丁峥
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：浙江工业大学信息工程学院更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 薄膜全耗尽CMOS/SOI器件研究被引量：1
- 2007年
- 在对全耗尽SOIMOS器件进行了大量研究的基础上,采用金属栅工艺,并采用了LDD结构以减小热载流子效应,防止漏的击穿,还采用了突起的源漏区,以增加源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,以增强器件的电流驱动能力,降低了寄生电阻,减小了静态功耗.实现了性能优良的全耗尽金属栅FD SOICMOS器件.与常规工艺的器件相比,提高了输出驱动电流,也改善了器件的亚阈值特性,特别是在沟道掺杂浓度比较低的情况下能得到非常合适的阈值电压.NMOS器件的饱和电流为0.65 mA/μm;PMOS器件的饱和电流为0.35 mA/μm.
- 颜志英王雄伟丁峥
- 关键词：LDD结构
- 金属栅薄膜全耗尽器件研究被引量：1
- 2008年
- 实验并研究了采用金属栅工艺的全耗尽SOI MOS器件。采用LDD结构,以减小热载流子效应,防止漏击穿;采用突起的源漏区,以增加源漏区的厚度,并减小源漏区的串联电阻,以增强器件的电流驱动能力,降低寄生电阻,减小静态功耗。研究并分析了硅膜厚度对阈值电压和阈值电压漂移的影响,以及对本征栅电容和静态功耗的影响。与采用常规工艺的器件相比,提高了输出驱动电流,改善了器件的亚阈值特性,特别是在沟道掺杂浓度比较低的情况下,能得到非常合适的阈值电压。
- 颜志英王雄伟丁峥
- 关键词：金属栅SOICMOSMOSFET短沟道效应
