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许晟瑞

作品数：210 被引量：21H指数：3
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 194篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 81篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 77篇衬底
  • 48篇成核
  • 40篇二极管
  • 39篇氮化
  • 32篇发光
  • 30篇SUB
  • 29篇非极性
  • 26篇蓝宝
  • 26篇发光二极管
  • 25篇GAN
  • 24篇势垒
  • 24篇蓝宝石
  • 23篇多量子阱
  • 23篇晶体管
  • 21篇氮化镓
  • 21篇迁移率
  • 19篇蓝宝石衬底
  • 18篇半导体
  • 17篇氮化物
  • 16篇势垒层

机构

  • 210篇西安电子科技...

作者

  • 210篇许晟瑞
  • 198篇郝跃
  • 179篇张进成
  • 65篇李培咸
  • 42篇马晓华
  • 40篇林志宇
  • 35篇张金风
  • 35篇姜腾
  • 32篇周小伟
  • 24篇张涛
  • 22篇范晓萌
  • 19篇张春福
  • 19篇赵颖
  • 18篇牛牧童
  • 17篇刘志宏
  • 15篇曹艳荣
  • 15篇陈大正
  • 14篇宁静
  • 13篇孟锡俊
  • 13篇毛维

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇中国科学：技...
  • 1篇高教学刊
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 7篇2024
  • 11篇2023
  • 26篇2022
  • 20篇2021
  • 22篇2020
  • 28篇2019
  • 17篇2018
  • 18篇2017
  • 9篇2016
  • 10篇2015
  • 7篇2014
  • 5篇2013
  • 9篇2012
  • 5篇2011
  • 10篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 210 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于质子辐照处理的金刚石基InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法
本发明公开了一种基于金刚石衬底的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有同类器件界面结合强度差、界面热阻高、工艺流程复杂的问题。其自下而上包括：金刚石衬底(1)、GaN沟道层(2)和InAlN势垒层(...
许晟瑞许文强贠博祥张金风彭利萍张雅超周弘张进成郝跃
文献传递
基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是：(1)将r面Al<Sub>2</...
许晟瑞郝跃周小伟张进成史林玉陈珂杨传凯欧新秀
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基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法
本发明公开了一种基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性GaN纳米线生长中工艺复杂、生长温度高、纳米线长度短的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1‑20nm金属Ti；(2)将...
许晟瑞姜腾郝跃张进成张春福林志宇陆小力倪洋
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基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑230...
许晟瑞彭若诗范晓萌林志宇刘大为张进成孟锡俊李培咸牛牧童马德璞郝跃
一种片上可集成的氮化镓基雪崩光电探测器及其制备方法
本发明涉及一种片上可集成的氮化镓基雪崩光电探测器及其制备方法，包括：制备P型掺杂的氮化镓层；在P型掺杂的氮化镓层上制备第一N型掺杂的氮化镓层；在第一N型掺杂的氮化镓层上制备第二N型掺杂的氮化镓层；在第二N型掺杂的氮化镓层...
曹艳荣吕航航马毛旦王志恒许晟瑞吕玲习鹤郑雪峰陈川张新祥吴琳姗
含有非极性m面GaN缓冲层的InN半导体器件的制备方法
本发明公开了一种含有非极性m面GaN缓冲层的InN半导体器件的制备方法，步骤是：（1）将γ面LiAlO<Sub>2</Sub>衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；（2）在γ面LiAlO<Sub>2</Sub>衬...
许晟瑞曹荣涛张进成郝跃孙文豪葛莎莎
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基于m面LiAlO<Sub>2</Sub>衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于m面LiAlO<Sub>2</Sub>衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：m面LiAlO<Sub>2</Sub>衬底层、GaN缓冲层、发光层和电极...
许晟瑞彭若诗杜金娟李培咸刘大为张进成李雨洋黄俊牛牧童黄钰智孟锡俊郝跃
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复合双向开关及其制作方法
本发明公开了一种复合双向开关，主要解决现有开关器件存在不能同时进行双向导通和双向阻断的问题。其包括：衬底、过渡层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层和第二势垒层，沟道层与势垒层的左、右两侧均设有第一台面，其上分别设有左、...
毛维裴晨杨翠杜鸣马佩军许晟瑞张进成郝跃
基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备黑磷过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(...
张进成朱家铎陈智斌庞凯吕佳骐许晟瑞林志宇宁静张金郝跃
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绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管
本发明公开了一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(6)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该源场板(...
毛维郝跃杨翠过润秋张进成马晓华许晟瑞
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