马俊彩
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 双沟道AlGaN/GaN异质结构
- 采用多层异质结形成多沟道结构,以降低AlGaN/GaN异质结构方块电阻,提高其电特性。本文以双沟道为主,讨论势垒层不同掺杂情况下外延结构的电特性。实验中,样品A两层AlGaN势垒层均未掺杂;样品B在第二势垒层做δ掺杂,S...
- 付小凡王昊林志宇马俊彩刘子扬张进成郝跃
- 关键词：ALGAN/GAN
- 高电子迁移率GaN基双异质结材料与器件研究
- 由于其宽带隙、高电子漂移速度、高临界击穿电场强度、强自发极化及压电极化等突出优点，GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在制作高频、高功率、抗辐射等电子器件方面具有得天独厚的优势。近些年来，随着材料质量的提高和器件工艺的...
- 马俊彩
- 关键词：双异质结构高电子迁移率击穿电压
- 文献传递
- 高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的电流崩塌严重和源漏极欧姆接触电阻大的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(...
- 张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂马俊彩刘子扬林志宇张凯
- 槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法
- 本发明公开了一种槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT的器件及制作方法，主要解决现有增强型器件中阈值电压低和制作工艺中刻蚀损伤大所造成的可靠性低的问题。该器件自下而上包括：衬底、I-GaN层、II-GaN层、AlGaN...
- 张进成陈珂郝跃马晓华王冲付小凡马俊彩刘子扬林志宇张凯
- 文献传递
- 成核层温度对N面GaN外延薄膜质量的影响
- 采用自制MOCVD系统研究了成核层温度对外延N面GaN的影响。XRD结果显示,低温氮化镓成核层外延薄膜有着较低的(002)和(102)XRD半高宽(FWHM)。Hall测量表明,高温氮化镓外延薄膜有着较高的迁移率和较低的...
- 杜大超林志宇马俊彩张进成郝跃
- 关键词：晶体质量表面形貌
- AlN阻挡层生长温度对InGaN沟道异质结材料电特性的影响
- 采用MOCVD方法在蓝宝石村底上生长了A10.3Ga0.7N/ALN/In0.03Ga0.97N/GaN双异质结构,其中AIN阻挡层生长温度分别采用800℃低温和1050℃高温两种进行了对比。霍尔测试显示,AIN阻挡层低...
- 陈珂王昊马俊彩付小凡张进成郝跃
- 关键词：异质结
- 斜切蓝宝石衬底MOCVD生长GaN薄膜的透射电镜研究被引量：2
- 2012年
- 利用MOCVD技术在斜切角度为0.3°的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析.研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的GaN材料中,位错在距离衬底0.8μm附近大量湮灭,同时位错扎堆出现.基于上述现象,提出了斜切衬底上GaN材料中位错的湮灭机制,解释了斜切衬底能够提高GaN晶体质量的原因.
- 林志宇张进成许晟瑞吕玲刘子扬马俊彩薛晓咏薛军帅郝跃
- 高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的电流崩塌严重和源漏极欧姆接触电阻大的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(...
- 张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂马俊彩刘子扬林志宇张凯
- 文献传递
