丁士进
- 作品数：219 被引量：164H指数：8
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- La(BO_3,PO_4):Ce,Tb,Gd的发光研究被引量：5
- 2001年
- 以 BPO4和稀土氧化物为原料制备了铈、铽、钆共掺杂的硼磷酸镧绿色荧光粉，研究了基质中 Gd3＋、 Ce3＋、 Tb3＋的发光特性及它们之间的相互作用。在该基质中存在 Ce3＋→ Gd3＋、Gd3＋→ Tb3＋、 Ce3＋→ Tb3＋的能量传递；当钆加入到铈、铽共掺杂的硼磷酸镧基质中会导致铈离子的发射减弱，铽离子 5D4→ 7FJ的发射显著增强，而 5D3→ 7FJ的发射没有明显变化，故有利于提高荧光粉的发光强度和绿色发射纯度。用硼磷酸钆作基质比用硼磷酸镧更能提高荧光粉的发光强度、发光纯度以及发光色坐标 x的值，所以 La(BO3,PO4):Ce,Tb,Gd和 Gd(BO3,PO4):Ce,Tb均是理想的绿色发射材料。
- 丁士进张卫徐宝庆王季陶
- 关键词：磷光体激发光谱发射光谱
- 一种低压可擦写的纳米晶存储电容结构及其制备方法
- 本发明涉及一种低压可擦写的纳米晶存储电容结构及其制备方法。一种低压可擦写的纳米晶存储电容，以P型单晶硅片为衬底层，其上依序有：1)用原子层淀积的方法生长的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/HfO<S...
- 丁士进廖忠伟苟鸿雁张卫
- 文献传递
- 一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法
- 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法。该方法包括采用接触探针热还原法对任意衬底上的石墨烯氧化物进行可控还原，通过控制探针温度来控制还原石墨烯氧化物的成分从而控制沟道电阻率...
- 周鹏孙清清卢洪亮吴东平王鹏飞丁士进张卫
- 文献传递
- 一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件与方法
- 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件与方法。该功率器件包括至少一个光电子注入光源和一个功率MOS晶体管。本发明采用光电子注入的方法向功率MOS晶体管栅极下方的漂移区注入载流子，...
- 王鹏飞孙清清丁士进张卫
- 文献传递
- 低k介质对CMOS芯片动态功耗的影响被引量：7
- 2001年
- 利用CMOS电路动态功耗模型,对采用不同介电常数绝缘介质的CMOS集成电路进行模拟,研究了不同特征尺寸集成电路中低介电常数绝缘介质薄膜对电路动态功耗的影响。发现集成电路特征尺寸越小,电路功耗-延迟积与金属互连长度的线性关系越好。并且随绝缘介质介电常数降低,电路动态功耗的两个部分:状态翻转功耗与直通短路功耗,都有明显的降低。因此在ULSI中采用低介电常数绝缘介质是降低电路功耗的一种十分有效的途径。
- 王鹏飞丁士进张卫王季陶李伟
- 关键词：互连延迟动态功耗CMOS芯片集成电路
- 一种双硅片基固态超级电容及其制备方法
- 本发明涉及一种双硅片基固态超级电容及其制备方法，该超级电容由两个相对设置的电极结构粘合构成，电极结构包含衬底、设置在衬底背面上的硅纳米阵列结构、过渡金属掺杂的氧化铟薄膜层及固态电解质层，上述过渡金属包括镍、钴或者锰。本发...
- 丁士进朱宝张卫
- 文献传递
- 一种适合于半导体闪存器件的栅叠层结构及制备方法
- 本发明涉及一种适合于半导体闪存器件的栅叠层结构及其制备方法。该栅叠层结构以晶向为100的P型单晶硅片为衬底，自下而上依次为：Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，作为电荷隧穿层；钌基RuO<Sub>...
- 丁士进苟鸿雁张卫
- 快速热退火对原子层淀积铂纳米颗粒的影响
- 2012年
- 以(MeCp)Pt(CH3)3和O_2为反应源,采用原子层淀积(ALD)技术在A1_2O_3衬底上制备Pt纳米颗粒,研究了在氮气中快速热退火对Pt纳米颗粒的特性的影响。结果表明,随着退火温度从700℃升高到900℃,Pt纳米颗粒尺寸逐渐增大,颗粒之间分离愈加清晰,形貌趋向球形,但颗粒密度稍有降低。随着在800℃退火时间从15 s增加到60 s,Pt纳米颗粒的尺寸逐渐增大,尺寸分布变得更加弥散,颗粒的密度逐渐降低;其中退火15 s后的Pt纳米颗粒密度高(9.29×10★cm-2)、分布均匀、分离清晰。900℃退火后在Pt纳米颗粒中出现部分氧化态的Pt原子,其原因可能是在高温下Pt纳米颗粒与A1_2O_3薄膜之间发生了界面化学反应。
- 陈红兵朱宝陈笋孙清清丁士进张卫
- 关键词：金属材料原子层淀积快速热退火
- 一种高密度镍纳米颗粒的制备方法及其应用
- 本发明公开了一种高密度镍纳米颗粒的制备方法及其应用。该方法包含：步骤1，将覆盖有绝缘介质的衬底置于反应腔体中；步骤2，将上述衬底和反应腔升温至220～310℃；步骤3，以脉冲方式向反应腔中通入NiCp<Sub>2</Su...
- 丁士进钱仕兵王永平张卫
- 文献传递
- 一种半导体存储器结构及其控制方法
- 本发明属于半导体非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种半导体存储器结构及其控制方法。该半导体存储器包括至少一个半导体衬底、一个用于对半导体存储器进行控制的隧穿晶体管结构、一个用于存储信息的存储单元和一个用于连接存储单元的...
- 王鹏飞臧松干孙清清丁士进张卫
- 文献传递
