黄文勇
- 作品数：2 被引量：12H指数：2
- 供职机构：韩山师范学院物理系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制被引量：10
- 2004年
- 以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜 .实验发现 ,在多晶硅薄膜的生长过程中 ,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素 ,随功率、H2 SiCl4 流量比的减小和反应室气压的增加 ,晶粒增大 .而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数 ,通过工艺参数的改变 ,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化 ,指出“气相结晶”
- 黄锐林璇英余云鹏林揆训姚若河黄文勇魏俊红王照奎余楚迎
- 关键词：活性基团晶粒大小等离子体增强化学气相沉积工艺参数PECVD多晶硅薄膜
- 以SiCl_4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜被引量：3
- 2004年
- 报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜。实验发现,生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度,而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大。通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜。薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1。
- 黄锐林璇英余云鹏林揆训姚若河黄文勇魏俊红王照奎余楚迎
- 关键词：多晶硅薄膜生长速率
