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张春福
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267
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H指数:3
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西安电子科技大学
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郝跃
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
张进成
西安电子科技大学微电子学院
陈大正
西安电子科技大学
冯倩
西安电子科技大学
杜锴
西安电子科技大学
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基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法
一种基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法,解决了现有隧穿场效应晶体管导通电流小和亚阈摆幅无法降低的问题。该铁电隧穿场效应晶体管包括:衬底1、源极2、沟道3、漏极4、绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质...
韩根全
张春福
彭悦
郝跃
张进城
冯倩
文献传递
一种基于有机受体-钙钛矿异质结吸光层的太阳电池
本发明公开了一种基于有机受体‑钙钛矿异质结吸光层的太阳电池,包括:由下至上依次层叠的透明电极层、第一传输层、钙钛矿吸光层、第二传输层和金属电极层;其中,当太阳电池为正型时,第一传输层为用作电子传输层的有机受体吸光层,第二...
陈大正
何逸冰
党睿
张春福
朱卫东
张泽阳
郭其睿
张进成
郝跃
文献传递
氮化镓肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管及其制作方法,主要解决现有技术漏电流偏大,击穿电压偏低和关态功耗偏大的问题,其自下而上,包括衬底层(1)、氮化镓层(2)和铝镓氮层(3),铝镓氮层上设有欧姆阴极金属层(6)和钝化介质层(...
张春福
陈大正
赵化彬
赵胜雷
张雅超
朱卫东
张进成
郝跃
文献传递
一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管及其制备方法
本发明公开了一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管,包括:异质衬底、N+氧化镓层、阴极、N‑氧化镓层、P型氧化镍层和阳极。本发明为实现高热导率异质衬底支撑的氧化镓器件采用准垂直结构,极大地降低了器件热阻,提高散热能力,有...
张春福
刘丁赫
张泽雨林
赵胜雷
陈大正
张进成
郝跃
基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管,主要解决现有III-V族材料制备隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘电介质(5)和栅电极...
韩根全
张春福
彭悦
汪银花
张进城
郝跃
文献传递
基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法
本发明公开了一种基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法,解决现有III‑V族中红外光电探测器件难以硅基集成和IV族硅、锗探测器探测范围窄的问题。本发明晶体管的集电极区、光吸收区、基极区、发射极区均采用IV族GeSn合金...
韩根全
王轶博
张春福
汪银花
张进成
郝跃
文献传递
低成本高可靠四端CsPbBr<Sub>3</Sub>/Si叠层太阳电池及其制作方法
本发明涉及一种低成本高可靠四端CsPbBr<Sub>3</Sub>/Si叠层太阳电池及其制作方法,该叠层太阳电池包括硅底电池和位于其上的CsPbBr<Sub>3</Sub>钙钛矿顶电池,硅底电池和CsPbBr<Sub>3...
陈大正
张春福
樊刚
朱卫东
习鹤
刘晨波
张进成
郝跃
文献传递
Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜晶体管的制备方法,主要解决现有技术生长薄膜不均匀,原材料利用率低,反应温度高和制作过程复杂难于控制的问题。其实现方案是:1.配制前体Ga(NO<S...
张春福
许育
张进成
郝跃
常晶晶
于雪婷
吴艺聪
张力鑫
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法,包括:(a)选取衬底基片并进行预处理;其中,所述衬底基片设有阴极电极;(b)在所述衬底基片上生长电子传输层;(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层;(d)在所述钙钛矿吸光层...
习鹤
朱伟佳
张春福
吕玲
曹艳荣
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垂直型宽禁带半导体器件结构及制作方法
本发明公开了一种垂直型半导体器件结构及制作方法。主要解决宽禁带半导体材料、器件高缺陷密度及大功率器件散热的问题。采用立体形三维纳米结构,包括衬底、垂直单晶、外延层、金属层、介质层,其中垂直单晶与衬底表面垂直,外延层与垂直...
郝跃
王中林
陈军峰
张进城
张春福
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