亢宝位
- 作品数：75 被引量：150H指数：8
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程冶金工程更多>>
- 双极高速功率开关晶体管发射区结构
- 一种高速双极功率开关晶体管发射区结构。从剖面结构上看,这种发射区由轻掺杂的中心区域和分布在两侧的高掺杂的周边区域构成。该结构能够加速晶体管的关断过程,有效地改善双极功率晶体管的开关时间和开关损耗,提高晶体管关断时的热电稳...
- 亢宝位吴郁
- 文献传递
- 一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真被引量：6
- 2008年
- 对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题.对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较.仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其在具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能.
- 王浩胡冬青吴郁周文定亢宝位
- 关键词：内透明集电极NPT-IGBT
- 具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件
- 一种用于电力电子领域的具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件，它在同一芯片上集成有半导体三极管和与其反并联的半导体二极管，其特征在于：在二极管与三极管之间设有用来提高二极管开关速度的延伸肖特基结结构，采用二极管铝电极延伸...
- 亢宝位程序吴郁
- 文献传递
- 超低漏电、超快恢复二极管的仿真研究
- 本文就结合不同的制造技术,进一步优化器件反向恢复特性,进行了器件仿真,目的是为研制开关速度快、漏电低、开关软的器件提供理论支持。仿真的技术对象是采用低阳极发射效率结构、局域铂掺杂寿命控制技术和电子辐照寿命控制技术制造的快...
- 谢书珊亢宝位吴郁胡冬青
- 关键词：快恢复二极管电子辐照
- 文献传递
- 硅材料内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法
- 硅材料内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法属于半导体器件领域。本发明为具有内透明集电区绝缘栅双极晶体管硅材料内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法的制造方法，能够在器件的集电区附近一定范围内形成一个极低过剩载流子寿命控...
- 亢宝位胡冬青单建安
- 文献传递
- 具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件
- 一种用于电力电子领域的具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件，它在同一芯片上集成有半导体三极管和与其反并联的半导体二极管，其特征在于：在二极管与三极管之间设有用来提高二极管开关速度的延伸肖特基结结构，采用二极管铝电极延伸...
- 亢宝位程序吴郁
- 文献传递
- 不断发展中的IGBT技术概述被引量：21
- 2007年
- 概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。
- 周文定亢宝位
- 关键词：半导体元器件晶闸管绝缘栅双极晶体管
- 内透明集电极IGBT的制造及理论模型
- 2010年
- 给出了一种600V内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)的制造方法,它以传统穿透型IGBT(PT-IGBT)的工艺为基础,但在外延前先进行高剂量氦离子注入及退火,从而在器件集电区近集电结附近引入一个纳米空腔层。该纳米空腔层内载流子寿命很低,在物理上起电极作用,从而使器件集电区由非透明变为内透明。封装后,测试了器件性能,与电子辐照的PT-IGBT相比,ITC-IGBT的零温度点更低,关断时间和导通压降的折中更优,验证了内透明思想的正确性。同时,针对器件结构特点,通过求解输运方程和扩散方程,建立了ITC-IGBT的分析模型,并将实验样管结构参数代入模型,理论计算结果与实验结果符合较好,验证了模型的有效性。
- 刘茵胡冬青吴郁亢宝位
- 关键词：绝缘栅双极晶体管内透明集电极
- 超结理论的产生与发展被引量：9
- 2006年
- 对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍。
- 田波程序亢宝位
- 关键词：功率半导体器件导通电阻击穿电压
- 一种高性能的新结构IGBT(英文)被引量：3
- 2003年
- 提出了一种低功率损耗的新结构 IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构 ,该耐压层包括深扩散形成的 n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分 .虽然在正常工作条件下 ,该新结构 IGBT工作于穿通状态 ,但器件仍具有非穿通 IGBT( NPT- IGBT)的优良特性 .该新结构 IGBT具有比 NPT- IGBT更薄的芯片厚度 ,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷 .实验结果表明 :与 NPT- IGBT相比较 ,新结构 IGBT的功率损耗降低了
- 程序吴郁刘兴明王哲亢宝位李俊峰韩郑生
- 关键词：缓冲层NPT-IGBT
