郑健生
- 作品数：34 被引量：14H指数：2
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 无序和有序GaInP_2的光致发光谱被引量：4
- 1999年
- 对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量．无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能．有序样品则表现为双峰结构，其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭．
- 吕毅军俞容文郑健生
- 关键词：半导体光致发光谱
- GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱
- 2003年
- 在室温下测试了 Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～ 3.1% )混晶的喇曼散射谱 .在一级喇曼散射谱中观测到了 Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒 TO(Γ )模以及 N的局域模 (495 cm- 3) .在 N组分较高的一组样品 (x=1.3%～ 3.1% )中 ,还观察到了位于 Ga P的 L O(Γ)模和 TO(Γ)模之间的由 N导致的 L O(N)模的喇曼频移 (387cm- 1 ) ,其强度随着N浓度的增加而增强 .在二级喇曼散射谱中 ,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰 2 L O(Γ )外 ,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰 2 L O(L )、2 TO(X)以及 L O(L ) +TO(X) .且边界散射峰的强度比中心散射峰更强 .另外在组分 x=0 .6 %和 x=0 .81%的样品中 ,还得到了诸如来自不同 NNi 对或 N原子簇团的局域模和由 N导致的新的散射峰 .
- 高玉琳吕毅军郑健生张勇Mascarenhas A辛火平杜武青
- 关键词：喇曼散射混晶
- GaP:N中NN对束缚激子的发光衰退（详细摘要）
- 郑健生
- 关键词：激子发光中心发光猝灭磷化镓
- GaAs_(1-x)N_x混晶的喇曼散射研究被引量：1
- 2004年
- 室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大,禁戒的TO1声子变为喇曼活性;随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势,根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应.另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1+LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势.
- 林顺勇高玉琳吕毅军郑健生刘国坤
- 关键词：喇曼散射
- 静压下GaAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光
- 1990年
- 通过研究77 K温度下不同组份的GxAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)的静压光致发光,在x=0.88的样品中首次观察到NH_3 的发光,压力使N_x谱带窄化及其LO声子伴线的黄昆因子变小等现象。结果表明,压力使得混晶无序效应减弱,加强了激子从N_x?NN_i的能量转移过程。
- 糜东林郑健生颜炳章李国华汪兆平韩和相
- 关键词：静压束缚激子混晶
- 全文增补中
- 低激发功率密度下GaAs_（1－x）Px：N（x＝0．88）的NNi对发光
- 1994年
- 在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能端并且窄化．结果表明，在低激发功率密度下，热激活的Ｎｘ→ＮＮｉ激子转移过程明显加强，激子转移的机制主要是变程跳跃过程．
- 俞容文郑健生糜东林颜炳章
- 关键词：混晶发光
- 混晶GaAs_(1-x)P_x∶N中N_X带的发光瞬态过程研究
- 1997年
- 采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．
- 俞容文黄旭光郑健生颜炳章
- 关键词：半导体
- 重氮掺杂GaP中NN_3束缚激子与声子的耦合(英文)
- 2004年
- 通过光致发光谱研究了在 1 9～ 4 8K范围内掺氮浓度为 0 .1 2 %时的 Ga PN的 NN3束缚激子与声子的耦合 .直接计算了 NN3束缚激子的 L O,TO和 TA声子伴线的黄昆因子 S,除了 L O声子外 ,得到了 TO和 TA声子伴线的S因子在该温度范围内对温度的依赖关系 .计算表明 ,NN3的 L O,TO和 TA声子的 S因子均与温度无关 ,说明NN3的 L O,TO和 TA声子伴线与它们的零声子线具有相同的温度依赖关系 。
- 高玉琳吕毅军郑健生张勇A.Mascarenhas辛火平杜武青
- 关键词：光致发光
- 四元(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P(x=0.29)合金的PLE及极化PL谱
- 2000年
- 对与 Ga As晶格匹配的四元合金 (Alx Ga1-x) 0 .51In0 .4 9P(x=0 .2 9)作了 PL E及极化 PL谱的测量 .进一步探讨有序结构 Al Ga In P中在 55～ 84 K出现的峰值蓝移的温度反常现象的来源 .PL E谱的测量表明子能带的存在 ,其能级的差异正好处在高温区激活能内 ,是引起温度反常现象的原因 .通过从 17K到 112 K的极化 PL谱测量并未发现价带中 Г4 和 Г5,6子带的分裂 .推测在 Al Ga In P中 ,由晶格有序的超晶格效应引起晶体导带从 L点到布里渊区的Г点的折叠效应 .在温度大于 55K时 ,导带的载流子获得足够的能量从Г带跃迁到 L带 ,而导致了 PL谱的温度反常行为 .
- 吕毅军高玉琳郑健生
- 关键词：四元合金光学性质PLE
- GaP和GaAs_(1-x)P_x中N束缚激子压力行为的理论计算被引量：2
- 1991年
- 本文在Koster-Slater单带位势近似下对GaP和GaAs_(1-x)P_x中N等电子中心束缚激子的压力行为与能带结构的关系进行讨论与分析,得到杂质态压力系数的一个近似的解析表达式,并对N和NN_i中心能级的压力关系进行计算。同时,给出NN_i中心配位的一组新的指认。
- 张勇郑健生吴伯僖
- 关键词：GAP束缚激子激子
