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卢红亮

作品数：106 被引量：27H指数：3
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 95篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 5篇一般工业技术
  • 5篇理学
  • 4篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 21篇互连
  • 19篇铜互连
  • 17篇淀积
  • 16篇原子层淀积
  • 16篇纳米
  • 14篇电路
  • 13篇电镀
  • 13篇阻挡层
  • 13篇扩散阻挡层
  • 10篇电镀铜
  • 10篇镀铜
  • 10篇退火
  • 10篇纳米材料
  • 10篇集成电路
  • 10篇光电
  • 8篇原子层沉积
  • 7篇氧化锡
  • 6篇电容
  • 6篇电容器
  • 6篇铜

机构

  • 106篇复旦大学

作者

  • 106篇卢红亮
  • 83篇张卫
  • 22篇孙清清
  • 21篇丁士进
  • 14篇黄伟
  • 11篇耿阳
  • 11篇王鹏飞
  • 7篇周鹏
  • 6篇徐敏
  • 6篇任杰
  • 6篇谢立恒
  • 5篇冯黎
  • 5篇张远
  • 5篇谢章熠
  • 4篇陈玮
  • 4篇王晨
  • 3篇江安全
  • 3篇杨雯
  • 3篇陈志辉
  • 3篇刘文军

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇化学学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十届全国工...
  • 1篇全国工程电介...

年份

  • 11篇2023
  • 13篇2022
  • 14篇2021
  • 6篇2020
  • 13篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 12篇2014
  • 9篇2013
  • 9篇2012
  • 1篇2011
  • 5篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2003
共 106 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于单层有序氧化锡纳米碗支化氧化锌纳米线结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用
本发明公开了一种基于单层有序氧化锡纳米碗支化氧化锌纳米线结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明首先采用合成条件简单的硬模板法制备单层氧化锡纳米碗材料，然后采用原子层沉积技术和水热法相结合的工艺制备支化氧化锌纳米线，...
卢红亮朱立远袁凯平
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一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法
本发明公开了一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法。本发明在AlGaN/GaN异质结基板上通过选区外延生长制备微型发光二极管microLED，并与AlGaN/GaN界面的二维电子气原位形成电连...
卢红亮陈丁波
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一种集成电路铜互连结构及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体为集成电路铜互连结构及其制备方法。本发明采用Ru-N-Ti结构代替传统的TaN/Ta结构作为扩散阻挡层/粘附层/仔晶层。使用原子层沉积镀膜（ALD）方法制备出Ru<Sub>x</Sub>(T...
卢红亮张远耿阳朱尚斌孙清清张卫
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一种电镀铜溶液
本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种电镀铜溶液。该电镀铜溶液包括：硫酸铜、硫酸、氯离子、烷基丁二酸酯磺酸钠和磺酸盐类。其优点在于调高了电镀液的酸铜比，可以保证在纳米级的深孔中铜层应有的厚度；流动性更好，电镀铜...
卢红亮谢立恒丁士进张卫
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一种利用Fe<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>@MXene核壳结构纳米复合物实现β-淀粉样蛋白精确检测的方法
本发明公开了一种利用Fe<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>@MXene核壳结构纳米复合物实现β‑淀粉样蛋白精确检测的方法。其采用FAM修饰的β‑淀粉样蛋白适配子（FAM‑apt<Sub>Aβ</Sub>）...
卢红亮温小红
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一种利用ALD制备锗基MOS电容的方法
本发明属于半导体技术领域，具体为一种利用原子层淀积(ALD)制备锗基MOS电容的方法。本发明步骤为：首先在Ge基衬底上进行快速热氧化处理，形成GeO<Sub>2</Sub><Sub>；</Sub>然后在其上淀积高介电常数...
卢红亮耿阳孙清清王鹏飞张卫
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一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法。本发明提出的原位沉积系统包括沉积系统，进气、排气系统，管路控制系统，等离子体发生系统等。本发明所提出的采用原位沉积的铜互连流程包括：刻蚀出需要沉积...
卢红亮耿阳杨雯孙清清张卫
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具有二维电子气结构的氧化镓基电子器件
本实用新型提供一种具有二维电子气结构的氧化镓基电子器件，所述氧化镓基电子器件包括衬底及位于衬底上的二维电子气结构，所述二维电子气结构包括氧化镓材料层及位于氧化镓材料层上的第二材料层，所述氧化镓材料层包括晶态的氧化镓，所述...
刘宇航马宏平卢红亮
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驱动能力可自适应调整的输出驱动电路及其控制方法
本发明提供一种驱动能力可自适应调整的输出驱动电路，受外部电路的控制时钟信号Clk‑ctrl以及上电信号Start‑up控制，用于提供集成电路的驱动电流，其特征在于，包括：P端反相器链、N端反相器链、n(n为任意正整数)个...
周德金黄伟卢红亮张卫
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原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展被引量：3
2005年
原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展。
卢红亮徐敏张剑云陈玮任杰张卫王季陶
关键词：金属氧化物薄膜高K材料
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