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俞容文

作品数：10 被引量：4H指数：1
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 8篇理学
  • 7篇电子电信

主题

  • 8篇发光
  • 7篇混晶
  • 7篇X
  • 6篇光致
  • 6篇光致发光
  • 5篇光谱
  • 5篇N
  • 5篇GAAS
  • 4篇光致发光谱
  • 4篇半导体
  • 4篇P
  • 2篇有序度
  • 2篇声子
  • 2篇激子
  • 2篇PX
  • 2篇GAINP
  • 1篇氮浓度
  • 1篇束缚激子
  • 1篇温度
  • 1篇光材料

机构

  • 10篇厦门大学
  • 1篇中山大学

作者

  • 10篇俞容文
  • 10篇郑健生
  • 7篇颜炳章
  • 3篇吕毅军
  • 1篇林之融
  • 1篇黄旭光

传媒

  • 5篇厦门大学学报...
  • 3篇发光学报
  • 2篇Journa...

年份

  • 4篇1999
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1992
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低激发功率密度下GaAs_（1－x）Px：N（x＝0．88）的NNi对发光
1994年
在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能端并且窄化．结果表明，在低激发功率密度下，热激活的Ｎｘ→ＮＮｉ激子转移过程明显加强，激子转移的机制主要是变程跳跃过程．
俞容文郑健生糜东林颜炳章
关键词：混晶发光
混晶GaAs_(1-x)P_x∶N中N_X带的发光瞬态过程研究
1997年
采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．
俞容文黄旭光郑健生颜炳章
关键词：半导体
无序和有序GaInP_2的光致发光谱被引量：4
1999年
对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量．无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能．有序样品则表现为双峰结构，其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭．
吕毅军俞容文郑健生
关键词：半导体光致发光谱
有序Ga_xIn_(1-x)P(x=0.52)光致发光谱研究
1999年
报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究．在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发光峰（以下简称Ａ峰）发生热猝灭，并在８５Ｋ左右完全消失．高能端的发光峰（以下简称Ｂ峰）积分强度则随温度升高先增强而后发生猝灭．采用低激发功率密度激发样品，Ａ峰较Ｂ峰强．增大激发功率密度，Ｂ峰强度逐渐超过Ａ峰强度并占据主导地位．激发功率密度增加约两个数量级时，发现Ｂ峰峰值位置不随激发功率密度移动，而Ａ峰出现微小蓝移（６．２ｍｅＶ）．初步分析表明，Ａ峰与空间分离中心的复合有关，而Ｂ峰来自本征激子复合；
吕毅军俞容文郑健生
关键词：有序度半导体光致发光谱
无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系被引量：1
1999年
研究了无序ＧａＩｎＰ样品的温度依赖关系．在低温ＰＬ谱中，谱线呈单峰结构．随着温度从１５Ｋ升高到２５０Ｋ，谱线半宽从１６ｍｅＶ增大到３１ｍｅＶ，并且发生红移（５２ｍｅＶ），同时强度减小了两个数量级．对实验结果的拟合表明，在两个温度区存在着两个不同的激活能．温度小于１００Ｋ，激活能为４ｍｅＶ；温度大于１００Ｋ，激活能变为３５ｍｅＶ．我们认为低温温度行为由带边载流子的热离化伴随的无辐射跃迁所控制。
俞容文吕毅军郑健生
关键词：光致发光有序度半导体温度
混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究
1999年
本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下，实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的带间能量转移现象．从变温光致发光谱得到在温度Ｔ＜５０Ｋ时，ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝５．８ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝１１．２ｍｅＶ；在温度Ｔ＞５０Ｋ时，ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝６７ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝３２ｍｅＶ．根据实验结果，我们提出，ＮＸ和ＮΓ中心分别来自孤立Ｎ中心和Ｎ束缚激子分子的发光．
俞容文郑健生颜炳章
关键词：混晶光致发光光谱
GaAs_(1-x)Px:N中氮浓度的光吸收法测量
1992年
在液氮温度下利用光吸收法测量了一组混晶材料GaAs_(1-x)P_x :(0.60
俞容文郑健生颜炳章
关键词：氮浓度光吸收混晶发光材料
混晶GaAs_(1-x)P_(x)∶N中N_(x)发光的声子伴线结构
1996年
本文采用荧光窄化技术，对低组分的ＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ∶Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）混晶材料中Ｎｘ束缚激子的声子伴线进行了研究．在低温下，选择激发Ｎｘ带时，我们得到了与ＧａＰ∶Ｎ低温发光谱中类似的声子伴线结构．根据实验结果，给出了混晶中各种声子的能量．另外，对组分为ｘ＝０．７６的ＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ∶Ｎ混晶样品，我们还首次观察并分析了多声子重现光谱．
俞容文郑健生肖梅杰林之融颜炳章
关键词：光致发光
混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.88)中NN_1对束缚激子发光的声子伴线
1997年
采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．８８）的光致发光谱中观察到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线．通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到与ＧａＰ∶Ｎ低温光致发光谱中Ａ线相似的ＮＮ１线的声子伴线精细结构，其中包括ＴＡ，ＬＡ，ＬＯ等声子伴线．这个结果在实验上有力地证实了在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ中的确存在着ＮＮ１发光中心．
俞容文郑健生颜炳章
关键词：激子声子混晶光致发光谱
混晶GaAs_(1-x)P_(x):N中等电子杂质束缚激子的发光
1995年
在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎ＿ｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎ＿ｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎ＿ｘ束缚激子从孤立Ｎ＿ｘ中心到ＮＮ＿ｉ中心的热激活转移。分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转移现象的主导机制分别是多重陷入和变程跳跃．
俞容文郑健生糜东林颜炳章
关键词：束缚激子
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