余明斌
- 作品数：26 被引量：128H指数：8
- 供职机构：西安理工大学理学院应用物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- 纳米硅薄膜中的量子点特征被引量：16
- 1996年
- 从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6 nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减而增大的小尺寸效应。使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其Ⅰ-Ⅴ及(?)-Ⅴ曲线上呈现出Coulomb台阶。对实验结果做了初步分析讨论。
- 何宇亮余明斌吕燕伍戎霭伦刘剑徐士杰罗克俭奚中和
- 关键词：纳米硅量子点半导体
- 纳米Si薄膜的结构及压阻效应被引量：9
- 1996年
- 使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术检测了纳米Ｓｉ薄膜的微结构纳米Ｓｉ薄膜由大量的细微Ｓｉ晶粒以及大量的晶粒间界面区组成．这一特殊的结构造成纳米Ｓｉ薄膜具有较大的压阻效应及较高氢含量．本文分析讨论了薄膜微结构对其压阻效应的作用。
- 何宇亮林鸿溢武旭辉余明斌于晓梅王珩李冲
- 关键词：压阻效应微结构硅薄膜纳米硅薄膜
- 对纳米硅薄膜高电导机制的探讨被引量：14
- 1997年
- 使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构有效电导模型分别对晶粒电导和界面电导进行了理论计算。指出，nc－Si：H股中高电导主要来自于细微晶粒的传导，界面可视之为非导体。另一方面，实验证实nc－Si：H股的电导率随平均品粒尺寸减少而增大，具有明显的小尺寸效应。文中首次提出，nc－Si：H膜的微晶粒具有异质结量子点（HQD）特性，并按此模型对nc－Si：H膜的电导率实验曲线进行了讨论。理论与实验结果符合得很好．又得出，硅薄膜结构在其晶态体积百分比Xc=0．30和0．70处呈现出两个明显的相变点。
- 何宇亮韦亚一余明斌郑国珍刘明张蔷
- 关键词：纳米硅导电机制半导体薄膜技术
- 纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应被引量：1
- 1997年
- 用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。
- 余明斌王燕刘满仓马爱华
- 关键词：纳米硅量子点
- SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析被引量：4
- 2006年
- 将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)n-n+异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上利用MEDICI模拟,对比分析了C的引入对器件各种电特性的影响.此外,还模拟比较了不同p+区厚度对器件反向漏电流的影响.结果表明:在SiGe/Si功率二极管中加入少量的C,在基本不影响器件正向I V特性和反向恢复特性的前提下,大大减少了器件的反向漏电流,并且C的加入还减小了器件特性对材料临界厚度的依赖性,提高了器件稳定性.
- 高勇刘静马丽余明斌
- 关键词：功率二极管反向恢复漏电流
- 纳米硅薄膜退火特性被引量：11
- 1995年
- 对使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法在不同淀积条件下制备的非晶硅(a-Si:H)、微晶硅(μc-Si:H)和纳米硅(nc-Si:H)薄膜在200—600℃温度范围进行常规退火研究。用共振核反应技术测量了样品中氢含量C_H值及退火对氢含量及其分布的影响。通过室温下对暗电导率的测量得到退火对nc-si:H薄膜电导率的影响,并与a-Si:H,μc-Si:H薄膜的退火行为作了比较。使用紫外/可见/近红外分光光度计对样品透射率进行了测量,分析计算得到了退火温度T_a与ac-Si:H薄膜光学带隙E_g^(opt)值变化之间的关系。
- 余明斌何宇亮刘洪涛罗晋生
- 关键词：硅薄膜纳米
- nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析被引量：5
- 1998年
- 采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜中具有无序排布且粒径大小不一的Ｓｉ微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象．如果进一步改进膜层生长工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Ｓｉ微晶粒的ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿．
- 彭英才刘明余明斌余明斌奚中和李月霞
- 关键词：半导体量子点
- 纳米硅薄膜微结构变化对薄膜光电性质的影响被引量：5
- 1997年
- 用退火的方法改变了纳米桂（nc－Si：H）薄膜的微结构。用Raman散射和共振核反应方法分析了薄膜的微结构变化。结果表明，薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素，而薄膜的晶态体积比和晶粒尺寸是影响薄膜电导率的主要因素。
- 余明斌王燕马爱华刘满仓
- 关键词：纳米硅薄膜电导率光学带隙
- 纳米硅薄膜的微结构、电学性质和发光研究
- 该文报道了在等离子增强化学汽相淀积(PECVD)系统中,用高倍氢稀释硅烷作为反应气体,在射频和直流双重功率源作用下制备出了纳米硅薄膜(nc-Si:H).用高分辨电子显微镜(HREM)、扫描隧道显微镜(STM)、Raman...
- 余明斌
- 关键词：纳米硅电导率
- 多孔硅的形成机制及吸收特性被引量：3
- 1998年
- 用测量多孔硅反射谱的方法研究了多孔硅在吸收边附近的特性。由于多孔硅的微空洞和残余部分大约只有纳米量级，故采用波长为２００～２６００ｎｍ的红外到紫外范围的光照射，根据多层膜的反射公式，计算出多孔硅在吸收边附近的吸收系数。结果表明（αｈω）２与（ｈω－Ｅｇ）呈线性关系，表明多孔硅在一定程度上已转变为直接带隙半导体。
- 余明斌王燕
- 关键词：多孔硅光吸收特性反射谱
