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张进成

作品数：900 被引量：96H指数：6
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 829篇专利
  • 41篇期刊文章
  • 27篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 339篇电子电信
  • 36篇电气工程
  • 25篇一般工业技术
  • 17篇理学
  • 16篇化学工程
  • 10篇金属学及工艺
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 176篇晶体管
  • 144篇二极管
  • 140篇衬底
  • 130篇势垒
  • 109篇肖特基
  • 106篇迁移率
  • 96篇成核
  • 95篇SUB
  • 90篇氮化镓
  • 90篇电极
  • 90篇电子迁移率
  • 87篇势垒层
  • 85篇高电子迁移率
  • 83篇高电子迁移率...
  • 76篇半导体
  • 75篇场效应
  • 72篇氮化
  • 71篇石墨
  • 71篇石墨烯
  • 63篇GAN

机构

  • 898篇西安电子科技...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇北京大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇长安大学
  • 1篇西安微电子技...
  • 1篇山东大学
  • 1篇中国飞行试验...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇陕西应用物理...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 898篇张进成
  • 839篇郝跃
  • 172篇许晟瑞
  • 159篇张春福
  • 124篇张金风
  • 117篇陈大正
  • 113篇宁静
  • 101篇赵胜雷
  • 92篇王东
  • 89篇马佩军
  • 84篇马晓华
  • 71篇毛维
  • 65篇林志宇
  • 64篇张涛
  • 63篇刘志宏
  • 60篇薛军帅
  • 57篇李培咸
  • 54篇冯倩
  • 44篇杨翠
  • 38篇姜腾

传媒

  • 18篇物理学报
  • 10篇第13届全国...
  • 5篇人工晶体学报
  • 3篇科学通报
  • 3篇微电子学
  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇中国科学：信...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇含能材料
  • 1篇半导体技术
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇发光学报
  • 1篇空间电子技术
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇中国科学：技...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第一届新型太...
  • 1篇2010(第...

年份

  • 5篇2024
  • 141篇2023
  • 141篇2022
  • 118篇2021
  • 112篇2020
  • 78篇2019
  • 50篇2018
  • 55篇2017
  • 43篇2016
  • 39篇2015
  • 30篇2014
  • 26篇2013
  • 20篇2012
  • 10篇2011
  • 20篇2010
  • 8篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 900 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于PLC的金刚石生长流程控制方法及装置
本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长流程控制方法及装置，该控制方法包括步骤：根据抽气流程启动信号、抽气系统中各元件的反馈信号和真空腔体反馈的真空计压力模拟量信号进行抽气流程控制，使真空腔体内的压力达到目标压力；根据工艺流...
张金风苏凯任泽阳张进成何琦邢雨菲郝跃
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一种基于PLC的金刚石生长位置控制方法及装置
本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长位置控制方法及装置，控制方法包括步骤：获取当前时刻金刚石生长时真空腔体的第一生长温度值和耔晶载物盘的第一生长阶段位置；基于预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表，依据所述第一生长温度值...
任泽阳杨士奇张金风张进成苏凯何琦郝跃
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一种Si基GaN毫米波传输线结构及制备方法
本发明公开了一种Si基GaN毫米波传输线的结构及制备方法，该结构包括：Si衬底；AlN成核层，在所述Si衬底之上；III族氮化物过渡层，在所述AlN成核层之上；GaN缓冲层，在所述III族氮化物过渡层之上；金属地层，在该...
张进成刘俊伟刘志宏郝璐宋昆璐周弘赵胜雷张苇杭段小玲郝跃
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高击穿电压的肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种高击穿电压的肖特基二极管，主要解决现有肖特基二极管器件击穿电压过低无法广泛应用在高压高功率器件中的问题。其包括：欧姆接触金属Au层、欧姆接触金属Ti层、高掺杂n型Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3...
冯倩张涛张进成周弘张春福胡壮壮封兆青蔡云匆
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基于质子辐照处理的金刚石基InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法
本发明公开了一种基于金刚石衬底的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有同类器件界面结合强度差、界面热阻高、工艺流程复杂的问题。其自下而上包括：金刚石衬底(1)、GaN沟道层(2)和InAlN势垒层(...
许晟瑞许文强贠博祥张金风彭利萍张雅超周弘张进成郝跃
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基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是：(1)将r面Al<Sub>2</...
许晟瑞郝跃周小伟张进成史林玉陈珂杨传凯欧新秀
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一种超声波辅助石墨烯去胶的方法
本发明公开了一种超声波辅助石墨烯去胶的方法，将化学气相沉积方法生长在铜箔上的石墨烯用PMMA进行甩胶、烘干；用FeCl<Sub>3</Sub>溶液腐蚀下方铜箔；将PMMA定型的石墨烯转移至Si-SiO<Sub>2</Su...
韩砀王东宁静闫景东柴正张进成郝跃
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源场板高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种源场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、保护层(10)和源场板(8)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，其中...
郝跃过润秋毛维张进成马晓华杨翠王冲
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基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法
本发明公开了一种基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性GaN纳米线生长中工艺复杂、生长温度高、纳米线长度短的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1‑20nm金属Ti；(2)将...
许晟瑞姜腾郝跃张进成张春福林志宇陆小力倪洋
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温度对GaN缓冲层上InN成核层MOCVD生长的影响
目前,相对于其他的Ⅲ族氮化物如GaN和AlN来说,人们对InN的研究较少,大多通过MBE来制备.采用MOCVD制备InN材料存在温度问题,InN的分解温度仅为630℃,这就要求InN必须在低温下生长,而作为氮源的NH3分...
马健军崔培水张进成
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