贾云鹏
- 作品数：76 被引量：47H指数：4
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家电网公司科技项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程医药卫生更多>>
- 基于晶振频率数字补偿的时间触发以太网时钟同步方法
- 基于晶振频率数字补偿的时间触发以太网时钟同步方法，涉及分布式通信网络的时钟同步技术领域，解决了时钟同步过程中频率偏差校准问题。该方法基于SAE AS6802协议搭建时钟触发以太网模型，通过网络演算对时钟同步过程进行仿真。...
- 袁海英张凯郑彤贾云鹏
- 文献传递
- 内透明集电极IGBT短路特性研究被引量：1
- 2011年
- 内透明集电极(Internal Transparent Collector,简称ITC)绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新一类IGBT,其特点是在传统穿通型(PT)IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制(LCLC)区,从物理上"屏蔽"厚衬底中空穴的注入,使集电区范围变窄、集电区少子有效扩散长度减小,器件集电区由非透明变成内透明。本论文针对600V平面栅ITC IGBT的短路特性进行仿真研究,重点讨论LCLC区的位置及LCLC区内载流子寿命对器件短路的影响。结果显示,对一定的载流子寿命,随着LCLC区距集电结距离减小,器件短路性能增强;而对固定的LCLC区位置,随着LCLC区内载流子寿命降低,器件短路性能进一步改善。所有这些最终都可以归结于背发射极效率的影响。
- 胡冬青吴郁贾云鹏
- 关键词：内透明集电极短路特性IGBT
- 仿真研究变掺杂缓冲层技术对MOSFET抗SEB能力的改善
- 2011年
- 本文在分析了单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上,首先研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线,明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。之后仿真研究了单缓冲层结构MOSFET,表明低掺杂缓冲层可以提高器件负阻转折临界电流,高掺杂缓冲层可以改善器件二次击穿电,据此提出变掺杂缓冲层结构,仿真了其准静态击穿特性,并与单缓冲层和三缓冲层结构进行了比较,结果显示,变掺杂缓冲层结构是各种缓冲层结构中最优的一种。具体优化结果与缓冲厚度和浓度分布有关。优化缓冲层厚度和掺杂浓度,可在导通特性和抗SEB之间达到最佳折衷。
- 胡冬青吴郁贾云鹏
- 关键词：功率MOSFET单粒子烧毁
- 一种应用于发射队列间指令调度填充的方法
- 本发明公开了一种应用于发射队列间指令调度填充的方法，包括以下步骤：指令在译码阶段给当前指令一个待分配发射队列的标识号‑所有分布式发射队列共用一级分配电路以及二级分配电路，以指令所需分配到的目标发射队列为最高优先级，将指令...
- 张智也贾云鹏刘檬
- 一种碳化硅MOS的单粒子加固器件结构及其制备方法
- 本发明涉及一种碳化硅MOS的单粒子加固器件结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明在双沟道MOS(DT‑MOS)器件基础上，提出了一种倒锤型的槽栅结构及其实现方法，可以抑制寄生NPN晶体管的闩锁效应，提高碳化硅M...
- 贾云鹏赵富杰周新田赵元富胡冬青吴郁
- 文献传递
- 一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法
- 本发明一种外延前硼注入复合双层外延的n‑MOSFET制备方法，在结衬底材料选定后、外延工艺实施前，先进行与p型岛光刻与硼注入，之后进行缓冲层外延和耐压层外延；后继工艺与常规功率MOSFET制备相同；p型岛注入窗口尺寸及硼...
- 胡冬青张鹤泷贾云鹏吴郁唐伯晗唐蕴
- 文献传递
- 600V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真研究
- 载流子存储层(Carrier Stored Layer-CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力.本文在CSL层下方近哑元胞侧设计了P型埋层(P Buried Layer-PBL),利用...
- 苏洪源胡冬青吴郁贾云鹏李蕊匡勇屈静
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管电场分布
- 文献传递
- 一种具有内嵌沟道二极管的SiC MOSFET结构
- 本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的SiC MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属，衬底层，N‑漂移层，JFET区；P‑base区位于JFET区两侧，P‑base预设区域上表面为N+源区及P‑plus区；左侧N+源区、P...
- 周新田庞浩洋贾云鹏胡冬青吴郁
- 元胞尺寸对内透明集电极IGBT温度特性的影响
- 内透明集电区（Internal Transparent Collector,简称ITC）绝缘栅双极晶体管是新一类IGBT,它在传统PT-IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制（LCLC）层,只要...
- 胡冬青刘钺杨贾云鹏
- 关键词：内透明集电极绝缘栅双极晶体管温度特性
- 文献传递
- 新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件
- 本发明涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件，包括发射极金属电极、栅极氧化物、IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅，所述发射极金属电极包括连接部及两个凸起部，所述连接部呈平板...
- 贾云鹏方星宇周新田李新宇吴郁胡冬青许冬梅王修中
- 文献传递
