2篇硅栅
  • 2篇薄膜全耗尽
  • 2篇SOIMOS...

机构

  • 17篇浙江工业大学
  • 1篇浙江林学院

作者

  • 17篇颜志英
  • 5篇张敏霞
  • 2篇杨东勇
  • 2篇豆卫敏
  • 2篇范一峰
  • 2篇丁峥
  • 2篇王雄伟
  • 1篇孙安乐
  • 1篇吴福理
  • 1篇周晓
  • 1篇张斌
  • 1篇陈敏智
  • 1篇方路平
  • 1篇胡迪庆
  • 1篇方声涛
  • 1篇应光勇
  • 1篇陈波

传媒

  • 5篇浙江工业大学...
  • 3篇微电子学
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇计算机应用研...
  • 1篇计算机与现代...
  • 1篇微计算机信息
  • 1篇浙江工学院学...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇软件导刊
  • 1篇高教与经济

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2004
  • 5篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
深亚微米SOIMOS器件研究与设计被引量：3
2002年
利用自己设计的适合深亚微米SOIMOS器件模型及SPICE电路模拟程序 ,详细分析了小尺寸SOI器件的阈值电压、饱和漏电流、电导、跨导等与工艺参数的关系 ,通过大量的模拟、计算 ,我们提出了小尺寸FDSOIMOSFET的设计方案 ,并根据该方案研制出性能优良的沟道长度为 0 2
颜志英张斌张敏霞
关键词：SOIMOS器件深亚微米器件
不确定对象的ASP动态脚本管理方法
2004年
在Internet日益普及的今天,Web应用也渗透到人们工作和生活的角角落落,ASP是微软提供的Web应用开发平台,ASP网络应用开发者经常面临不确定动态数据如何管理的问题。本文结合实例给出了一种处理方法,并对动态脚本中涉及的几个容易搞混的概念进行了比较分析。尽管Web应用开发平台无需网络应用开发者费心,但在具体应用开发过程中遇到的不确定动态复杂问题,仍然需要深思。
张敏霞陈波颜志英马荣
关键词：WEB应用ASP脚本开发者网络应用
SOI CMOS器件研究
2008年
利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。
颜志英豆卫敏胡迪庆
关键词：绝缘体上硅
深亚微米PMOS/SOI热载流子效应研究与寿命评估
2003年
通过测量深亚微米器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系 ,分析SOIPMOS器件尺寸进入深亚微米后的热载流子效应引起的退化规律。模拟了在最坏应力条件下 ,最大线性区跨导 Gm max 退化与漏偏压应力 Vd的关系 ,以及器件寿命与应力 Vd
颜志英张敏霞
关键词：跨导深亚微米热载流子效应微电子器件
基于WEB的汇编语言学习系统研究与设计
2004年
针对计算机专业"汇编语言"教学中存在的问题,提出了课堂教学与网络教学相结合的教学模式与改革方案,并设计开发了基于WEB的汇编语言学习系统,大大提高了学生的学习兴趣,取得了良好的教学效果。
颜志英方路平杨东勇
关键词：ASP
深亚微米NMOS/SOI热载流子效应及寿命预测被引量：2
2003年
分析并模拟了 SOINMOSFET的电源电压、工艺参数、沟道长度等对器件内部电场的影响 ,并对器件的低压热载流子效应进行实验测试 ,得到了不同应力条件下最大线性区跨导和阈值电压的退化结果 ,以及器件尺寸对这种退化的影响。并实验测试了一个
颜志英张敏霞
关键词：电源电压工艺参数沟道长度内部电场
薄膜全耗尽CMOS/SOI器件研究被引量：1
2007年
在对全耗尽SOIMOS器件进行了大量研究的基础上,采用金属栅工艺,并采用了LDD结构以减小热载流子效应,防止漏的击穿,还采用了突起的源漏区,以增加源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,以增强器件的电流驱动能力,降低了寄生电阻,减小了静态功耗.实现了性能优良的全耗尽金属栅FD SOICMOS器件.与常规工艺的器件相比,提高了输出驱动电流,也改善了器件的亚阈值特性,特别是在沟道掺杂浓度比较低的情况下能得到非常合适的阈值电压.NMOS器件的饱和电流为0.65 mA/μm;PMOS器件的饱和电流为0.35 mA/μm.
颜志英王雄伟丁峥
关键词：LDD结构
一种WebGis网络分析中间件的开发方案被引量：3
2003年
分析 Web Gis和中间件的概念和特点 ,提出一种基于 Web Gis的网络分析中间件开发方案。即用丰富多样的外部接口来保证中间件的适应性 ,从细化内部功能、合理设计组件接口来构造分工细致、协作灵活的组件包 ,利用优化的 dijkstra算法克服 Gis数据量庞大而带来的问题 ,利用 XML
张敏霞颜志英马荣孙安乐
关键词：WEBGIS网络分析中间件地理信息系统最短路径问题DIJKSTRA算法
高精度时间数字转换器的研究
2009年
根据一种时间数字转换器的结构和性能,提出了组成全数字锁相环重要模块——时间数字转换器的设计方法。首先,设计出TDC模块的电路构成;其次,采用千分尺算法对电路信号进行设计和较正;最后,通过PSPICE仿真环境对电路图的设计,测出TDC的精确度,测得在CMOS环境下时间延迟的线性趋势。实验结果表明,与已有的时间数字转换器相比,该千分尺算法应用于TDC模块的设计,可以使时间数字转换器的性能有较大提高。
豆卫敏颜志英
关键词：全数字锁相环
全方位计算机视觉系统及应用
杨东勇陈敏智吴文伟林碎德周晓颜志英
受浙江省科技厅委托，浙江工业大学于2006年12月23日在杭州主持召开了由浙江工业大学软件学院主持完成的“全方位计算机视觉系统及应用”项目鉴定会。鉴定委员会听取了研究工作报告、技术报告、软件评测报告、科技查新报告和用户报...
关键词：
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共2页<12>
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